ALD

• ALD,ALE與傳統(tǒng)技術(shù)相比的優(yōu)勢？
  學(xué)員問：ALD（原子層沉積），ALE（原子層刻蝕）與傳統(tǒng)的沉積，刻蝕技術(shù)相比，有什么優(yōu)勢？如上圖，先說第一行，第一行是傳統(tǒng)鍍膜與ALD效果的對比，傳統(tǒng)薄膜沉積方法如 PECVD 或 PVD等，在高深寬比結(jié)構(gòu)中，由于氣體進(jìn)出受到了物理限制，側(cè)壁和底部區(qū)域的沉積速率不同。

  TOM聊芯片智造

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  12/20 16:07

  ALD ALD技術(shù)
• 先進(jìn)邏輯和3D存儲的希望，PECVD、晶圓鍵合龍頭——拓荊科技
  

  隨著集成電路制造不斷向更先進(jìn)工藝發(fā)展，單位面積集成的電路規(guī)模不斷擴大， 芯片內(nèi)部立體結(jié)構(gòu)日趨復(fù)雜，所需要的薄膜層數(shù)越來越多，對絕緣介質(zhì)薄膜、導(dǎo)電金屬薄膜的材料種類和性能參數(shù)不斷提出新的要求。在 90nm CMOS 工藝，大約需要 40 道薄膜沉積工序。在 3nmFinFET 工藝產(chǎn)線，需要超過 100 道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由 6 種增加到近 20 種，對于薄膜顆粒的要求也由微米級提高到納

  王兵

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  12/10 09:18

  與非研究院 CVD
• 越制裁，越強大！重要性比肩光刻機的刻蝕設(shè)備——北方華創(chuàng)
  

  美日荷相繼加大對華半導(dǎo)體設(shè)備出口限制，國產(chǎn)替代迫在眉睫。盡管中國是全球最大半導(dǎo)體消費市場，但本土化缺口明顯，2023 年芯片自產(chǎn)率僅 20%、半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率為 35%、高端刻蝕機等關(guān)鍵領(lǐng)域國產(chǎn)化率不足 10%。隨著國產(chǎn)晶圓廠的逆勢擴張、海外制裁趨緊，本土半導(dǎo)體設(shè)備廠商有望擴大份額，預(yù)計2025年國產(chǎn)化率將達(dá)50%。 前面文章我們分析了國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭之一的中微公司，今天我們繼續(xù)深入研究半導(dǎo)體

  王兵

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  11/26 12:10

  與非研究院 NAND
• 5nm已量產(chǎn)，3nm還會遠(yuǎn)嗎？重要性比肩光刻機的刻蝕設(shè)備——中微公司
  

  晶圓制造設(shè)備從類別上講可以分為刻蝕、光刻、薄膜沉積、檢測、涂膠顯影等十多類，其合計投資總額通常占整個晶圓廠投資總額的 75%左右，其中刻蝕設(shè)備、光刻設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備是集成電路前道生產(chǎn)工藝中最重要的三類設(shè)備。 根據(jù)Gartner統(tǒng)計的數(shù)據(jù)，2013年至2023年，半導(dǎo)體前道設(shè)備中，干法刻蝕設(shè)備市場年均增速超過15%，化學(xué)薄膜設(shè)備市場年均增速超過14%，這兩類設(shè)備增速遠(yuǎn)高于其他種類的設(shè)備。 圖|20

  王兵

  9145

  11/12 10:37

  與非研究院 CVD
• 一項多尺度模擬技術(shù)，打通ALD的材料—過程—裝備？
  

  今天我們對話的這位專家是來自華東理工大學(xué)化工學(xué)院的莊黎偉教授，他在原子層沉積工藝中進(jìn)行了非常多的探索，今天我們就請莊教授和我們一起來聊聊他所從事的事情，請莊教授和大家打個招呼。

  芯片揭秘

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  04/01 16:46

  ALD ALD技術(shù)
• 線寬越來越小，ALD未來或成唯一選擇？
  

  在半導(dǎo)體制程進(jìn)入28nm后，由于器件結(jié)構(gòu)不斷縮小且更為3D立體化，生產(chǎn)過程中需要實現(xiàn)厚度更薄的膜層，以及在更為立體的器件表面均勻鍍膜。在此背景下，ALD技術(shù)憑借優(yōu)異的三維共形性、大面積成膜的均勻性和精確的膜厚控制等特點，技術(shù)優(yōu)勢愈加明顯，在半導(dǎo)體薄膜沉積環(huán)節(jié)的市場占有率也將持續(xù)提高。

  芯片揭秘

  3176

  2023/11/15

  ALD 半導(dǎo)體制程
• 真空技術(shù)賦能微觀材料科技，推動諸多領(lǐng)域發(fā)展未來可期
  

  隨著新材料的應(yīng)用和科技的進(jìn)步，我們的生活也正在發(fā)生翻天覆地的變化，從居家辦公到日常出行，隨著技術(shù)的不斷突破和創(chuàng)新，也給我們的生活質(zhì)量帶來了很大的提升。燃油車被越來越多的電動汽車所取代，推動著交通出行以更加可持續(xù)的方式發(fā)展；隨處可見的顯示器，也一次次突破極限，展示更清晰、精準(zhǔn)和高質(zhì)量的畫面。還有很多新材料的應(yīng)用也正在從實驗室級別的研發(fā)走向產(chǎn)業(yè)化和規(guī)模化的道路。這些技術(shù)的應(yīng)用都離不開真空技術(shù)。 現(xiàn)如今

  與非網(wǎng)編輯

  1131

  2023/05/10

  電動汽車 普發(fā)真空
• 立足產(chǎn)業(yè)發(fā)展新階段，思銳智能以先進(jìn)ALD技術(shù)拓展超摩爾時代新維度
  中國集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟秘書長、中國半導(dǎo)體協(xié)會集成電路分會理事長葉甜春在致辭中強調(diào)，中國集成電路發(fā)展到現(xiàn)在，確實需要進(jìn)入新的階段。

  與非網(wǎng)編輯

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  2022/10/31

  集成電路 ALD
• Atonarp Aston Impact 計量平臺開始向韓國半導(dǎo)體 FAB 批量出貨
  Atonarp，半導(dǎo)體工藝控制原位實時高靈敏度計量領(lǐng)域的領(lǐng)頭企業(yè)，在全球范圍內(nèi)正式發(fā)布并銷售其 Aston 平臺。這是 Atonarp 公司全球發(fā)展進(jìn)程中的一座重要里程碑。

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  2022/04/06

  半導(dǎo)體制造 半導(dǎo)體工藝
• SRII重磅推出兩款A(yù)LD新品，滿足泛半導(dǎo)體應(yīng)用多功能性和靈活性的需求
  過去20年，ALD工藝及設(shè)備已經(jīng)廣泛應(yīng)用于邏輯和存儲器件的大批量制造，不斷推動諸如動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）、先進(jìn)的鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）以及柵極環(huán)繞晶體管等器件性能的改進(jìn)與創(chuàng)新。

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  213

  2022/01/26

  半導(dǎo)體制造 FinFET
• 加速特征相關(guān)(FD)干法刻蝕的工藝發(fā)展
  SEMulator3D中可視刻蝕特征提供了一種模擬與現(xiàn)實刻蝕腔室接近的刻蝕速率的方法。

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  237

  2021/11/15

  刻蝕工藝 ALD
• GaN快充市場賽道提速，SRII交付半導(dǎo)體晶圓設(shè)備助力中國產(chǎn)能擴充
  隨著蘋果公司正式推出140W氮化鎵（GaN）快充，以智能手機、筆記本電腦為代表的消費電子快充市場迎來了又一標(biāo)桿性產(chǎn)品的重要拐點。近兩年來，全球GaN充電器的出貨量已經(jīng)突破了數(shù)千萬只。然而，這僅僅只是開端。

  與非網(wǎng)編輯

  173

  2021/11/01

  快充 GaN
• 思銳智能攜旗下Beneq品牌亮相CIOE2021，探索從微觀到宏觀層面的ALD光學(xué)應(yīng)用創(chuàng)新
  光學(xué)薄膜的應(yīng)用十分廣泛，從精密的光學(xué)儀器到光纖通訊、顯示器、數(shù)碼相機，乃至鈔票上的防偽技術(shù)，均不乏其身影。

  與非網(wǎng)編輯

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  2021/10/11

  顯示器 ALD
• 從夜視到“元宇宙”入口設(shè)備，ALD光學(xué)鍍膜不斷突破技術(shù)和市場邊界
  隨著各類鏡頭、顯示設(shè)備、生物識別技術(shù)產(chǎn)品、5G通訊技術(shù)和終端設(shè)備，以及最近備受關(guān)注的未來“元宇宙”重要場景入口設(shè)備的AR/VR等消費類終端的創(chuàng)新發(fā)展，對光學(xué)鍍膜設(shè)備的技術(shù)工藝以及性價比要求也越來越高。

  與非網(wǎng)編輯

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  2021/09/26

  顯示器 ALD
• 半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)入藍(lán)海，ASM如何把握？
  作為全球前十大晶圓制造設(shè)備，ASM同樣保持著高速增長。ASM中國區(qū)總經(jīng)理徐來表示：“2020年，ASM總營收相較于2019年增長了18%，主要的增長領(lǐng)域是原子層沉淀（ALD），占據(jù)了設(shè)備收入的一半以上。”

  與非網(wǎng)記者

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  2021/03/24

  半導(dǎo)體 半導(dǎo)體設(shè)備
• 全球top10半導(dǎo)體設(shè)備廠的進(jìn)擊之路
  過去一年，整個全球設(shè)備市場表現(xiàn)萎縮，2019年營收同比下降了6-8個百分點。然而，ASM在逆境中增長37%，踏入全球前十大半導(dǎo)體設(shè)備廠商之列。

  李晨光

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  2020/07/10

  半導(dǎo)體設(shè)備 ALD
• 五大能力領(lǐng)跑ALD領(lǐng)域，ASM深度推進(jìn)中國本土化戰(zhàn)略
  “目前中國市場發(fā)展非常強勁，ASM擁有服務(wù)中國市場20年的經(jīng)驗，這使我們能更好地支持中國集成電路產(chǎn)業(yè)的快速增長。我們愿與中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一起成長?！?先晶半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司業(yè)務(wù)總監(jiān)徐來在SEMICON China重申ASM對中國先進(jìn)半導(dǎo)體制造的支持。

  趙碧瑩

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  2018/03/26

  半導(dǎo)體設(shè)備 ALD
• 在使用ALD工藝沉積氧化物時，如何確保反應(yīng)完全且薄膜厚度可控
  原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD）是一種精密的薄膜沉積技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電子和納米技術(shù)領(lǐng)域。在沉積氧化物薄膜時，確保反應(yīng)完全并控制薄膜厚度是至關(guān)重要的，這直接影響到薄膜的質(zhì)量和性能。本文將探討如何在使用ALD工藝沉積氧化物時，確保反應(yīng)完全并控制薄膜厚度。

  eefocus_3901714

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  08/19 09:18

  ALD ALD技術(shù)
• ALD（原子層沉積）與CVD的異同點有哪些
  ALD（Atomic Layer Deposition，原子層沉積）和CVD（Chemical Vapor Deposition，化學(xué)氣相沉積）是常用的薄膜沉積技術(shù)，在材料科學(xué)、納米技術(shù)和半導(dǎo)體工業(yè)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。雖然它們都用于沉積薄膜，但在原理、工作機制和特點上存在著一些顯著的不同。

  eefocus_3901714

  8350

  08/16 13:37

  CVD ALD

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