東芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊，助力實(shí)現(xiàn)尺寸更小，效率更高的工業(yè)設(shè)備

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款全新碳化硅（SiC）MOSFET雙模塊---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者額定電壓為1200V，額定漏極電流為600A；后者額定電壓為1700V，額定漏極電流為400A。作為東芝首批具有上述額定電壓的產(chǎn)品，它們與之前發(fā)布的MG800FXF2YMS3共同組成了1200V、1700V和3300V器件產(chǎn)品線。

這兩種新模塊在安裝方式上兼容廣泛使用的硅（Si）IGBT模塊。兩種新模塊的低損耗特性滿足了工業(yè)設(shè)備對提高效率、減小尺寸的需求，例如用于軌道車輛的轉(zhuǎn)換器和逆變器以及可再生能源發(fā)電系統(tǒng)。

• 應(yīng)用：

用于軌道車輛的逆變器和轉(zhuǎn)換器

可再生能源發(fā)電系統(tǒng)

電機(jī)控制設(shè)備

高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器

• 特性：

安裝方式兼容Si IGBT模塊

損耗低于Si IGBT模塊

MG600Q2YMS3

VDS(on)sense＝0.9V（典型值）@ID＝600A，Tch＝25℃

Eon＝25mJ（典型值），Eoff＝28mJ（典型值）@VDS＝600V，ID＝600A，Tch＝150℃

MG400V2YMS3

VDS(on)sense＝0.8V（典型值）@ID＝400A，Tch＝25℃

Eon＝28mJ（典型值），Eoff＝27mJ（典型值）@VDS＝900V，ID＝400A，Tch＝150℃

-?? ?內(nèi)置NTC熱敏電阻

• 主要規(guī)格：

（除非另有說明，@Tc＝25℃）

*本文提及的公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱可能是其各自公司的商標(biāo)。

*本文檔中的產(chǎn)品價(jià)格和規(guī)格、服務(wù)內(nèi)容和聯(lián)系方式等信息，在公告之日仍為最新信息，但如有變更，恕不另行通知。