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中國大陸地區(qū)近年來晶圓產能得到了快速增長，但在單位時間產量方面仍落后于中國臺灣地區(qū)、韓國和日本。
7月13日， 著名半導體咨詢機構IC Insights 列出2021-2025 年全球晶圓月產能報告（按地理區(qū)域劃分）。下圖顯示了截至 2020 年 12 月份全球區(qū)域晶圓產能情況。
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IC Insights是按照所屬地劃分產能，而非公司總部。例如，韓國三星在美國上馬的晶圓產能計入北美產能總量，而不計入韓國產能總量?！癛OW區(qū)域”主要包括新加坡、以色列和馬來西亞，但也包括俄羅斯、白俄羅斯和澳大利亞等國家和地區(qū)。
從上圖中我們得知，截至2020 年12 月，中國臺灣地區(qū)占全球晶圓產能的21.4% ，領先全球。排在第二位的是韓國，占全球晶圓產能的 20.4%。中國臺灣地區(qū)是 8英寸晶圓產能的領先者。在12英寸晶圓方面，韓國位居前列，中國臺灣地區(qū)緊隨其后。三星和 SK 海力士繼續(xù)積極擴大其在韓國的工廠，以支持其大批量 DRAM 和 NAND 閃存業(yè)務。
中國臺灣地區(qū)在 2011 年超越日本后，于 2015 年超越韓國成為最大產能持有者。預計到 2025 年中國臺灣地區(qū)仍將是晶圓產能最大的地區(qū)。預計該區(qū)域將在 2015 年增加近 140 萬片晶圓（以200 毫米當量計算）。
2020 年底，中國大陸占全球產能的 15.3%，與日本幾乎持平。預計2021年中國晶圓產能將超過日本。中國大陸2010年晶圓產能占比首次超過歐洲，2016年首次超過ROW地區(qū)產能，2019年首次超過北美產能。
IC Insights預計中國大陸將是唯一一個在 2020 年至 2025 年期間產能的百分比份額增加的地區(qū)（增長約3.7 個百分點）。雖然中國大陸主導的大型新 DRAM 和 NAND 晶圓廠的開工量預期有所減弱，但未來幾年，總部設在其他國家的存儲器制造商和本地 半導體制造商也將有大量晶圓產能進入中國。
?在預測期內（2021-2025），北美的產能份額預計將下降，因為該地區(qū)的大型無晶圓廠供應商行業(yè)繼續(xù)依賴代工廠，主要是中國臺灣地區(qū)的代工廠，預計歐洲的產能份額也將繼續(xù)緩慢縮小。
