p溝道m(xù)os管導(dǎo)通條件

硬件型號：AO4606低內(nèi)阻P溝道MOS管

系統(tǒng)版本：場效應(yīng)管系統(tǒng)

p溝道m(xù)os管導(dǎo)通條件為Ug< Us、Ugs< Ugs(th)， N溝道m(xù)os管導(dǎo)通條件為Ug> Us、Ugs> Ugs(th)?？傊琈OS管導(dǎo)通條件為|Ugs|>|Ugs(th)|。

MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。

一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。G：gate 柵極；S：source 源極；D：drain 漏極。MOS管的source（源極）和drain（耗盡層）是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。

場效應(yīng)管分為PMOS管（P溝道型）和NMOS（N溝道型）管，屬于絕緣柵場效應(yīng)管。

MOS集成電路特點(diǎn)：

制造工藝比較簡單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡單，集成度高、抗干擾能力強(qiáng)，特別適合于大規(guī)模集成電路。