SBD

• 湖南三安SiC SBD累計(jì)出貨量突破2億顆
  

  1月24-26日，湖南三安攜8英寸碳化硅（SiC）晶碇、襯底、外延，車規(guī)級(jí)SiC二極管、MOSFET產(chǎn)品，以及多場(chǎng)景應(yīng)用解決方案亮相第38屆日本國(guó)際電子展NEPCON JAPAN 2024。

  化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)

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  01/30 09:30

  SiC 碳化硅
• ROHM推出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快trr的100V耐壓SBD“YQ系列”
  

  非常適用于汽車LED前照燈等高速開關(guān)應(yīng)用 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向車載設(shè)備、工業(yè)設(shè)備、消費(fèi)電子設(shè)備等的電源電路和保護(hù)電路，推出trr*1超快的100V耐壓肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SBD”）“YQ系列”。 二極管的種類有很多，其中高效率SBD被廣泛用于各種應(yīng)用。尤其是溝槽MOS結(jié)構(gòu)的SBD，其VF低于平面結(jié)構(gòu)的SBD，因此可以在整流等應(yīng)用中提高效率。而普通溝槽MOS

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  01/23 14:05

  二極管 ROHM
• SiC器件，中外現(xiàn)況
  

  近年來，以碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料備受關(guān)注，在禁帶寬度、擊穿電場(chǎng)、熱導(dǎo)率、電子飽和速率、抗輻射能力等關(guān)鍵參數(shù)方面具有顯著優(yōu)勢(shì)，滿足了現(xiàn)代工業(yè)對(duì)高功率、高電壓、高頻率的需求。 碳化硅器件按照電阻性能的不同，可以分為導(dǎo)電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅基射頻器件。 ①導(dǎo)電型碳化硅功率器件主要是通過在導(dǎo)電型襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層，得到碳化硅外延片后進(jìn)一步加工制成，品種包括SBD（肖

  史德志

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  2023/12/08

  與非研究院 MOS
• Diodes 公司發(fā)表首款碳化硅蕭特基勢(shì)壘二極管 (SBD)
  Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出首款碳化硅 (SiC) 蕭特基勢(shì)壘二極管 (SBD)。產(chǎn)品組合包含 DIODES DSCxxA065 系列，共有十一項(xiàng) 650V 額定電壓 (4A、6A、8A 和 10A) 的產(chǎn)品，以及 DIODES DSCxx120 系列，共有八款 1200V 額定電壓 (2A、5A 和 10A) 產(chǎn)品。 這些寬帶隙 SBD 的優(yōu)點(diǎn)包

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  2023/02/08

  二極管 Diodes
• 在車載市場(chǎng)中擁有豐碩業(yè)績(jī)的小型高效SBD“RBR/RBQ系列”產(chǎn)品
  全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM開發(fā)出小型高效的肖特基勢(shì)壘二極管“RBR系列”共12款產(chǎn)品，“RBQ系列”共12款產(chǎn)品，這些產(chǎn)品非常適用于車載設(shè)備、工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子設(shè)備等各種電路的整流和保護(hù)。

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  2021/08/05

  ROHM 肖特基勢(shì)壘二極管
• 肖特基二極管常見型號(hào)及參數(shù)
  肖特基二極管是一種具有高速、低噪聲和低驅(qū)動(dòng)電壓等特點(diǎn)的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于射頻電路、微波電路、功率放大器等領(lǐng)域。

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  2745

  2020/12/31

  二極管 肖特基二極管

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