碳化硅半導體是新一代寬禁帶半導體,它具有熱導率高、GaN晶格失配小等優(yōu)勢,非常適合用作新一代發(fā)光二極管襯底材料、大功率電力電子材料。
采用碳化硅做襯底的LED器件亮度更高、能耗更低、壽命更長、單位芯片面積更小,且在大功率LED方面具有非常大的優(yōu)勢。
今天美國力特公司(Littelfuse)公司,將從功耗、效能等數(shù)據(jù)點出發(fā),詳細介紹美國力特公司小功率半導體碳化硅技術(shù)。
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