越制裁，越強(qiáng)大！重要性比肩光刻機(jī)的刻蝕設(shè)備——北方華創(chuàng)

美日荷相繼加大對(duì)華半導(dǎo)體設(shè)備出口限制，國(guó)產(chǎn)替代迫在眉睫。盡管中國(guó)是全球最大半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)，但本土化缺口明顯，2023 年芯片自產(chǎn)率僅 20%、半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率為 35%、高端刻蝕機(jī)等關(guān)鍵領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)化率不足 10%。隨著國(guó)產(chǎn)晶圓廠(chǎng)的逆勢(shì)擴(kuò)張、海外制裁趨緊，本土半導(dǎo)體設(shè)備廠(chǎng)商有望擴(kuò)大份額，預(yù)計(jì)2025年國(guó)產(chǎn)化率將達(dá)50%。

前面文章我們分析了國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭之一的中微公司，今天我們繼續(xù)深入研究半導(dǎo)體設(shè)備公司中實(shí)力排名第一的公司北方華創(chuàng)。在集成電路核心裝備領(lǐng)域，公司成功研發(fā)出高密度等離子體化學(xué)氣相沉積（HDPCVD）、雙大馬士革 CCP 刻蝕機(jī)、立式爐原子層沉積 （ALD）、高介電常數(shù)原子層沉積（ALD）等多款具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高端設(shè)備，并在多家客戶(hù)端實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，獲得客戶(hù)的一致好評(píng)。

一、公司介紹

2001 年七星電子成立，主營(yíng)產(chǎn)品為集成電路制造設(shè)備（包括擴(kuò)散/氧化爐、清洗機(jī)、氣體質(zhì)量流量計(jì)）、混合集成電路、電子元件，應(yīng)用在集成電路、 太陽(yáng)能、平板顯示、MEMS 等領(lǐng)域。同年北方微電子成立，主營(yíng)半導(dǎo)體刻蝕、PVD、CVD 設(shè)備等，應(yīng)用在集成電路、先進(jìn)封裝、半導(dǎo)體照明、MEMS 等領(lǐng)域。2010 年，七星電子（002371.SZ）在深交所上市，2016 年，七星電子與北方微電子重組，成立了北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司，隨后推出新品牌“北方華創(chuàng)” （NAURA）。

1.1、發(fā)展階段

第一階段（2016 年以前）： 2001 年，七星電子（由六家國(guó)營(yíng)廠(chǎng)整合而成）、北方微電子成立，分別從事集成電路、電子元器件及高端半導(dǎo)體裝備業(yè)務(wù)。

第二階段（2016-2017 年）： 2016 年，公司在北京市國(guó)資委主導(dǎo)下，由北京電控牽頭七星電子、北方微電子重組合并，并擔(dān)任最大股東，持股比例至今穩(wěn)定在 40%以上。2017 年，公司更名為北方華創(chuàng)，成功實(shí)現(xiàn)業(yè)務(wù)整合并構(gòu)建三大板塊，國(guó)內(nèi)泛半導(dǎo)體裝備“平臺(tái)型”企業(yè)初成。

第三階段（2017 年以后）： 2017 年以后，公司開(kāi)啟外延并購(gòu)之路，先后于 2018、2020、2023 年成功收購(gòu)美國(guó) Akrion、北廣科技、北京丹普，完善其在清洗設(shè)備、射頻技術(shù)應(yīng)用、鍍膜設(shè)備方面的產(chǎn)品擴(kuò)充，增強(qiáng)平臺(tái)化競(jìng)爭(zhēng)能力。

1.2、股東情況

公司為北京國(guó)資委下的半導(dǎo)體設(shè)備公司，大基金一期二期均持有公司股份。截至 2024 年三季度，北京電子控股有限責(zé)任公司持有七星集團(tuán) 100%股權(quán)，直接持有公司 9.37%的股份，并通過(guò)七星集團(tuán)間接持有 33.43%的股權(quán)，合計(jì)持有公司42.8%的股權(quán)，為公司實(shí)際控制人。此外，大基金（國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司）一期和二期分別持有公司 5.39%和 0.93%的股份。

1.3、業(yè)務(wù)布局及客戶(hù)

集成電路方面，公司客戶(hù)幾乎涵蓋所有國(guó)內(nèi)主流晶圓廠(chǎng)，如中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等；半導(dǎo)體顯示和照明方面，公司客戶(hù)包括京東方、三安光電、華燦光電等；半導(dǎo)體新能源方面，公司客戶(hù)包含隆基綠能、晶澳太陽(yáng)能等光伏龍頭企業(yè)。

圖|北方華創(chuàng)業(yè)務(wù)布局

來(lái)源：公司公告

二、半導(dǎo)體設(shè)備及趨勢(shì)

集成電路制造工藝繁多復(fù)雜，其中光刻、刻蝕和薄膜沉積是半導(dǎo)體制造三大核心工藝。據(jù) Gartner 統(tǒng)計(jì)，2022年，全球晶圓制造設(shè)備中，刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備和光刻機(jī)的價(jià)值量占比位列前三，分別占據(jù)晶圓制造設(shè)備價(jià)值量的 22%、22%和 17%，其后分別為工藝控制、成批清洗、顯影洗像、化學(xué)機(jī)械拋光、離子注入和氧化退火等設(shè)備。

2.1、刻蝕設(shè)備

以刻蝕設(shè)備為例，刻蝕技術(shù)需要在納米級(jí)別上實(shí)現(xiàn)極高的精度和控制，使得公司需要持續(xù)投資研發(fā)，以應(yīng)對(duì)不斷縮小的工藝節(jié)點(diǎn)和新材料的應(yīng)用，例如從 10 納米到 7 納米、5 納米甚至更小的制程，以及 3D 結(jié)構(gòu)器件的制造。

干法刻蝕

干法刻蝕是使用氣體作為主要刻蝕材料，不需要液體化學(xué)品沖洗，具備各向異性和高工藝可控性。受多重掩膜工藝和 3D 結(jié)構(gòu)閃存的推動(dòng)，干法刻蝕設(shè)備在過(guò)去十年成為增長(zhǎng)最快的半導(dǎo)體設(shè)備。目前，已基本在先進(jìn)制程中取代濕法刻蝕，市場(chǎng)份額超過(guò) 90%。根據(jù)刻蝕材料類(lèi)型，主要分為介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕和金屬刻蝕。

介質(zhì)刻蝕通常使用電容耦合等離子體刻蝕機(jī)（CCP），用于制作接觸孔、通孔和凹槽；硅、金屬刻蝕則多采用電感耦合等離子體刻蝕機(jī)（ICP），主要用于制造柵極和器件隔離溝槽。

? ? ? ? 圖|電容性等離子體刻蝕反應(yīng)腔? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?圖|電感性等離子體刻蝕反應(yīng)腔

來(lái)源：中微公司公告

2.2、薄膜沉積

薄膜沉積是在硅片等襯底上沉積薄膜材料的過(guò)程，主要包括二氧化硅、氮化硅、多晶硅等非金屬及銅等金屬，薄膜厚度通常在幾微米至幾納米之間。薄膜沉積設(shè)備是半導(dǎo)體制造的核心設(shè)備，價(jià)值量占比 21%，包括 PVD（物理氣相沉積）設(shè)備、CVD（化學(xué)氣相沉積）設(shè)備和 ALD（原子層沉積）設(shè)備。

PVD設(shè)備

PVD（物理氣相沉積）：是基于物理機(jī)制的薄膜沉積技術(shù)，過(guò)程不涉及化學(xué)反應(yīng)，適合沉積金屬材料。PVD 設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)快速的沉積速率和精確的厚度控制， 所制備的薄膜具有良好的致密性、強(qiáng)粘結(jié)力和高純度，因此是目前半導(dǎo)體工業(yè)所大量采用的薄膜制作方式。北方華創(chuàng)在國(guó)內(nèi) PVD 領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。

CVD設(shè)備

CVD（化學(xué)氣相沉積）：是通過(guò)化學(xué)反應(yīng)的方式，在氣相或氣固界面上將氣態(tài)或蒸汽狀態(tài)的化學(xué)物質(zhì)轉(zhuǎn)化為固態(tài)沉積物的技術(shù)。常見(jiàn)的 CVD 設(shè)備包括 PECVD、 SACVD、APCVD 和 LPCVD，其中 PECVD 因其低溫和快速沉積的優(yōu)點(diǎn)，在薄膜沉積設(shè)備中占據(jù)主要地位，2023 年占比 33%。國(guó)內(nèi)主要的薄膜沉積設(shè)備制造商包括拓荊科技，專(zhuān)注于 PECVD 和 SACVD；北方華創(chuàng)，專(zhuān)注于 LPCVD 和 EPI；中微公司，專(zhuān)注于 LPCVD；以及盛美上海，正在研發(fā) PECVD，預(yù)計(jì)即將送入客戶(hù)端。

ALD設(shè)備

ALD（原子層沉積）：是一種逐層沉積技術(shù)，能夠在復(fù)雜基底上實(shí)現(xiàn)全覆蓋，與 CVD 相似。ALD 設(shè)備制備的薄膜具備高深寬比和極窄溝槽開(kāi)口的優(yōu)異臺(tái)階覆蓋率，因此在結(jié)構(gòu)復(fù)雜、薄膜厚度要求精準(zhǔn)的先進(jìn)邏輯芯片、DRAM 和 3D NAND 中具有重要意義。競(jìng)爭(zhēng)格局方面，ALD 作為新興工藝，參與者較多，2023 年 TEL、ASML 合計(jì)占據(jù)約 60%的市場(chǎng)份額。國(guó)內(nèi)市場(chǎng)集成電路方面，拓荊科技較為領(lǐng)先，盛美上海、北方華創(chuàng)和中微公司也均有布局。

圖|PVD、CVD、ALD 薄膜沉積效果示意圖

來(lái)源：微導(dǎo)納米招股書(shū)

2.3、發(fā)展趨勢(shì)

近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)的不斷演進(jìn)，存儲(chǔ)芯片多層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的廣泛應(yīng)用，半導(dǎo)體設(shè)備需求顯著增長(zhǎng)，尤其是在刻蝕和薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域，呈現(xiàn)出前所未有的市場(chǎng)機(jī)遇。

（1）線(xiàn)寬關(guān)鍵尺寸微縮，多重模板工藝帶動(dòng)刻蝕步驟增加。

隨著集成電路芯片制造工藝的不斷演進(jìn)，先進(jìn)制程下光刻機(jī)受到波長(zhǎng)限制，14 nm 及以下的邏輯芯片需要采用多重圖案化技術(shù)，通過(guò)多次薄膜沉積及刻蝕工序?qū)崿F(xiàn)更小線(xiàn)寬，使得刻蝕等相關(guān)設(shè)備的加工步驟增多。

圖|10 納米多重模板工藝原理，涉及更多次刻蝕

來(lái)源：中微公司公告

相同產(chǎn)能下，半導(dǎo)體設(shè)備投資額隨制程節(jié)點(diǎn)先進(jìn)程度提升而大幅增長(zhǎng)。據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)觀(guān)察數(shù)據(jù)顯示，14nm 制程所需要使用的刻蝕步驟達(dá)到 64 次，較 28nm 提升 60%；7nm 制成所需刻蝕步驟更是高達(dá) 140 次，較 14nm 提升 119%。 需要指出的是，由于各大 Fab 廠(chǎng)商對(duì)制程尺寸的定義和設(shè)計(jì)存在差異，因此在相同制程工藝下，不同產(chǎn)品所使用的刻蝕次數(shù)并不具備完全的可比性。

（2）芯片結(jié)構(gòu) 3D 化，薄膜沉積及高縱橫比蝕刻成為關(guān)鍵步驟。

隨著 2D 晶體 管尺寸微縮觸及物理極限，存儲(chǔ)器技術(shù)由二維轉(zhuǎn)向三維架構(gòu)。據(jù)中研網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示， 截至 2022 年，3D NAND 閃存滲透率已超過(guò) 70%，預(yù)計(jì)到 2025 年有望達(dá) 97.5%。

圖|存儲(chǔ)器3D 技術(shù)

來(lái)源：中微公司公告

技術(shù)層面分析，3D NAND 通過(guò)多層垂直堆疊，成功解決了容量增加導(dǎo)致的性能下降問(wèn)題，但也要求刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高的深寬比、每層堆疊均需要經(jīng)歷薄膜沉積工藝。在由 64 層至 196 層的 3D NAND 產(chǎn)線(xiàn)升級(jí)過(guò)程中，刻蝕設(shè)備投資占比從 22%增加至 25%。目前以美光、SK 海力士為代表的主流 3D NAND 廠(chǎng)商堆疊層數(shù)不斷提升， 已跨越 232 層，并向 300 層以上邁進(jìn)。

三、產(chǎn)品介紹

北方華創(chuàng)電子工藝裝備主要包括半導(dǎo)體裝備、真空裝備和新能源鋰電設(shè)備，電子元器件主要包括電阻、電容、晶體器件、模塊電源、微波組件等。

圖|北方華創(chuàng)產(chǎn)品及占比

來(lái)源：公司公告

2.1、設(shè)備

北方華創(chuàng)的設(shè)備可供在集成電路、先進(jìn)封裝、功率半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、LED、光伏六大下游的客戶(hù)使用：

2.1.1、集成電路領(lǐng)域

針對(duì) Logic、DRAM、3D NAND、3D IC 等不同的芯片技術(shù)，北方華創(chuàng)可提供等離子刻蝕機(jī)、PVD、CVD、ALD、爐管和清洗等設(shè)備，并均已進(jìn)入主流芯片工廠(chǎng)。幫助客戶(hù)提升工藝性能、擴(kuò)大產(chǎn)能、降低成本，為集成電路領(lǐng)域提供核心工藝裝備解決方案。

圖|集成電路領(lǐng)域產(chǎn)品

來(lái)源：與非研究院整理

2.1.2、先進(jìn)封裝領(lǐng)域

在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，北方華創(chuàng)提供關(guān)鍵設(shè)備及工藝解決方案，設(shè)備主要包括干法刻蝕設(shè)備、物理氣相沉積設(shè)備、去膠機(jī)、 聚酰亞胺（Polyimide，簡(jiǎn)寫(xiě)為 PI）固化爐以及濕法清洗設(shè)備，應(yīng)用于覆晶封裝（Flip-Chip）、硅通孔封裝（TSV）、 扇出型封裝（Fan-Out）、焊料凸起型封裝（Solder Bump）、銅凸塊封裝（Copper Pillar）、金凸塊封裝（Gold Bump）、2.5D/3D 體封裝、芯粒（Chiplet）等先進(jìn)封裝方式。

圖|先進(jìn)封裝領(lǐng)域產(chǎn)品

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2.1.3、功率半導(dǎo)體領(lǐng)域

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，公司自主研發(fā)的刻蝕機(jī)、物理氣相沉積設(shè)備、立式爐設(shè)備、清洗機(jī)、單/ 多片式硅外延設(shè)備以及臥式氧化/ 擴(kuò)散爐已獲得多家功率器件客戶(hù)的認(rèn)可和批量采購(gòu)。 在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域（GaN、SiC、GaAs、InP 等），公司可提供長(zhǎng)晶爐、干法刻蝕設(shè)備、薄膜設(shè)備、爐管設(shè)備、清洗設(shè)備，為客戶(hù)提供全面的工藝解決方案。

圖化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域產(chǎn)品

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2.1.4、半導(dǎo)體照明領(lǐng)域

在半導(dǎo)體照明領(lǐng)域，北方華創(chuàng)的 ICP 刻蝕機(jī)、PECVD、Sputter 等均為行業(yè)標(biāo)桿產(chǎn)品，可應(yīng)用于新一代 Mini-LED 和 Micro-LED 制程。北方華創(chuàng)在 LED 領(lǐng)域持續(xù)研發(fā)，憑借優(yōu)越的產(chǎn)品性能以及創(chuàng)新的技術(shù)理念，致力于成為客戶(hù)信賴(lài)的設(shè)備解決 方案提供商。

2.1.5、光伏電池制造領(lǐng)域

在光伏電池制造領(lǐng)域，北方華創(chuàng)可提供三大類(lèi)共 20 余款設(shè)備，包括臥式氧化/ 擴(kuò)散爐、PECVD、LPCVD 等設(shè)備。設(shè)備技術(shù)指標(biāo)及工藝性能均表現(xiàn)突出，具有高產(chǎn)出、高效能、高穩(wěn)定性的特點(diǎn)，并可靈活應(yīng)用于典型量產(chǎn)工藝及 IBC、HJT/HIT 等多種新興高效電池生產(chǎn)工藝中。

圖|新能源光伏領(lǐng)域產(chǎn)品

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2.1.6、真空熱處理領(lǐng)域產(chǎn)品

熱處理作為裝備制造業(yè)的重要組成部分，在關(guān)鍵基礎(chǔ)工藝中發(fā)揮著愈加重要的作用。北方華創(chuàng)深耕高壓、高溫、高真空技術(shù)， 研發(fā)的真空熱處理設(shè)備、氣氛保護(hù)熱處理設(shè)備、連續(xù)式熱處理設(shè)備、鍍膜設(shè)備等高端熱處理工藝裝備，廣泛應(yīng)用于先進(jìn)熱 處理、真空電子、新能源光伏、半導(dǎo)體材料、磁電材料等領(lǐng)域，提供高效、節(jié)能、環(huán)保的真空熱處理裝備及工藝解決方案。

圖|真空熱處理領(lǐng)域產(chǎn)品

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2.2、電子元器件

推動(dòng)元器件向小型化、集成化、高精密方向發(fā)展，研發(fā)的石英晶體器件、石英微機(jī)電傳感器、精密電阻器、新型電容器、 微波組件、模擬芯片、模塊電源等產(chǎn)品，應(yīng)用于電力電子、鐵路交通、智能電網(wǎng)、精密儀器、自動(dòng)控制等領(lǐng)域，為客戶(hù)打造高端精密電子元器件技術(shù)、產(chǎn)品、服務(wù)一體化的專(zhuān)業(yè)解決方案。

2.2.1、模擬鏈路產(chǎn)品

模擬鏈路產(chǎn)品采用國(guó)內(nèi)先進(jìn)半導(dǎo)體工藝制程，結(jié)合先進(jìn)塑封技術(shù)和高可靠金屬陶瓷封裝技術(shù)，設(shè)計(jì)并制造了一系列具有代表性的模擬芯片。產(chǎn)品種類(lèi)多樣，具有適用溫度范圍寬和高可靠等優(yōu)勢(shì)，主要應(yīng)用于通信、汽車(chē)、鐵路及電力等領(lǐng)域。

2.2.2、高可靠封裝外殼

高可靠封裝外殼采用先進(jìn)的多層高溫共燒陶瓷或金屬玻璃高溫封接技術(shù)，具有體積小、重量輕、封裝密度高、集成度高、導(dǎo)熱性能好、電性能參數(shù)優(yōu)異、高頻性能佳等優(yōu)勢(shì)。目前已廣泛應(yīng)用于單片集成電路、光電探測(cè)和光通信、微波通信模塊、射頻微系統(tǒng)、光電微系統(tǒng)、汽車(chē)電子等領(lǐng)域。

2.2.3、硅電容器

硅電容器采用半導(dǎo)體工藝和微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）工藝相結(jié)合的技術(shù)，在微納米尺度進(jìn)行 3D 結(jié)構(gòu)電容制備，增加電容表面積獲得高容量密度并且具有極低的失效率。目前已應(yīng)用于光通信、射頻微波、 2.5D/3D 先進(jìn)封裝、汽車(chē)電子、高速通信等領(lǐng)域，硅電容器憑借穩(wěn)定性高和優(yōu)良的性能正逐步取代陶瓷電容。

2.3、產(chǎn)能情況

在“缺芯潮”、“擴(kuò)產(chǎn)潮”的背景下，北方華創(chuàng)于2019 年定向增發(fā) 20 億元，2021 年再次定向增發(fā) 85 億元。主要用于：1）滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備自主化迫切需求，緩解產(chǎn)能瓶頸；2）布局 5/7nm 先進(jìn)制程，把握發(fā)展契機(jī)。

四、財(cái)務(wù)分析

4.1、營(yíng)收和利潤(rùn)分析

圖|營(yíng)收變化及同比%

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2004-2015年，公司重組前，業(yè)務(wù)增長(zhǎng)緩慢，截至 2015 年?duì)I業(yè)收入為 8.54 億元。2016 年重組后，憑借中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代背景，公司加速平臺(tái)化發(fā)展，業(yè)績(jī)表現(xiàn)飛速增長(zhǎng)。2016-2023 年，公司營(yíng)收由16.22億元提升至 220.8 億元，營(yíng)收的CAGR約為 81.59%。

2024 年 1-9 月?tīng)I(yíng)收為 203.53億元，比上年同期增加 39.51%。

圖|扣非凈利潤(rùn)變化及同比%

來(lái)源：與非研究院整理

2016-2023 年，公司歸母凈利潤(rùn)從0.93億元提升至 39 億元，歸母凈利潤(rùn)的CAGR約為 64.37%；扣非凈利潤(rùn)從 -2.61億元提升至 35.8 億元。

2016-2023年持續(xù)增長(zhǎng)，主要因?yàn)椋?）半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展及國(guó)產(chǎn)替代需求的爆發(fā)；2）下游航空航天等高精尖應(yīng)用領(lǐng)域的拉動(dòng)，公司收入、業(yè)績(jī)實(shí)現(xiàn)高速增長(zhǎng)。

2024 年 1-9 月，扣非凈利潤(rùn)為 42.66億元，比上年同期增加 61.58%。主要原因是：公司電子工藝裝備收入增長(zhǎng)較快，成本費(fèi)用率下降。

4.2、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)及毛利率

圖|2007-2015分產(chǎn)品占比%

來(lái)源：與非研究院整理

2007-2015年重組之前，公司營(yíng)收分為電子元件、電子裝備、其他業(yè)務(wù)和其他主營(yíng)等，電子裝備又分為集成電路制造設(shè)備、混合集成電路設(shè)備。

電子元件比例先降低后上升，2007-2011年由32.06%至20.93%；2012-2015年由27.68%提升至46.84%。集成電流制造設(shè)備比例先上升后下降，2007-2011年由42.18%提升至70.35%；2012-2015年，由62.38%下降至36.14%。

圖|2007-2015分產(chǎn)品毛利率%

來(lái)源：與非研究院整理

毛利率方面：電子元件毛利率持續(xù)攀升，由2007年34.93%提升至2015年的58.75%；集成電流制造設(shè)備先升后降低，由2007年29.19%提升至2013年的33.54%，2014年下降至20.59%，2015年恢復(fù)至25.90%；混合集成電路設(shè)備由2007年的24.93%降低至2008年的20.20%，2009年后持續(xù)攀升至2015年44.91%。

圖|2016-2024H1分產(chǎn)品占比%

來(lái)源：與非研究院整理

2016年重組以后，業(yè)務(wù)分為電子裝備和電子元件，2016-2017電子裝備年后分為半導(dǎo)體設(shè)備、真空設(shè)備、鋰電設(shè)備。2016-2017年電子元器件比例為37.47%、34.32%，半導(dǎo)體設(shè)備比例分別為50.11%、51.01%，真空設(shè)備比例分別為5.44%、9.04%，鋰電設(shè)備占比分別為5.89%、4.52%，其他業(yè)務(wù)收入比例分別為1.08%、1.12%。

2018-2024H1，公司業(yè)務(wù)主要分為電子裝備、電子元器件和其他業(yè)務(wù)。電子裝備行業(yè)比例由75.85%提升至92.39%，電子元器件比例由23.69%降低至7.48%，其他業(yè)務(wù)占比不足0.5%。

圖|2016-2024H1分產(chǎn)品毛利率%

來(lái)源：與非研究院整理

重組后的毛利率方面：電子元件毛利率持續(xù)攀升，由2016年44.56%提升至2022年的72.53%；2023-2024H1出現(xiàn)下降，分別為65.65%、55.90%。

2018年-2020年電子裝備毛利率出現(xiàn)下降，由34.72%降低至29.44%；2021年后由33%提升至2024H1的44.63%。

4.3、研發(fā)投入情況

圖|2014-2024H1研發(fā)投入及占比

來(lái)源：與非研究院整理

公司研發(fā)投入持續(xù)增長(zhǎng)，2014、2015年比較緩慢，分別為2.31億元、2.48億元；2016年重組后研發(fā)投入大幅增長(zhǎng)，2016-2023年分別為7.58億元、7.36億元、8.73億元、11.37億元、16.08億元、28.92億元、35.66億元、44.10億元。2024 年上半年，北方華創(chuàng)研發(fā)投入 22.42億元，同比增長(zhǎng) 47.97%。

2016-2024H1研發(fā)投入占營(yíng)收的比例分別為46.72%、33.13%、26.28%、28.03%、26.56%、29.87%、24.28%、19.97%、20.53%。海外設(shè)備龍頭應(yīng)用材料、泛林半導(dǎo)體近年來(lái)研發(fā)費(fèi)率均在 10%左右，公司研發(fā)費(fèi)用率是海外龍頭2倍以上水平。

圖|2016-2024H1研發(fā)人員數(shù)量及占比

來(lái)源：與非研究院整理

2016-2018年，研發(fā)人員數(shù)量緩慢增長(zhǎng)分別為1079人、1102人、1170人，2019年小幅降低至1121人，2020-2023年研發(fā)人員數(shù)量大規(guī)模增長(zhǎng)，分別為1415人、2044人、2929人、3656人。研發(fā)人員數(shù)量占比先降低后增長(zhǎng)，由2016年30.77%降低至2020年最低23.67%，2021-2023年恢復(fù)增長(zhǎng)，由25.07%提升至30.44%。

截至 2024 年上半年，公司累計(jì) 申請(qǐng)專(zhuān)利已超過(guò) 8,300 件，獲得授權(quán)專(zhuān)利超過(guò) 4,900 件，多項(xiàng)核心技術(shù)獲得行業(yè)認(rèn)可。

研發(fā)進(jìn)展

近年來(lái)，公司發(fā)布了多款新品，包括 12 英寸去膠機(jī) ACE i300，12 英寸電容耦合等離子體介質(zhì)刻蝕機(jī) Accura LX， 等離子體增強(qiáng)氮化硅原子層沉積立式爐等。其中，12 英寸電容耦合等離子體介質(zhì)刻 蝕機(jī)Accura LX主要覆蓋邏輯領(lǐng)域多個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)中以AIO （雙大馬士革刻蝕工藝）、 Contact （接觸孔）為代表的關(guān)鍵介質(zhì)刻蝕制程，并可擴(kuò)展到存儲(chǔ)領(lǐng)域的 CMOS 相 關(guān)制程，適用于 Low-K（低介電常數(shù)）介質(zhì)及常規(guī)介質(zhì)材料的刻蝕工藝。

圖|公司研發(fā)進(jìn)展

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五、總結(jié)

北方華創(chuàng)作為國(guó)內(nèi)泛半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域龍頭企業(yè)，公司在半導(dǎo)體設(shè)備品類(lèi)布局全面，業(yè)務(wù)涵蓋集成電路、面板、光伏、鋰電等多個(gè)領(lǐng)域，研發(fā)投入占比超越國(guó)際大廠(chǎng)，有望受益半導(dǎo)體行業(yè)景氣反轉(zhuǎn)和半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代大趨勢(shì)。

目前，核心集成電路設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化率不足 10%，其中，刻蝕機(jī)的國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到 20%。從競(jìng)爭(zhēng)格局來(lái)看，國(guó)內(nèi)刻蝕設(shè)備起步時(shí)間相對(duì)較晚，市場(chǎng)集中度較高，主要由海外龍頭壟斷。2021 年國(guó)際刻蝕龍頭泛林半導(dǎo)體、東京電子、應(yīng)用材料市占率合計(jì)達(dá) 91%，北方華創(chuàng)和中微作為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備龍頭公司，市占率仍小于 5%，替代空間廣闊。