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CMOS工藝

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CMOS工藝是在PMOS和NMOS工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。CMOS中的C表示“互補”,即將NMOS器件和PMOS器件同時制作在同一硅襯底上,制作CMOS集成電路。

CMOS工藝是在PMOS和NMOS工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。CMOS中的C表示“互補”,即將NMOS器件和PMOS器件同時制作在同一硅襯底上,制作CMOS集成電路。收起

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    學(xué)員問:能介紹STI工藝嗎?相比于LOCOS,STI工藝有哪些有點?什么是STI工藝?STI(Shallow Trench Isolation)淺溝槽隔離,先在硅片上刻蝕淺溝槽,然后填充氧化硅,形成電氣隔離層。主要作用是將CMOS的nMOSFET和pMOSFET隔離開,防止相互干擾。什么是LOCOS工藝?
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    聊聊高壓CMOS工藝
    高壓CMOS (HVCMOS) 是一種專門為處理高電壓應(yīng)用而設(shè)計的CMOS技術(shù)。HVCMOS技術(shù)因其能夠處理高壓且同時具備低壓CMOS電路的所有優(yōu)勢,使其在現(xiàn)代電子設(shè)備的各個領(lǐng)域中成為不可或缺的技術(shù)。無論是電源管理、汽車電子還是其他需要高壓處理的場景,HVCMOS都提供了一種高效、可靠的解決方案。
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    不可忽視的閃爍噪聲
    當器件內(nèi)部,載流子在不連續(xù)的材料上移動時,會隨機的遭遇到捕獲和釋放,進而產(chǎn)生閃爍噪聲。比如,MOS管中柵極的氧化層與硅介質(zhì)層之間,就存在不連續(xù)性。
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    2020年6月15日,爍科中科信宣布,12英寸中束流離子注入機順利搬入集成電路大產(chǎn)線,此舉標志著國產(chǎn)離子注入機市場化進程邁向新臺階
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    CMOS工藝的發(fā)展極大推動了離子注入工藝的發(fā)展,也可以說離子注入工藝的不斷成熟進一步改善了集成電路產(chǎn)品的質(zhì)量,尤其是CMOS產(chǎn)品的性能。
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  • Silicon Labs:RF CMOS工藝和產(chǎn)品性能的雙贏
    “我們屬于多元化經(jīng)營,產(chǎn)品涉及物聯(lián)網(wǎng)、互聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施、汽車、消費類以及語音和數(shù)據(jù),2014年的營收達6.21億美金?!盨ilicon Labs高級產(chǎn)品經(jīng)理郭先城向與非網(wǎng)記者介紹,“面向基帶市場,我們提供多元化產(chǎn)品組合,如微控制器、定時、電源、無線、傳感器和廣播。同時,我們在全球有1100多名員工,10個研發(fā)中心,在香港、深圳、北京和上海都
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    在集成電路制造領(lǐng)域,BiCMOS(Bipolar Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)工藝和CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)工藝是兩種常見的技術(shù)路線。它們在集成電路設(shè)計和制造中有著不同的特點、優(yōu)勢和應(yīng)用場景。

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