VLSI2023論文情況分析

2023年6月11-16日，2023 Symposium on VLSI Technology and Circuits在日本召開(kāi)，來(lái)自世界各地產(chǎn)業(yè)和學(xué)術(shù)界的工程師和科學(xué)家，討論了超大規(guī)模集成電路制造和設(shè)計(jì)中的挑戰(zhàn)。

英特爾在第一個(gè)開(kāi)場(chǎng)的Technology組報(bào)告中，介紹 了背面供電網(wǎng)絡(luò)技術(shù)（PowerVia）的信息。英特爾認(rèn)為這是公司重回正軌的證據(jù)，從而為英特爾提供了超越公司急需的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的機(jī)會(huì)。

三星發(fā)表了“全球首個(gè)采用新型 MBCFET 技術(shù)的 GAA 3nm 工藝（SF3）”，據(jù)稱，SF3 相較 4nm FinFET 平臺(tái)實(shí)現(xiàn)了 22% 頻率提升、34% 能效改進(jìn)、21% 面積微縮（PPA） 。

東京電子（TEL）宣布，其等離子體蝕刻系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)和制造基地已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種創(chuàng)新的通孔蝕刻技術(shù)，可以用于堆疊超過(guò)400層的先進(jìn)3D NAND Flash閃存芯片。開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)的新工藝首次將電介質(zhì)蝕刻應(yīng)用帶入低溫范圍，從而打造了一個(gè)具有極高蝕刻率的系統(tǒng)。該技術(shù)不僅能在短短33分鐘內(nèi)完成10微米深度的高縱橫比蝕刻，縮減了耗時(shí)，而且蝕刻結(jié)構(gòu)的幾何形狀相當(dāng)明顯，也有助于制造更高容量的3D NAND閃存芯片。

當(dāng)然來(lái)自中國(guó)的vivo第一次參加VLSI 2023會(huì)議，在先進(jìn)圖像傳感器技術(shù)分會(huì)場(chǎng)中，?羅軼博士分享了全新的自適應(yīng)DCG-HDR(雙轉(zhuǎn)換增益高動(dòng)態(tài)范圍)技術(shù)，引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。

根據(jù)來(lái)自大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)的數(shù)據(jù)，本次大會(huì)共收到投稿632篇，錄用212篇論文；其中Technology投稿273篇，錄用89篇；Circuits 收到投稿359篇投稿，錄用123篇。本次會(huì)議收到20篇Late News，Technology組有9篇，未錄用；Circuits組有11篇，錄用1篇。另外還有12篇受邀報(bào)告。

(感謝東南大學(xué)司鑫教授提供的現(xiàn)場(chǎng)照片)

由于大會(huì)論文Program中，除了Circuits和Technology外，還有CFS、TFS和JFS，為便于統(tǒng)計(jì)，現(xiàn)將CFS計(jì)入Circuits，TFS和JFS計(jì)入Technology(如有不當(dāng)，請(qǐng)了解情況的老師批評(píng)指正)。以下所有數(shù)據(jù)都按第一作者所在單位進(jìn)行統(tǒng)計(jì)。

2023年Technology論文錄用超過(guò)3篇的機(jī)構(gòu)有imec(10篇)、新加坡國(guó)立大學(xué)(10篇)、三星(8篇)、臺(tái)積電(5篇)、SK海士力(4篇)、韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院(4篇)、中國(guó)臺(tái)灣大學(xué)(4篇)、普渡大學(xué)(3篇)、斯坦福大學(xué)(3篇) 、英特爾(3篇)。

2023年，Circuits論文錄用超過(guò)3篇的機(jī)構(gòu)有韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院(9篇)、三星(7篇)、新加坡國(guó)立大學(xué)(6篇)、密歇根大學(xué)(5篇)、代爾夫特理工大學(xué)(4篇)、東京工業(yè)大學(xué)(4篇)、浦項(xiàng)工業(yè)大學(xué)(4篇)、清華大學(xué)(4篇)、臺(tái)積電(4篇)、中國(guó)臺(tái)灣大學(xué)(4篇)、聯(lián)發(fā)科(3篇)、蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院(3篇)、索尼(3篇) 、英特爾(3篇)。

根據(jù)對(duì)第一作者所在單位的統(tǒng)計(jì)，合計(jì)Technology和Circuits論文，論文錄用超過(guò)5篇的機(jī)構(gòu)有新加坡國(guó)立大學(xué)(16篇)、三星(15篇)、韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院(13篇)、imec(11篇)、臺(tái)積電(9篇)、中國(guó)臺(tái)灣大學(xué)(8篇)、浦項(xiàng)工業(yè)大學(xué)(6篇) 、英特爾(6篇)、東京工業(yè)大學(xué)(5篇)、密歇根大學(xué)(5篇)、清華大學(xué)(5篇)、索尼(5篇)。

根據(jù)對(duì)第一作者所在單位的統(tǒng)計(jì)，從產(chǎn)業(yè)界來(lái)看，共有23家公司63篇，前五名是韓國(guó)三星15篇，臺(tái)積電9篇，英特爾6篇，索尼5篇，SK海力士4篇。

根據(jù)對(duì)第一作者所在單位的統(tǒng)計(jì)，從研究機(jī)構(gòu)來(lái)看，共有7家機(jī)構(gòu)20篇，imec以11篇居第一；中科院微電子所2篇與日本兩機(jī)構(gòu)并列第二；中科院半導(dǎo)體所有1篇。

臺(tái)積電、三星和imec都擁有最先進(jìn)的設(shè)施和優(yōu)秀的研發(fā)人員，并正在推動(dòng)與世界各地半導(dǎo)體相關(guān)合作伙伴的聯(lián)合研究，論文錄用數(shù)量位居前列不奇怪。

根據(jù)對(duì)第一作者所在單位的統(tǒng)計(jì)，從高校來(lái)看，共有47所高校130篇，新加坡國(guó)立大學(xué)以16篇排名第一，韓國(guó)KAIST以13篇排名第二，中國(guó)臺(tái)灣大學(xué)8篇第三，浦項(xiàng)工業(yè)大學(xué)6篇排第四，清華大學(xué)、密歇根大學(xué)、東京工業(yè)大學(xué)各以5篇并列第五。

但令人驚訝的是，新加坡國(guó)立大學(xué)(16篇)、韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院(13篇)作為大學(xué)，2023年何以能錄用如此多的論文？

2023年新加坡國(guó)立大學(xué)論文總錄用數(shù)量16篇，Technology和Circuits論文錄用數(shù)量都位居前三，論文總錄用數(shù)量不但力壓三星、臺(tái)積電、imec等強(qiáng)手。

新加坡國(guó)立大學(xué)(NUS)2014年才1篇入選，2015年0篇，2016年1篇，但自2020年以來(lái)，新加坡國(guó)立大學(xué)的錄用論文數(shù)一直在保持增長(zhǎng)，到2022年Technology達(dá)到8篇，力壓臺(tái)積電（7篇）和三星（4篇），僅次于imec；到2023年Technology達(dá)到10篇，再次力壓三星（8篇）和臺(tái)積電（5篇）,?且與imec并列第一；而2023年Circuits論文也以6篇位居第三。

用灌水恐怕不足以解釋新加坡國(guó)立大學(xué)的高產(chǎn)！

三星、韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院、浦項(xiàng)工業(yè)大學(xué)和SK海士力等韓國(guó)機(jī)構(gòu)錄用論文總數(shù)排名靠前，分別以15篇、13篇、6篇、4篇位居第二、第三、第七、第十三名。但是韓國(guó)成立較早的三所大學(xué)首爾大學(xué)、高麗大學(xué)、延世大學(xué)，卻總共只有3篇入選。

日本雖然東京工業(yè)大學(xué)和索尼各有5篇入選，鎧俠有3篇入選；但日本機(jī)構(gòu)主要偏于Circuits論文，共有8篇入選。

2023年中國(guó)內(nèi)地共有15篇入選，分屬北京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、華東師范大學(xué)、南方科技大學(xué)、清華大學(xué)、中國(guó)科技大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所、中國(guó)科學(xué)院微電子所、VIVO、西安紫光國(guó)芯等10家機(jī)構(gòu)，其中清華大學(xué)5篇，中國(guó)科學(xué)院微電子所2篇，其他機(jī)構(gòu)各1篇。

相比較IEDM和ISSCC兩大會(huì)議的論文情況，中國(guó)內(nèi)地在VLSI會(huì)議上的論文發(fā)表數(shù)少得可憐。根據(jù)主委會(huì)的數(shù)據(jù)，中國(guó)內(nèi)地投稿數(shù)數(shù)量為130篇，僅次于韓國(guó)的131篇。其中Technology級(jí)投稿57篇，入選5篇，接收率只有8.8%；Circuits組投稿73篇，接收10篇，接收率13.7%。

究其原因，VLSI分Technology（器件）和Tircuit（電路），分別僅次于IEDM（器件）和ISSCC（電路）。而且VLSI的會(huì)議時(shí)間點(diǎn)非常尷尬，位于IEDM和ISSCC的中間時(shí)段，國(guó)內(nèi)各大機(jī)構(gòu)都在卷IEDM和ISSCC，所以留給VLSI的論文稿質(zhì)量就可想而知了。