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    • DDR5時(shí)代來臨
    • 什么是DDR5?
    • DDR5到底好在哪?
    • DDR5性能強(qiáng)大之源
    • DDR5何時(shí)普及?
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每?jī)?nèi)核帶寬拉響警報(bào),DDR5正駛?cè)肟燔嚨溃?/h1>

2021/03/24
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2020年突如其來的一場(chǎng)疫情打亂了各行各業(yè)的發(fā)展,受其影響,人們的生活模式在短時(shí)間內(nèi)被迫大幅轉(zhuǎn)變,工作方式加速向在線轉(zhuǎn)移。疫情下的宅經(jīng)濟(jì)在促進(jìn)數(shù)字經(jīng)濟(jì)如網(wǎng)絡(luò)游戲、社群媒體互動(dòng)與網(wǎng)絡(luò)消費(fèi)模式的黏著度提升的同時(shí),帶動(dòng)了換機(jī)潮,而智能終端裝置的普及又間接拉動(dòng)了云端需求。再加上企業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型的剛需,云端服務(wù)滲透率不斷攀升。

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圖 | 服務(wù)器,圖源:cnki

這直接帶動(dòng)了ICT設(shè)備市場(chǎng)的增長(zhǎng)。根據(jù)IDC的數(shù)據(jù),2020年全球PC出貨量3.03億臺(tái),同比增長(zhǎng)13.47%;全球服務(wù)器出貨量 1220萬臺(tái),同比增長(zhǎng)3.92%。而DIGITIMES更是預(yù)測(cè),2020-2024年全球服務(wù)器出貨量CAGR 將達(dá)到6%。因此,受益于服務(wù)器、PC、智能終端等應(yīng)用市場(chǎng)巨大的保有量和對(duì)配套存儲(chǔ)器性能要求的不斷提高,全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)需求將呈現(xiàn)穩(wěn)步提升的態(tài)勢(shì)。

DDR5時(shí)代來臨

說到存儲(chǔ)器,除了賴以生存的市場(chǎng)土壤,我們不得不提到 “好兄弟”CPU,說到底內(nèi)存作為硬盤與CPU進(jìn)行溝通的橋梁,其存在的意義就是解決CPU高速運(yùn)行與硬盤數(shù)據(jù)存取太慢之間的矛盾的,因此CPU的運(yùn)算速度和內(nèi)存密切相關(guān),一定程度上來說,內(nèi)存的發(fā)展很大程度上是與CPU處理器捆綁式進(jìn)步的。

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圖 | 內(nèi)存、數(shù)據(jù)與CPU關(guān)系示意,圖源:Andy Lock

縱觀CPU發(fā)展史,從1970年到2005年的單核時(shí)代,到2006年開始進(jìn)入的全新多核時(shí)代,發(fā)展到現(xiàn)在的臺(tái)式機(jī)6核起跳,英特爾AMD的核戰(zhàn)爭(zhēng)可謂越演愈烈。實(shí)際上,從2010年-2012年多核處理器流行開始,每個(gè)處理器內(nèi)核的平均內(nèi)存帶寬數(shù)值是逐漸下降的。為了應(yīng)對(duì)這樣的情況,廠商不得不采用更多的輔助技術(shù)來保證處理器在數(shù)據(jù)帶寬難以提升的情況下進(jìn)一步提高性能,包括重新優(yōu)化內(nèi)存讀取機(jī)制,采用更大的緩沖區(qū)設(shè)計(jì)(更大的緩存)等,當(dāng)然這些設(shè)計(jì)都只是治標(biāo)不治本,內(nèi)存帶寬的提升才是根本。

為了實(shí)質(zhì)性地提高每處理器內(nèi)核的平均內(nèi)存帶寬,時(shí)隔8年,JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)在2020年7月正式發(fā)布了DDR5 SDRAM的最終規(guī)范JESD79-5,這意味著DDR5的時(shí)代即將開啟。

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圖 | 江波龍DDR5內(nèi)存模組產(chǎn)品(ES1)

什么是DDR5?

DDR5是第五代DDR SDRAM的簡(jiǎn)稱,DDR SDRAM是英文Double Data Rate SDRAM的縮寫,中文譯為雙倍速率SDRAM,而SDRAM又是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫,譯為同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,同步對(duì)象是系統(tǒng)時(shí)鐘頻率。因此組合起來講,DDR5就是第五代雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的意思。

DDR5到底好在哪?

根據(jù) JEDEC的信息,DDR5的規(guī)范整體是在DDR4的基礎(chǔ)上起草的,因此大體框架類似,而容量更大、速率更高、功耗更低、新功能的出現(xiàn)是 DDR5有別于DDR4最明顯的進(jìn)步。

具體來講,容量方面,單顆DDR5的容量從8Gb到64Gb;速率方面,DDR5從3.2Gbps起跳,到6.6Gbps,最高可擴(kuò)展到8.4Gbps,預(yù)取數(shù)據(jù)能力從DDR4的8n上升為 16n,突發(fā)數(shù)據(jù)長(zhǎng)度變?yōu)?6;功耗方面,為了保證功耗曲線基本扁平,DDR5的工作電壓從DDR4的1.2V降低為1.1V;此外,功能方面,DDR5除了沿襲了激活、讀寫、預(yù)充電、刷新、自刷新、節(jié)電模式、ZQ校準(zhǔn)等基本功能外,還增加了不少新功能。

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圖 | 江波龍內(nèi)存模組產(chǎn)品(ES1)參數(shù)信息

不久前,江波龍推出了第一波DDR5內(nèi)存模組產(chǎn)品(ES1),分別為16GB的1Rank x8以及32GB的2Rank x8,頻率為4800MHz,時(shí)序CL 40。結(jié)合Intel AlderLake-S ADP-S DDR5 UDIMM CRB開發(fā)板,搭配Longsys DDR5 32GB 4800內(nèi)存模組和128GB SSD,并配置Windows 10 Pro x64操作系統(tǒng),分別通過魯大師和AIDA64兩個(gè)軟件進(jìn)行了跑分測(cè)試,下面一探究竟。

Intel AlderLake-S ADP-S DDR5 UDIMM CRB開發(fā)板:

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圖 | Intel AlderLake-S ADP-S DDR5 UDIMM CRB開發(fā)板

圖中可以看到,未發(fā)布的英特爾12代酷睿AlderLake-S處理器就隱藏在英特爾原裝散熱器下方。此外,開發(fā)板有兩條內(nèi)存插槽,一條M.2 2280 NVMe固態(tài)硬盤,而另一條正是紅色框中的江波龍32GB DDR5內(nèi)存。

BIOS讀取平臺(tái)以及內(nèi)存信息:

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圖 | BIOS平臺(tái)信息

調(diào)取BIOS信息,平臺(tái)主板名稱為 “AlderLake-S ADP-S DDR5”,處理器名稱為 AlderLake DT,主頻0.8GHz,但具體型號(hào)沒有顯示。

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圖 | BIOS內(nèi)存信息

同樣是BIOS的信息,江波龍的這款32GB DDR5內(nèi)存頻率為4800MHz,時(shí)序40-40-40-77,顯示為獨(dú)立的兩條16GB內(nèi)存,接口均為Slot 0,每條兩個(gè)Rank,言外之意,DDR5新架構(gòu)采用了兩個(gè)完全獨(dú)立的32位通道,單條可實(shí)現(xiàn)雙通道效果。

接下來,再看看測(cè)試的情況:

1)AIDA64測(cè)試數(shù)據(jù)

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2)魯大師測(cè)試數(shù)據(jù)

硬件配置:
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圖 | 魯大師測(cè)試硬件配置頁面

跑分結(jié)果:
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圖 | 魯大師跑分結(jié)果與系統(tǒng)顯示容量和頻率情況

業(yè)界普遍認(rèn)為9000分以上的內(nèi)存是好的內(nèi)存,10000分以上的內(nèi)存就是性能非常強(qiáng)勁的內(nèi)存。而這些判斷是基于DDR4及以前的版本,如今江波龍的DDR5內(nèi)存竟然跑到了193864分,這性能著實(shí)配得上“跨越式”提升這個(gè)詞。

DDR5性能強(qiáng)大之源

是什么讓DDR5性能如此之強(qiáng)?這就要從JESD79-5說起了,從規(guī)范中可知,DDR5內(nèi)存條的最終外觀和DDR4基本相同,針腳數(shù)維持與DDR4一樣的288 pin(針腳寬度0.85mm),只是在防呆口上有些差別,以避免用戶將DDR5內(nèi)存條錯(cuò)誤地插入其他類型的插槽。

不過,對(duì)比DDR4,DDR5的帶寬容量和速率方面提升很大,假設(shè)按照DDR4的方式來進(jìn)行信號(hào)線排布,那么金手指的數(shù)量勢(shì)必要增加,違背電子產(chǎn)品小型化趨勢(shì),因此為了保持288 pin針腳數(shù)不變,DDR5 DIMM無奈地選擇了將命令和地址信號(hào)合成一條CA總線的模式。這樣一來,原本300多個(gè)金手指管腳的需求就一下子縮減到了14個(gè)CA管腳,極大地提升了DIMM的管腳利用率。利弊相依,由于采用了CA總線模式,DDR5不能像DDR4一樣,在片選信號(hào)有效的前提下,在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)完成命令信號(hào)的采樣、解析以及獲取地址信息的操作,很多命令不得不通過兩個(gè)時(shí)鐘周期才能完成,即在第一個(gè)上升沿來臨之時(shí),先采樣CA信號(hào)來解析命令,再在第二個(gè)上升沿來臨之時(shí),采樣另一個(gè)CA信號(hào)來解析地址。這意味著采樣頻率至少倍增,于是對(duì)DDR5模組廠商而言,如何提升CA、CS類信號(hào)的信噪比變得尤為重要,據(jù)悉江波龍的ES1系列DDR5產(chǎn)品采用的是ODT的方式來減少信號(hào)脈沖的反射干擾效應(yīng)。說到ODT,早在DDR2時(shí)代工程師們就開始在每條信號(hào)傳輸路徑的末端加上一顆終結(jié)電阻,來吸收高頻電路中反射回來的電子,因此算不上什么新鮮玩意兒,只是將原來用于處理DQ/DQS/DM信號(hào)的方式沿用至CA、CS類信號(hào)罷了。

一切的改變皆源于面臨的問題,同樣是速率提升帶來的問題,當(dāng)數(shù)據(jù)速率超過3.2Gbps后,碼間串?dāng)_ISI就會(huì)加劇,信噪比的降低可能會(huì)導(dǎo)致DRAM焊球處的眼圖完全閉合,而DDR5的最高數(shù)據(jù)速率可達(dá)8.4Gbps,因此必須解決嚴(yán)重的碼間串?dāng)_問題,目前改善眼圖的最佳方法是在DQ接收器中加入判決反饋均衡器DFE。

至于容量方面,和DDR4一樣,DDR5在內(nèi)部設(shè)計(jì)了Bank(數(shù)據(jù)塊)和Bank Group(數(shù)據(jù)組)。但DDR5在數(shù)據(jù)塊和數(shù)據(jù)組的配置上更為寬裕,對(duì)比DDR4中限制最高4個(gè)數(shù)據(jù)組,普通采用2組配置的情況,DDR5 Bank Group的數(shù)量可以選擇2組、4組到最高8組的設(shè)計(jì),換句話說,在每個(gè)Group Bank的數(shù)量保持不變的條件下,DDR5 Bank Group的數(shù)量增加了一倍。

而DDR5 DIMM為了進(jìn)一步提升數(shù)據(jù)傳輸能力,將預(yù)取數(shù)據(jù)能力一下子上升至了16n(通過全新的I/O總線和Group Bank設(shè)計(jì),解決了16n預(yù)取帶來的高延遲問題),信號(hào)承載量倍增,而江波龍的DDR5 DIMM新架構(gòu)則采用了兩個(gè)完全獨(dú)立的32位通道,并發(fā)性提高,內(nèi)存通道數(shù)也隨之增加了一倍。此外,SAME-BANK Refresh(同步刷新)命令的加入簡(jiǎn)直如虎添翼,它將允許刷新每個(gè)BG中的一個(gè)Bank,使所有其他Banks保持打開狀態(tài)以繼續(xù)正常操作?;氐?a class="article-link" target="_blank" href="/baike/1555864.html">應(yīng)用層面,這意味著訪問延遲的降低,系統(tǒng)整體效率的加倍提高,使用者可以同時(shí)打開更多的頁面。

大量的數(shù)據(jù)處理帶來的是大量的校驗(yàn)工作,為了緩解系統(tǒng)錯(cuò)誤校正負(fù)擔(dān),江波龍等DDR模組廠商開始在優(yōu)化DDR5 DRAM內(nèi)核運(yùn)算能力的基礎(chǔ)上,增加內(nèi)置糾錯(cuò)碼(ECC)來增強(qiáng)數(shù)據(jù)糾錯(cuò)能力,進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)完整性。

值得一提的是,電源管理方面,DDR5中增加了本地的PMIC進(jìn)行電壓調(diào)節(jié),由于將電源管理的功能從主板轉(zhuǎn)到更靠近內(nèi)存芯片的模塊上,這種電源架構(gòu)的革新可降低主板的復(fù)雜性、提升電源轉(zhuǎn)換的效率、增加更多電源管理的功能。

綜上,是糾錯(cuò)模式、預(yù)取模式、端到端接收模式、均衡模式、電源管理模式、刷新模式、通道模式、陣列分層模式以及其他一系列的技術(shù)策略改進(jìn),帶來了DDR5性能的重大突破。

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圖 | 江波龍DDR5模組技術(shù)特點(diǎn)舉例

DDR5何時(shí)普及?

市場(chǎng)高度關(guān)注DDR5得到的支持和落地時(shí)點(diǎn)。目前,平臺(tái)方面,AMD及Intel尚未官宣支持DDR5的CPU 。但I(xiàn)ntel預(yù)計(jì)在2021年發(fā)布的Sapphire Rapids服務(wù)器處理器將開始支持 DDR5內(nèi)存模組;消費(fèi)性市場(chǎng)方面,Intel 10nm Super Fin制程的Alder Lake-S桌面處理器和 Tiger Lake-U系列(優(yōu)化版)移動(dòng)處理器將會(huì)率先導(dǎo)入,時(shí)間點(diǎn)同樣落在2021年。此外,AMD的梵高 APU、AMD 的 “Rembrandt”系列(或6600U )也有望支持DDR5。

市場(chǎng)方面,內(nèi)存廠商肯定會(huì)比平臺(tái)廠商先一步把DDR5內(nèi)存推向市場(chǎng),根據(jù)SK Hynix的預(yù)測(cè),對(duì)DDR5 內(nèi)存模組的需求增長(zhǎng),到 2022 年將會(huì)有10% 的市場(chǎng)占有率,到2024年市場(chǎng)占有率將會(huì)提升至43%。

在實(shí)際應(yīng)用方面,目前DDR4仍占據(jù)主流市場(chǎng),考慮到DDR5的配套系統(tǒng)升級(jí)器件的選型、串行鏈路濾波技術(shù)的升級(jí)、系統(tǒng)原型的構(gòu)建與仿真、系統(tǒng)成本的壓力等,除了發(fā)燒級(jí)玩家,觀望或成主流。

不過DDR4內(nèi)存于2011年公布,服役多年,根據(jù)還在遵循摩爾定律的內(nèi)存行業(yè)來講,是時(shí)候迎來更新升級(jí)。參考DDR4的市場(chǎng)普及規(guī)律,2012年9月JEDEC DDR4(JESD79-4)公布,2014年Hasewll-E處理器及X99主板問世,DDR4內(nèi)存便開始進(jìn)入桌面市場(chǎng)(X99平臺(tái)是面向發(fā)燒級(jí)玩家的),2015年Intel推出Skylake,起跳頻率為2133MHz的DDR4正式全面普及。結(jié)合DDR5標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布時(shí)間點(diǎn)(對(duì)比JEDEC的原定計(jì)劃有些落后)以及平臺(tái)的推出計(jì)劃,預(yù)計(jì)2021將進(jìn)入內(nèi)存交替元年,2022年將進(jìn)入DDR5的強(qiáng)盛時(shí)期。

而今年正是內(nèi)存模組廠商加快布局的好機(jī)會(huì),江波龍作為主流的國產(chǎn)內(nèi)存廠商,在這個(gè)時(shí)候推出面向價(jià)格不那么敏感的服務(wù)器、云計(jì)算數(shù)據(jù)中心、高性能計(jì)算機(jī)等應(yīng)用領(lǐng)域的FORESEE DDR5內(nèi)存模組產(chǎn)品,以及面向電競(jìng)玩家、設(shè)計(jì)師、剪輯師等剛需職業(yè)的Lexar雷克沙DDR5內(nèi)存模組產(chǎn)品,或可抓住時(shí)間窗口,勝在開局。

江波龍

江波龍

深圳市江波龍電子股份有限公司成立于1999年,是一家聚焦NAND閃存應(yīng)用和存儲(chǔ)芯片定制、存儲(chǔ)軟件開發(fā)的中國存儲(chǔ)企業(yè),旗下?lián)碛猩罡袠I(yè)應(yīng)用的嵌入式存儲(chǔ)品牌FORESEE和高端消費(fèi)類存儲(chǔ)品牌Lexar雷克沙。秉承DMS(Design、Module、Service)特色服務(wù)體系,江波龍電子持續(xù)為全球用戶提供高質(zhì)量的存儲(chǔ)創(chuàng)新產(chǎn)品。

深圳市江波龍電子股份有限公司成立于1999年,是一家聚焦NAND閃存應(yīng)用和存儲(chǔ)芯片定制、存儲(chǔ)軟件開發(fā)的中國存儲(chǔ)企業(yè),旗下?lián)碛猩罡袠I(yè)應(yīng)用的嵌入式存儲(chǔ)品牌FORESEE和高端消費(fèi)類存儲(chǔ)品牌Lexar雷克沙。秉承DMS(Design、Module、Service)特色服務(wù)體系,江波龍電子持續(xù)為全球用戶提供高質(zhì)量的存儲(chǔ)創(chuàng)新產(chǎn)品。收起

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