SiC SBD

• 采用自主設(shè)計封裝，絕緣電阻顯著提高！
  

  與普通產(chǎn)品相比，可確保約1.3倍的爬電距離。即使是表貼型也無需進(jìn)行樹脂灌封絕緣處理~ 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出引腳間爬電距離*1更長、絕緣電阻更高的表面貼裝型SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）。目前產(chǎn)品陣容中已經(jīng)擁有適用于車載充電器（OBC）等車載設(shè)備應(yīng)用的“SCS2xxxNHR”8款機型。計劃2024年12月再發(fā)售8款適用于FA設(shè)備和光伏逆變器等工業(yè)設(shè)備

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  11/12 08:57

  ROHM 肖特基二極管
• 湖南三安SiC SBD累計出貨量突破2億顆
  

  1月24-26日，湖南三安攜8英寸碳化硅（SiC）晶碇、襯底、外延，車規(guī)級SiC二極管、MOSFET產(chǎn)品，以及多場景應(yīng)用解決方案亮相第38屆日本國際電子展NEPCON JAPAN 2024。

  化合物半導(dǎo)體市場

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  01/30 09:30

  SiC 碳化硅
• 功率器件，2024年的機會在哪里？
  

  2023年對整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說并不輕松。根據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)，2023年半導(dǎo)體元器件行業(yè)市場規(guī)模為5201億美元，下跌9.4%，在所有元器件細(xì)分品類中，以功率器件為代表的分立器件是去年唯一正增長的，全年預(yù)計增長5.8%。 作為電能轉(zhuǎn)化和電路控制的核心器件，功率器件下游應(yīng)用十分廣泛，按照下游應(yīng)用劃分，汽車領(lǐng)域占比達(dá)40%，其次是工業(yè)占比27%，消費電子占13%，其他領(lǐng)域（如通訊、計算機等領(lǐng)域）占20%

  史德志

  7035

  01/11 14:15

  GaN 氮化鎵

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