<legend id="qkkiz"></legend><button id="qkkiz"></button>

<del id="qkkiz"></del>

<button id="qkkiz"></button>

拓荊科技

拓荊科技股份有限公司成立于2010年4月，是國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)，主要從事半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售與技術(shù)服務(wù)。公司多次獲評(píng)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)授予的“中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備五強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)。公司在北京、上海、海寧、沈陽(yáng)和美國(guó)成立子公司。收起展開(kāi)全部

產(chǎn)業(yè)鏈半導(dǎo)體半導(dǎo)體設(shè)備收起展開(kāi)全部

加入交流群

掃碼加入
參與最新論壇話題和活動(dòng)

先進(jìn)邏輯和3D存儲(chǔ)的希望，PECVD、晶圓鍵合龍頭——拓荊科技
隨著集成電路制造不斷向更先進(jìn)工藝發(fā)展，單位面積集成的電路規(guī)模不斷擴(kuò)大，芯片內(nèi)部立體結(jié)構(gòu)日趨復(fù)雜，所需要的薄膜層數(shù)越來(lái)越多，對(duì)絕緣介質(zhì)薄膜、導(dǎo)電金屬薄膜的材料種類和性能參數(shù)不斷提出新的要求。在 90nm CMOS 工藝，大約需要 40 道薄膜沉積工序。在 3nmFinFET 工藝產(chǎn)線，需要超過(guò) 100 道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由 6 種增加到近 20 種，對(duì)于薄膜顆粒的要求也由微米級(jí)提高到納

王兵

3743

12/10 09:18

與非研究院 CVD

正在努力加載...

入駐企業(yè)中心

發(fā)產(chǎn)品/方案/資料
獲取潛在客戶
線下實(shí)驗(yàn)室免費(fèi)使用
全產(chǎn)業(yè)鏈客戶資源

相似企業(yè)