如何測試MOSFET(找出壞的MOSFET)
介紹:
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)晶體管是一種廣泛用于電子設(shè)備中開關(guān)和放大電子信號(hào)的半導(dǎo)體器件。
MOSFET 是一種四端子器件,具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子。MOSFET 的主體經(jīng)常連接到源極端子,因此使其成為類似于場效應(yīng)晶體管的三端器件。
以下是如何判斷 MOSFET 是否有缺陷的指南。這些是可用于檢查 MOSFET 是否有缺陷的最常用技術(shù)。
方法#1:
A
1.首先打開數(shù)字萬用表并選擇“連續(xù)性”模式,測試電路的完整性。
2.將測試引線連接至 MOSFET 端子。將測試引線保持在 (A) 連接處連接幾秒鐘。
3.如果萬用表蜂鳴器亮起,則MOSFET 處于不良(損壞)狀態(tài)。
B
1.將測試線連接至 MOSFET 端子。將測試引線保持在 (B) 連接狀態(tài)幾秒鐘。
2.如果萬用表蜂鳴器熄滅,則MOSFET 狀況良好。
方法#2:
N 型 MOSFET:
1.連接(C)完成后,按下開關(guān)(LED ON Switch)——如果LED亮起,則IGBT是好的。否則,LED 不亮,IGBT 壞。
2.當(dāng)您按下開關(guān)(LED OFF 開關(guān))時(shí) - 如果 LED 熄滅,則 IGBT 良好。否則就是IGBT壞了。
P 型 MOSFET:
1.連接(E)完成后,按下開關(guān)(LED ON Switch) - 如果LED熄滅,則IGBT良好。否則,LED 亮,IGBT 壞。
2.當(dāng)您按下開關(guān)(LED 關(guān)閉開關(guān))時(shí) - 如果 LED 亮起,則 IGBT 良好。否則就是IGBT壞了。