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峰值能效超過98%!安森美用于雙向車載充電的6.6 kW CLLC參考設計

2022/09/27
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隨著雙碳目標的推進,電動汽車車載充電器(以下簡稱“OBC”),正朝雙向能量傳輸?shù)姆较虬l(fā)展,其既能從電網(wǎng)獲取電能,又可將電能反饋至電網(wǎng)。配置了雙向OBC的電動汽車,可用剩余電量為耗盡電量的電動汽車充電,也可在戶外充當220 V電源,還可被當作分布式儲能站,幫助電網(wǎng)消峰填谷。本文將探討CLLC拓撲在雙向OBC應用中的設計挑戰(zhàn)和安森美(onsemi)的6.6 kW CLLC參考設計如何解決這些挑戰(zhàn)。

什么是CLLC拓撲

如圖1所示,隔離DCDC是構(gòu)成雙向OBC的主要組成部分之一。在200 W以上隔離DCDC應用中,包括單向OBC,很多都會用到LLC拓撲,因為它具有能效高、EMI表現(xiàn)好、開發(fā)難度低等優(yōu)勢,但這種拓撲只能用于單向能量傳輸。

圖1:雙向OBC框圖

大部分的雙向OBC中隔離DCDC級都會采用CLLC拓撲。CLLC拓撲(如圖2所示)是將LLC拓撲中電池側(cè)的橋式整流二極管換成有源橋,然后再在變壓器的電池端串上一個C來確保磁平衡。給電池充電的時候,左側(cè)的橋做主動開關(guān),右側(cè)的橋做同步整流;當電池向外做逆變的時候,右側(cè)的橋做主動開關(guān),左側(cè)的橋做同步整流。CLLC繼承了LLC拓撲的特點,采用脈沖頻率調(diào)節(jié)來控制增益,具有同樣的軟開關(guān)特性,因此,能效高,EMI表現(xiàn)好,簡單,但存在增益調(diào)整范圍窄、難以滿足寬廣的電池電壓變化范圍的挑戰(zhàn)。為此,安森美推出一個6.6 kW CLLC參考設計SEC-6K6W-CLLC-GEVK,它采用寬母線電壓范圍來應對電池電壓變化,峰值能效超過98%,幫助設計人員解決挑戰(zhàn),加快開發(fā)。

圖2:CLLC拓撲

圖3:6.6 kW CLLC參考設計SEC-6K6W-CLLC-GEVK的峰值能效超過98%

6.6 kW CLLC參考設計SEC-6K6W-CLLC-GEVK

安森美的6.6 kW CLLC參考設計SEC-6K6W-CLLC-GEVK包括三個主要部分,如圖4:中間那片大板是功率板,所有高壓大電流的線路都在這片板上。右上角是控制板,通過接插件和功率板相連,方便大家在不同的控制和功率方案之間做交叉測試。左側(cè)是諧振腔組合,包含了一個集成了諧振電感的變壓器和兩個諧振電容板。諧振電容由多顆MLCC經(jīng)串并聯(lián)組成,以在滿足耐壓和電流的要求下實現(xiàn)更小體積。諧振腔也是可拆卸的,方便設計人員驗證不同的變壓器、電感和電容參數(shù)。方案中包含了散熱器、風扇、輔助電源、保護電路等等。連接電源和負載就可以在滿載下做長時間測試。

圖4:6.6 kW CLLC參考設計SEC-6K6W-CLLC-GEVK

功率板中,位于母線側(cè)和電池測的兩個有源橋分別由四顆1200 V/40毫歐NVHL040N120SC1和四顆900 V/20毫歐NVHL020N090SC1碳化硅(SiC) MOS構(gòu)成。SiC可比Si實現(xiàn)更高的功率密度、更高的開關(guān)頻率和極高效的設計。驅(qū)動這八顆SiC MOS的是八顆磁隔離大電流驅(qū)動器。驅(qū)動信號由控制板通過控制接口送出。

控制接口的所有信號都位于電池側(cè),電平不超過12 V。電池端的電壓、電流通過采樣完通過分壓、放大后直接送到控制接口。母線側(cè)的電壓采樣由一顆獨立的ADC來完成,數(shù)據(jù)通過SPI總線再經(jīng)數(shù)字信號隔離器傳到控制接口。

控制板中,我們選用了一顆車規(guī)級的LLC控制芯片NCV4390,來做脈沖頻率調(diào)制 (以下簡稱“PFM”) 和同步整流控制;用低功耗MCU,來做充電的恒壓值設定;用車規(guī)級軌到軌運放NCV33204來做恒流充電控制;再配上我們的車規(guī)級邏輯器件來做電網(wǎng)到電池和電池到電網(wǎng)方向的判斷和轉(zhuǎn)換。

電路細節(jié)的設計考量

如果想要節(jié)省成本,可以把1200 V和900 V SiC MOS換成900 V和650 V SiC MOS,但需要控制好開關(guān)尖峰,最好從降低PCB寄生電感著手,可以通過添加旁路電容實現(xiàn)。

高電壓低Rdson的SiC MOSFET,它的Qg很大,為了在高開關(guān)頻率下維持高效,必須用大電流的門極驅(qū)動器來驅(qū)動。另外,我們方案的控制接口位于電池側(cè),驅(qū)動母線側(cè)的MOS必須要隔離,而且要符合安規(guī)。雖然驅(qū)動電池側(cè)的MOS不需要安規(guī),但是為了統(tǒng)一物料,我們還是選用相同的器件NCV57000,短路保護和故障報告功能是其亮點。

隔離門極驅(qū)動的另一個不錯的選擇是NCV51561同樣帶安規(guī)隔離,驅(qū)動電流更大,一推二,延時更短。雖然沒有過流保護,但它的雙高禁止功能也能保護到來自信號端的,由于干擾或誤操作而造成的炸機風險。

選擇高壓輔助電源的最佳拓撲

該6.6 kW CLLC參考設計的輔助電源采用了“反激 + Buck-boost”的拓撲以應對高達750 V的母線電壓,如表1,相較其他3種拓撲,這種反激+Buck-boost拓撲在成本、能效、輸入電壓下限、可靠性、母線電容分壓平衡方面都更勝一籌。

表1:800 V 輸入電壓下可選的高壓輔助電源拓撲

選擇為高邊門極驅(qū)動供電的最佳方案

輔助電源設計當中的另外一個挑戰(zhàn),是多組且隔離的電源軌。該6.6 kW CLLC參考設計總共需要7組電源軌。

SiC驅(qū)動需要負壓,且SiC MOS的Vcc容差范圍較窄,所以不宜采用自舉,否則會帶來穩(wěn)壓、時序、功耗、噪聲等諸多問題。而如果采用隔離DCDC,會存在PCB占位、成本和噪聲干擾等問題。第3種方法是通過變壓器繞組來輸出所有電壓,這是這幾種方法里成本最低的一種,但缺點是工藝不好控制,易出錯,噪聲干擾大。我們的6.6 kW CLLC參考設計采用的脈沖變壓器擴展繞組解決了上述3種方法的所有問題,更重要的是它大大縮短了動點引線的長度。

雙沿跟蹤自適應同步整流控制

前面提到,在控制板中采用LLC控制器NCV4390來做PFM環(huán)路和同步整流控制。NCV4390采用電流模式,環(huán)路響應快,不易震蕩,自帶雙沿跟蹤同步整流控制功能,在PFM模式和間歇工作模式之間插入了一段PWM工作模式,目的是改善輕載下的能效和電壓紋波,而且NCV4390的保護功能也非常強大。值得強調(diào)的是,這種雙沿跟蹤同步整流控制方法已獲市場驗證是非??孔V的。

總結(jié)

電動汽車OBC正朝向雙向能量傳輸?shù)姆较虬l(fā)展,以配合雙碳目標的推進。隔離DCDC是構(gòu)成雙向OBC的主要組成部分之一。大部分的雙向OBC中隔離DCDC級都會采用CLLC拓撲。安森美的6.6 kW CLLC參考設計SEC-6K6W-CLLC-GEVK,基于SiC MOS,峰值能效超過98%,還解決了CLLC拓撲在雙向OBC應用中的PCB占位、噪聲干擾、可靠性和成本等諸多設計挑戰(zhàn),它采用硬件控制器來做PFM控制,幫助設計人員加快開發(fā)。

安森美

安森美

歷史安森美半導體前身是摩托羅拉集團的半導體元件部門,于1999年獨立上市,繼續(xù)生產(chǎn)摩托羅拉的分立晶體管,標準模擬和標準邏輯等器件。并購紀錄2000年四月,完成收購Cherry Semiconductor。2006年,完成收購位于美國俄勒岡州Gresham的LSI Logic設計和制造設施。2008年一月,以184M美元完成收購美國模擬器件公司的穩(wěn)壓及熱管理(Voltage Regulation and Thermal Management)部門。2008年三月,以915M美元完成收購AMI Semiconductor。2008年十月,以115M美元完成收購Catalyst Semiconductor。2009年十一月,以17M美元完成收購PulseCore Semiconductor。2010年一月,以115M美元完成收購California Micro Devices。2010年六月,完成收購Sound Design Technologies, Ltd。2011年一月,完成收購日本三洋電機的子公司三洋半導體(SANYO Semiconductor)。2011年二月,以$31.4M美元完成收購賽普拉斯半導體(Cypress Semiconductor)的CMOS圖像傳感器業(yè)務部門。2014年五月,完成收購Truesense Imaging, Inc。2014年七月,安森美半導體和富士通半導體宣布戰(zhàn)略合作(包括晶圓代工服務協(xié)議,及日本會津若松市富士通的8吋晶圓廠的10%權(quán)益。)2014年八月,以4億美元完成收購總部位于加州的Aptina Imaging Corp。2015年七月,安森美半導體完成收購Axsem AG。2015年11月18日,以每股20美元,斥資24億美元現(xiàn)金收購飛兆半導體公司。2016年八月,安森美半導體宣布已就出售點火IGBT業(yè)務給 Littelfuse 達成協(xié)議,出售其瞬態(tài)電壓抑制二極管和開關(guān)型晶閘管產(chǎn)品線,售價共1.04億美元現(xiàn)金。2016年九月,安森美半導體完成收購飛兆半導體公司。產(chǎn)品安森美半導體制造以下的各種產(chǎn)品:定制:ASIC;定制代工服務;定制ULP存儲器;定制CMOS圖像傳感器;集成無源器件分立:雙極晶體管;二極管和整流器;IGBT和FET;晶閘管;可調(diào)諧組件電源管理:AC-DC控制器和穩(wěn)壓器;DC-DC控制器、轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器;熱管理;驅(qū)動器;電壓和電流管理邏輯:時鐘產(chǎn)生;時鐘及數(shù)據(jù)分配;存儲器;微控制器;標準邏輯信號管理:放大器和比較器;模擬開關(guān);音頻/視頻的ASSP;數(shù)字電位計;EMI/RFI濾波器;接口;光電、圖像及觸摸傳感器產(chǎn)品部安森美半導體的各個產(chǎn)品部門:模擬方案部(ASG) - Bob Klosterboer(高騰博),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理圖像傳感器部(ISG) – Taner Ozcelik,高級副總裁兼總經(jīng)理電源方案部(PSG) – Bill Hall(賀彥彬),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理解決方案工程中心日本:大阪; 東京中國:上海德國:慕尼黑中國臺灣:臺北美國:加州圣荷西; 俄勒岡州波特蘭; 底特律韓國:首爾設計中心美國:亞利桑那州鳳凰城(Phoenix)、亞利桑那州錢德勒(Chandler)、得州奧斯?。ˋustin)、得州普萊諾(Plano)、羅德島州東格林尼治(East Greenwich)、科羅拉多州Longmont、加州圣克拉拉(Santa Clara)、愛達荷州波卡特洛(Pocatello)、賓夕法尼亞州Lower Gwynedd、猶他州林頓(Lindon)、愛達荷州楠帕(Nampa)加拿大:伯靈頓(Burlington), 滑鐵盧(Waterloo)比利時:梅赫倫(Mechelen),奧德納爾德(Oudenaarde),菲爾福爾德(Vilvoorde)法國:圖盧茲(Toulouse)德國:慕尼黑羅馬尼亞:布加勒斯特(Bucharest)斯洛伐克:布拉迪斯拉發(fā)(Bratislava)愛爾蘭:利默里克(Limerick)瑞士:Marin捷克:Roznov,布爾諾(Brno)韓國:首爾中國臺灣:臺北印度:班加羅爾(Bangalore),諾伊達(Noida)日本:岐阜市,群馬菲律賓:德拉克市(Tarlac City)制造工廠美國:亞利桑那州鳳凰城、亞利桑那州錢德勒、俄勒岡州Gresham、愛達荷州波卡特洛、愛達荷州楠帕、緬因州南波特蘭加拿大:伯靈頓 (安大略省)比利時:奧德納爾德捷克:Roznov中國:樂山、深圳、蘇州日本:群馬縣、埼玉縣羽生市、新潟縣新潟市韓國:富川菲律賓:Carmona, Cavite、Tarlac City、宿霧市馬來西亞:森美蘭州芙蓉市越南:邊和市、順安市社

歷史安森美半導體前身是摩托羅拉集團的半導體元件部門,于1999年獨立上市,繼續(xù)生產(chǎn)摩托羅拉的分立晶體管,標準模擬和標準邏輯等器件。并購紀錄2000年四月,完成收購Cherry Semiconductor。2006年,完成收購位于美國俄勒岡州Gresham的LSI Logic設計和制造設施。2008年一月,以184M美元完成收購美國模擬器件公司的穩(wěn)壓及熱管理(Voltage Regulation and Thermal Management)部門。2008年三月,以915M美元完成收購AMI Semiconductor。2008年十月,以115M美元完成收購Catalyst Semiconductor。2009年十一月,以17M美元完成收購PulseCore Semiconductor。2010年一月,以115M美元完成收購California Micro Devices。2010年六月,完成收購Sound Design Technologies, Ltd。2011年一月,完成收購日本三洋電機的子公司三洋半導體(SANYO Semiconductor)。2011年二月,以$31.4M美元完成收購賽普拉斯半導體(Cypress Semiconductor)的CMOS圖像傳感器業(yè)務部門。2014年五月,完成收購Truesense Imaging, Inc。2014年七月,安森美半導體和富士通半導體宣布戰(zhàn)略合作(包括晶圓代工服務協(xié)議,及日本會津若松市富士通的8吋晶圓廠的10%權(quán)益。)2014年八月,以4億美元完成收購總部位于加州的Aptina Imaging Corp。2015年七月,安森美半導體完成收購Axsem AG。2015年11月18日,以每股20美元,斥資24億美元現(xiàn)金收購飛兆半導體公司。2016年八月,安森美半導體宣布已就出售點火IGBT業(yè)務給 Littelfuse 達成協(xié)議,出售其瞬態(tài)電壓抑制二極管和開關(guān)型晶閘管產(chǎn)品線,售價共1.04億美元現(xiàn)金。2016年九月,安森美半導體完成收購飛兆半導體公司。產(chǎn)品安森美半導體制造以下的各種產(chǎn)品:定制:ASIC;定制代工服務;定制ULP存儲器;定制CMOS圖像傳感器;集成無源器件分立:雙極晶體管;二極管和整流器;IGBT和FET;晶閘管;可調(diào)諧組件電源管理:AC-DC控制器和穩(wěn)壓器;DC-DC控制器、轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器;熱管理;驅(qū)動器;電壓和電流管理邏輯:時鐘產(chǎn)生;時鐘及數(shù)據(jù)分配;存儲器;微控制器;標準邏輯信號管理:放大器和比較器;模擬開關(guān);音頻/視頻的ASSP;數(shù)字電位計;EMI/RFI濾波器;接口;光電、圖像及觸摸傳感器產(chǎn)品部安森美半導體的各個產(chǎn)品部門:模擬方案部(ASG) - Bob Klosterboer(高騰博),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理圖像傳感器部(ISG) – Taner Ozcelik,高級副總裁兼總經(jīng)理電源方案部(PSG) – Bill Hall(賀彥彬),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理解決方案工程中心日本:大阪; 東京中國:上海德國:慕尼黑中國臺灣:臺北美國:加州圣荷西; 俄勒岡州波特蘭; 底特律韓國:首爾設計中心美國:亞利桑那州鳳凰城(Phoenix)、亞利桑那州錢德勒(Chandler)、得州奧斯汀(Austin)、得州普萊諾(Plano)、羅德島州東格林尼治(East Greenwich)、科羅拉多州Longmont、加州圣克拉拉(Santa Clara)、愛達荷州波卡特洛(Pocatello)、賓夕法尼亞州Lower Gwynedd、猶他州林頓(Lindon)、愛達荷州楠帕(Nampa)加拿大:伯靈頓(Burlington), 滑鐵盧(Waterloo)比利時:梅赫倫(Mechelen),奧德納爾德(Oudenaarde),菲爾福爾德(Vilvoorde)法國:圖盧茲(Toulouse)德國:慕尼黑羅馬尼亞:布加勒斯特(Bucharest)斯洛伐克:布拉迪斯拉發(fā)(Bratislava)愛爾蘭:利默里克(Limerick)瑞士:Marin捷克:Roznov,布爾諾(Brno)韓國:首爾中國臺灣:臺北印度:班加羅爾(Bangalore),諾伊達(Noida)日本:岐阜市,群馬菲律賓:德拉克市(Tarlac City)制造工廠美國:亞利桑那州鳳凰城、亞利桑那州錢德勒、俄勒岡州Gresham、愛達荷州波卡特洛、愛達荷州楠帕、緬因州南波特蘭加拿大:伯靈頓 (安大略省)比利時:奧德納爾德捷克:Roznov中國:樂山、深圳、蘇州日本:群馬縣、埼玉縣羽生市、新潟縣新潟市韓國:富川菲律賓:Carmona, Cavite、Tarlac City、宿霧市馬來西亞:森美蘭州芙蓉市越南:邊和市、順安市社收起

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