長江存儲“亮劍”：在美起訴美光侵犯其8項3D NAND專利！

11月11日消息，芯智訊通過美國加州北區(qū)地方法院最新公布的信息了解到，中國3D NAND閃存制造商——長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）已于11月9日在美國加州北區(qū)地方法院對美國美光科技公司（MICRON）和美光消費類產(chǎn)品事業(yè)部（MICRON CONSUMER PRODUCTS GROUP, LLC）（以下統(tǒng)稱“美光”）提起訴訟，指控美光侵犯了其8項與3D NAND相關(guān)的美國專利。

據(jù)悉，本次涉案的長江存儲的美國專利包括：US10,950,623（3D NAND存儲器件及其形成方法）、US11,501,822（非易失性存儲裝置及控制方法）、US10,658,378（三維存儲器件的直通陣列接觸 (TAC)）、US10,937,806 （三維存儲器件的直通陣列接觸 (TAC)）、US10,861,872（三維存儲器件及其形成方法） 、US11,468,957（NAND存儲器操作的體系結(jié)構(gòu)和方法）、US11,600,342（三維閃存的讀取方法）、US10,868,031（多層堆疊三維存儲器件及其制造方法）。

長江存儲在起訴書中稱，美光的128層、176層等諸多系列3D NAND侵犯了長江存儲上訴8項專利。美光在未經(jīng)授權(quán)的情況下利用長江存儲的專利技術(shù)來與長江存儲進行競爭，保護其市場份額，侵犯了長江存儲的利益，遏制了其創(chuàng)新的動力。

長江存儲表示，目前其已經(jīng)是全球3D NAND市場的領(lǐng)導(dǎo)者。2022年11月，半導(dǎo)體研究機構(gòu)TechInsights在一項分析后得出的結(jié)論：“長江存儲所取得的成就令人驚嘆，現(xiàn)在是3D NAND 閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者”，“一舉超越了美光”。

特別值得一提的是，近年來，隨著3D NAND技術(shù)堆疊到128層甚至更高，外圍CMOS電路所占據(jù)的芯片面積或?qū)⑦_到50%以上。為了解決這一問題，長江存儲在2018年推出了自研的創(chuàng)新的Xtacking技術(shù)。

Xtacking是通過將兩塊獨立的晶圓分別制造NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路，然后將CMOS邏輯電路堆疊在NAND陣列之上，二者之間的垂直連接則需要相應(yīng)的鍵合技術(shù)來實現(xiàn)，形成間距為10μm 及以下的互連，且不會影響 I/O 性能。另外，由于兩種類型的芯片可以在不同的生產(chǎn)線上制造，因此可以使用各自優(yōu)化的工藝節(jié)點分別生產(chǎn)，不僅可以縮短生產(chǎn)周期，還可以降低制造復(fù)雜度和成本。此外，該技術(shù)也使得每平方毫米的存儲密度、性能和可擴展性可以進一步提高。目前長江存儲的Xtacking技術(shù)已經(jīng)進展到了3.0版本。

資料顯示，長江存儲科成立于2016年7月，總部位于“江城”武漢， 是一家專注于3D NAND閃存設(shè)計制造一體化的IDM集成電路企業(yè)，同時也提供完整的存儲器解決方案。

2017年10月，長江存儲通過自主研發(fā)和國際合作相結(jié)合的方式，成功設(shè)計制造了中國首款3D NAND閃存。2019年9月，搭載長江存儲自主創(chuàng)新 Xtacking? 架構(gòu)的第二代TLC 3D NAND閃存正式量產(chǎn)。2020年4月，長江存儲宣布第三代TLC/QLC兩款產(chǎn)品研發(fā)成功，其中X2-6070型號作為首款第三代QLC閃存，擁有發(fā)布之時*業(yè)界*最高的I/O速度，最高的存儲密度和最高的單顆容量。

截至目前長江存儲已在武漢、北京等地設(shè)有研發(fā)中心，全球共有員工8000余人，其中研發(fā)工程技術(shù)人員6000余人。

作為國內(nèi)最大的3D NAND制造廠商，長江存儲經(jīng)過多年的發(fā)展，目前在技術(shù)上已經(jīng)達到了三星、SK海力士、美光等一線NAND技術(shù)廠商的水平，并且憑借創(chuàng)新的Xtacking架構(gòu)實現(xiàn)了存儲密度上的領(lǐng)先。不過，自去年以來，由于受到美方的打壓，無法獲取先進的美日荷設(shè)備，產(chǎn)能擴張受到了限制。

此次，長江存儲通過對美國存儲芯片大廠美光發(fā)起專利訴訟，維護自身權(quán)益，不僅反應(yīng)了自身技術(shù)的領(lǐng)先性，也體現(xiàn)了國內(nèi)受制企業(yè)敢于“亮劍”的精神。

編輯：芯智訊-浪客劍