2023年6月11-16日,2023 Symposium on VLSI Technology and Circuits在日本召開,來自世界各地產(chǎn)業(yè)和學(xué)術(shù)界的工程師和科學(xué)家,討論了超大規(guī)模集成電路制造和設(shè)計(jì)中的挑戰(zhàn)。
英特爾在第一個(gè)開場(chǎng)的Technology組報(bào)告中,介紹 了背面供電網(wǎng)絡(luò)技術(shù)(PowerVia)的信息。英特爾認(rèn)為這是公司重回正軌的證據(jù),從而為英特爾提供了超越公司急需的競(jìng)爭優(yōu)勢(shì)的機(jī)會(huì)。
三星發(fā)表了“全球首個(gè)采用新型 MBCFET 技術(shù)的 GAA 3nm 工藝(SF3)”,據(jù)稱,SF3 相較 4nm FinFET 平臺(tái)實(shí)現(xiàn)了 22% 頻率提升、34% 能效改進(jìn)、21% 面積微縮(PPA) 。
東京電子(TEL)宣布,其等離子體蝕刻系統(tǒng)的開發(fā)和制造基地已經(jīng)開發(fā)出一種創(chuàng)新的通孔蝕刻技術(shù),可以用于堆疊超過400層的先進(jìn)3D NAND Flash閃存芯片。開發(fā)團(tuán)隊(duì)的新工藝首次將電介質(zhì)蝕刻應(yīng)用帶入低溫范圍,從而打造了一個(gè)具有極高蝕刻率的系統(tǒng)。該技術(shù)不僅能在短短33分鐘內(nèi)完成10微米深度的高縱橫比蝕刻,縮減了耗時(shí),而且蝕刻結(jié)構(gòu)的幾何形狀相當(dāng)明顯,也有助于制造更高容量的3D NAND閃存芯片。
當(dāng)然來自中國的vivo第一次參加VLSI 2023會(huì)議,在先進(jìn)圖像傳感器技術(shù)分會(huì)場(chǎng)中,?羅軼博士分享了全新的自適應(yīng)DCG-HDR(雙轉(zhuǎn)換增益高動(dòng)態(tài)范圍)技術(shù),引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。
根據(jù)來自大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)的數(shù)據(jù),本次大會(huì)共收到投稿632篇,錄用212篇論文;其中Technology投稿273篇,錄用89篇;Circuits 收到投稿359篇投稿,錄用123篇。本次會(huì)議收到20篇Late News,Technology組有9篇,未錄用;Circuits組有11篇,錄用1篇。另外還有12篇受邀報(bào)告。
(感謝東南大學(xué)司鑫教授提供的現(xiàn)場(chǎng)照片)
由于大會(huì)論文Program中,除了Circuits和Technology外,還有CFS、TFS和JFS,為便于統(tǒng)計(jì),現(xiàn)將CFS計(jì)入Circuits,TFS和JFS計(jì)入Technology(如有不當(dāng),請(qǐng)了解情況的老師批評(píng)指正)。以下所有數(shù)據(jù)都按第一作者所在單位進(jìn)行統(tǒng)計(jì)。
2023年Technology論文錄用超過3篇的機(jī)構(gòu)有imec(10篇)、新加坡國立大學(xué)(10篇)、三星(8篇)、臺(tái)積電(5篇)、SK海士力(4篇)、韓國科學(xué)技術(shù)院(4篇)、中國臺(tái)灣大學(xué)(4篇)、普渡大學(xué)(3篇)、斯坦福大學(xué)(3篇) 、英特爾(3篇)。
2023年,Circuits論文錄用超過3篇的機(jī)構(gòu)有韓國科學(xué)技術(shù)院(9篇)、三星(7篇)、新加坡國立大學(xué)(6篇)、密歇根大學(xué)(5篇)、代爾夫特理工大學(xué)(4篇)、東京工業(yè)大學(xué)(4篇)、浦項(xiàng)工業(yè)大學(xué)(4篇)、清華大學(xué)(4篇)、臺(tái)積電(4篇)、中國臺(tái)灣大學(xué)(4篇)、聯(lián)發(fā)科(3篇)、蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院(3篇)、索尼(3篇) 、英特爾(3篇)。
根據(jù)對(duì)第一作者所在單位的統(tǒng)計(jì),合計(jì)Technology和Circuits論文,論文錄用超過5篇的機(jī)構(gòu)有新加坡國立大學(xué)(16篇)、三星(15篇)、韓國科學(xué)技術(shù)院(13篇)、imec(11篇)、臺(tái)積電(9篇)、中國臺(tái)灣大學(xué)(8篇)、浦項(xiàng)工業(yè)大學(xué)(6篇) 、英特爾(6篇)、東京工業(yè)大學(xué)(5篇)、密歇根大學(xué)(5篇)、清華大學(xué)(5篇)、索尼(5篇)。
根據(jù)對(duì)第一作者所在單位的統(tǒng)計(jì),從產(chǎn)業(yè)界來看,共有23家公司63篇,前五名是韓國三星15篇,臺(tái)積電9篇,英特爾6篇,索尼5篇,SK海力士4篇。
根據(jù)對(duì)第一作者所在單位的統(tǒng)計(jì),從研究機(jī)構(gòu)來看,共有7家機(jī)構(gòu)20篇,imec以11篇居第一;中科院微電子所2篇與日本兩機(jī)構(gòu)并列第二;中科院半導(dǎo)體所有1篇。
臺(tái)積電、三星和imec都擁有最先進(jìn)的設(shè)施和優(yōu)秀的研發(fā)人員,并正在推動(dòng)與世界各地半導(dǎo)體相關(guān)合作伙伴的聯(lián)合研究,論文錄用數(shù)量位居前列不奇怪。
根據(jù)對(duì)第一作者所在單位的統(tǒng)計(jì),從高校來看,共有47所高校130篇,新加坡國立大學(xué)以16篇排名第一,韓國KAIST以13篇排名第二,中國臺(tái)灣大學(xué)8篇第三,浦項(xiàng)工業(yè)大學(xué)6篇排第四,清華大學(xué)、密歇根大學(xué)、東京工業(yè)大學(xué)各以5篇并列第五。
但令人驚訝的是,新加坡國立大學(xué)(16篇)、韓國科學(xué)技術(shù)院(13篇)作為大學(xué),2023年何以能錄用如此多的論文?
2023年新加坡國立大學(xué)論文總錄用數(shù)量16篇,Technology和Circuits論文錄用數(shù)量都位居前三,論文總錄用數(shù)量不但力壓三星、臺(tái)積電、imec等強(qiáng)手。
新加坡國立大學(xué)(NUS)2014年才1篇入選,2015年0篇,2016年1篇,但自2020年以來,新加坡國立大學(xué)的錄用論文數(shù)一直在保持增長,到2022年Technology達(dá)到8篇,力壓臺(tái)積電(7篇)和三星(4篇),僅次于imec;到2023年Technology達(dá)到10篇,再次力壓三星(8篇)和臺(tái)積電(5篇),?且與imec并列第一;而2023年Circuits論文也以6篇位居第三。
用灌水恐怕不足以解釋新加坡國立大學(xué)的高產(chǎn)!
三星、韓國科學(xué)技術(shù)院、浦項(xiàng)工業(yè)大學(xué)和SK海士力等韓國機(jī)構(gòu)錄用論文總數(shù)排名靠前,分別以15篇、13篇、6篇、4篇位居第二、第三、第七、第十三名。但是韓國成立較早的三所大學(xué)首爾大學(xué)、高麗大學(xué)、延世大學(xué),卻總共只有3篇入選。
日本雖然東京工業(yè)大學(xué)和索尼各有5篇入選,鎧俠有3篇入選;但日本機(jī)構(gòu)主要偏于Circuits論文,共有8篇入選。
2023年中國內(nèi)地共有15篇入選,分屬北京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、華東師范大學(xué)、南方科技大學(xué)、清華大學(xué)、中國科技大學(xué)、中國科學(xué)院半導(dǎo)體所、中國科學(xué)院微電子所、VIVO、西安紫光國芯等10家機(jī)構(gòu),其中清華大學(xué)5篇,中國科學(xué)院微電子所2篇,其他機(jī)構(gòu)各1篇。
相比較IEDM和ISSCC兩大會(huì)議的論文情況,中國內(nèi)地在VLSI會(huì)議上的論文發(fā)表數(shù)少得可憐。根據(jù)主委會(huì)的數(shù)據(jù),中國內(nèi)地投稿數(shù)數(shù)量為130篇,僅次于韓國的131篇。其中Technology級(jí)投稿57篇,入選5篇,接收率只有8.8%;Circuits組投稿73篇,接收10篇,接收率13.7%。
究其原因,VLSI分Technology(器件)和Tircuit(電路),分別僅次于IEDM(器件)和ISSCC(電路)。而且VLSI的會(huì)議時(shí)間點(diǎn)非常尷尬,位于IEDM和ISSCC的中間時(shí)段,國內(nèi)各大機(jī)構(gòu)都在卷IEDM和ISSCC,所以留給VLSI的論文稿質(zhì)量就可想而知了。