肖特基二極管

• 不同二極管的壓降是多少？
  不同類型的二極管具有不同的壓降特性，以下是一些常見二極管類型的壓降范圍： 硅二極管：硅二極管是最常見的二極管類型，其正向壓降一般在0.6V到0.7V之間。這一范圍是由于硅的帶隙約為1.1eV，電子和空穴的重組需要一定的能量。 鍺二極管：鍺二極管的正向壓降相對較低，通常在0.2V到0.3V之間。鍺的帶隙約為0.66eV，使得載流子在P-N結(jié)中更容易復(fù)合，從而降低了正向壓降。然而，由于鍺的熱穩(wěn)定性較差

  無錫迪仕科技

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  12/05 07:17

  二極管 肖特基二極管
• 采用自主設(shè)計(jì)封裝，絕緣電阻顯著提高！
  

  與普通產(chǎn)品相比，可確保約1.3倍的爬電距離。即使是表貼型也無需進(jìn)行樹脂灌封絕緣處理~ 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出引腳間爬電距離*1更長、絕緣電阻更高的表面貼裝型SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）。目前產(chǎn)品陣容中已經(jīng)擁有適用于車載充電器（OBC）等車載設(shè)備應(yīng)用的“SCS2xxxNHR”8款機(jī)型。計(jì)劃2024年12月再發(fā)售8款適用于FA設(shè)備和光伏逆變器等工業(yè)設(shè)備

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  11/12 08:57

  ROHM 肖特基二極管
• 英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V
  

  如今，許多工業(yè)應(yīng)用可以通過提高直流母線電壓，在力求功率損耗最低的同時(shí)，向更高的功率水平過渡。為滿足這一需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V G5，這是市面上首款擊穿電壓達(dá)到2000 V的分立碳化硅二極管。該產(chǎn)品系列適用于直流鏈路電壓高達(dá)1500 VDC的應(yīng)用，額定電流為10

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  10/23 08:03

  英飛凌 MOSFET
• ??Nexperia擴(kuò)展功率器件產(chǎn)品組合，新增標(biāo)準(zhǔn)和車規(guī)級理想二極管?
  

  ??Nexperia宣布為其持續(xù)擴(kuò)展的功率器件產(chǎn)品組合新增兩款理想二極管IC。其中，NID5100適用于標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用，而NID5100-Q100已獲得認(rèn)證，可用于汽車應(yīng)用。這兩款理想二極管均以MOSFET為基礎(chǔ)，擁有比傳統(tǒng)二極管更低的正向壓降，非常適合用來替換系統(tǒng)中的標(biāo)準(zhǔn)二極管，進(jìn)而滿足相關(guān)的超高能效要求。 ? ??NID5100和NID5100-Q100理想二極管采用小型TSSP6/SOT

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  09/04 08:32

  傳感器 MOSFET
• 大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于onsemi、Vishay和Toshiba產(chǎn)品的30W反激式輔助電源方案
  

  致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NCP1239BD65R2G PWM控制器的30W反激式輔助電源方案。 圖示1-大聯(lián)大世平基于onsemi、Vishay和Toshiba產(chǎn)品的30W反激式輔助電源方案的展示板圖 在信息技術(shù)時(shí)代，人們對于高效、穩(wěn)定且具備出色節(jié)能特性的輔助電源需求日益增加。特別是在服務(wù)器、PC、新能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)以

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  06/11 10:13

  大聯(lián)大 肖特基二極管
• 意法半導(dǎo)體公布了新系列100V溝槽肖特基整流二極管以提高效率和功率密度
  

  隨著低開關(guān)損耗的寬禁帶半導(dǎo)體等技術(shù)的廣泛應(yīng)用，設(shè)計(jì)人員開始提高功率轉(zhuǎn)換器的工作頻率，不斷刷新功率密度。不過，當(dāng)開關(guān)頻率變得更高時(shí)，用作整流器的傳統(tǒng)平面二極管(包括硅肖特基器件)的能量損耗也會隨之變大，嚴(yán)重限制了轉(zhuǎn)換能效的改進(jìn)。

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  04/02 12:03

  肖特基二極管 整流二極管
• 英飛凌與威邁斯加強(qiáng)合作，為電動汽車提供節(jié)能經(jīng)濟(jì)的快速充電服務(wù)
  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的新型CoolSiC?混合分立器件采用 TRENCHSTOP? 5 快速開關(guān) IGBT 和 CoolSiC 肖特基二極管。中國領(lǐng)先的新能源汽車功率電子和電機(jī)驅(qū)動器制造商深圳威邁斯新能源股份有限公司（VMAX）將這款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC車載充電器。英飛凌的元件采用 D2PAK 封裝，將超高速 TRENC

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  03/04 10:22

  電動汽車 英飛凌
• DZ1026零偏置肖特基二極管探測器HEROTEK
  零偏置肖特基二極管檢波器是種為毫米波通信和亞毫米波功率控制的元器件，能夠有效對微波射頻至太赫茲波范圍之內(nèi)電磁波輻射實(shí)時(shí)監(jiān)測和混頻。HEROTEK零偏置肖特基二極管檢波器不需要偏置電流也能夠作業(yè)，DZ1026廣泛應(yīng)用于待機(jī)或監(jiān)控情況下無主電源(DC電源)通用型RFID和其它技術(shù)應(yīng)用。

  leadway01

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  2023/10/16

  二極管 肖特基二極管
• DHM265AAP高靈敏度零偏置肖特基二極管探測器HEROTEK
  肖特基二極管是金屬半導(dǎo)體器件構(gòu)造的半導(dǎo)體二極管，具備正向電流低、開關(guān)速率快等優(yōu)點(diǎn)。與同類產(chǎn)品應(yīng)用中的接觸力二極管相對比，HEROTEK?DHM265AAP零偏壓肖特基二極管探測器具備更寬廣的動態(tài)范圍、更高的耐高溫穩(wěn)定性和更精密的平方律性能。DHM265AAP零偏置肖特基二極管探測器不止可廣泛用于高精密檢測設(shè)備、接收器、開關(guān)電源電路、信號檢測和導(dǎo)彈制導(dǎo)技術(shù)，還能做為微波功率探測器。

  leadway01

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  2023/08/29

  二極管 肖特基二極管
• 通過智能節(jié)點(diǎn)的遠(yuǎn)程運(yùn)動控制促進(jìn)實(shí)現(xiàn)可靠的自動化
  

  摘要 工業(yè)4.0為遠(yuǎn)距離實(shí)現(xiàn)邊緣智能帶來了曙光，而10BASE-T1L以太網(wǎng)的數(shù)據(jù)線供電(PoDL)功能、高數(shù)據(jù)傳輸速率以及與以太網(wǎng)協(xié)議兼容也為未來發(fā)展鋪平了道路。本文介紹如何在自動化和工業(yè)場景中集成新的10BASE-T1L以太網(wǎng)物理層標(biāo)準(zhǔn)，將控制器和用戶界面與端點(diǎn)（例如多個(gè)傳感器和執(zhí)行器）連接起來，所有器件均使用標(biāo)準(zhǔn)以太網(wǎng)接口進(jìn)行雙向通信。 簡介 10BASE-T1L是針對工業(yè)連接的物理層標(biāo)準(zhǔn)。

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  2023/07/06

  MOSFET 工業(yè)4.0
• Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二極管，提升開關(guān)電源設(shè)計(jì)能效和可靠性
  

  器件采用MPS結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，額定電流4 A~ 40 A，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，具有高浪涌電流保護(hù)能力，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低

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  2023/05/23

  二極管 開關(guān)電源
• Nexperia針對要求嚴(yán)苛的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用推出先進(jìn)的650 V碳化硅二極管
  基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應(yīng)用。10 A、650 V SiC肖特基二極管滿足工業(yè)級器件標(biāo)準(zhǔn)，可應(yīng)對高電壓和高電流應(yīng)用帶來的挑戰(zhàn)，包括開關(guān)模式電源、AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池充電基礎(chǔ)設(shè)施、不間斷電源和光伏逆變器，并提高持續(xù)運(yùn)行性能。例如，相比僅使用硅基解決方案的數(shù)據(jù)中心，配

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  2023/04/20

  半導(dǎo)體 二極管
• 安森美的EliteSiC碳化硅系列方案帶來領(lǐng)先業(yè)界的高能效
  領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON)，宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費(fèi)電子展覽會(CES)上，安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC MOSFET和兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管。這些新的器件為能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動應(yīng)用提供可靠、高能效的性能，并

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  988

  2023/01/04

  安森美 肖特基二極管
• 羅姆發(fā)布肖特基二極管白皮書， 助力汽車、工業(yè)和消費(fèi)電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)小型化和更低損耗！
  近年來，隨著電動汽車的加速以及物聯(lián)網(wǎng)在工業(yè)設(shè)備、消費(fèi)電子設(shè)備領(lǐng)域的普及，應(yīng)用產(chǎn)品中搭載的半導(dǎo)體數(shù)量也與日俱增。

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  1003

  2022/11/03

  電動汽車 二極管
• Qorvo?收購領(lǐng)先的碳化硅功率半導(dǎo)體供應(yīng)商UnitedSiC公司
  移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo?,Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今天宣布，已收購位于新澤西州普林斯頓領(lǐng)先碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商UnitedSiC公司。

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  2021/11/04

  Qorvo SiC
• Vishay 推出采用超小型封裝的小信號肖特基和開關(guān)二極管
  Vishay推出超小型可潤濕側(cè)翼DFN1006-2A塑料封裝新型表面貼裝小信號二極管—40 V BAS40L肖特基二極管和100 V BAS16L。

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  251

  2021/10/11

  二極管 Vishay
• 英飛凌推出全新650 V CoolSiC? Hybrid IGBT分立器件系列，提供優(yōu)異效率
  近日，英飛凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) 推出 650 V CoolSiC? Hybrid IGBT 單管產(chǎn)品組合，具有650 V阻斷電壓。

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  2021/08/06

  英飛凌 IGBT
• 擴(kuò)充了負(fù)載開關(guān) IC 產(chǎn)品陣容 配備理想二極管功能 XC8110/XC8111 系列
  特瑞仕半導(dǎo)體株式會社（日本東京都中央?yún)^(qū) 董事總經(jīng)理：芝宮 孝司 第一東京證券交易所:6616，以下簡稱“特瑞仕”） 開發(fā)了具備理想二極管功能的負(fù)載開關(guān) IC，XC8110 / XC8111 系列。

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  2021/07/05

  電池 二極管
• 電源效率改善
  今天有個(gè)同學(xué)留言說要如何提高電源的效率；那我們就來講一下電源的效率改善方法。

  王偉

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  2020/09/02

  二極管 電源
• 肖特基二極管的反向恢復(fù)過程
  今天的內(nèi)容關(guān)于肖特基二極管的反向恢復(fù)過程。

  記得誠

  194

  2020/07/13

  二極管 肖特基二極管

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