W25QXX FLASH介紹

FLASH在嵌入式開發(fā)是很常用的一種芯片。它是存儲芯片的一種，通過特定的程序可以修改里面的數(shù)據(jù)。FLASH在電子以及半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)往往表示Flash Memory的意思，即平時所說的“閃存”，全名叫Flash EEPROM Memory。

FLASH存儲器又稱閃存，它結(jié)合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的性能，還可以快速讀取數(shù)據(jù)（NVRAM的優(yōu)勢），使數(shù)據(jù)不會因為斷電而丟失。

1 W25QXX簡介

W25QX系列是串行閃存器件。擦寫周期多達10W次，可將數(shù)據(jù)保存達20年之久，支持2.7~3.6V的電壓，支持標準的SPI，還支持雙輸出/四輸出的SPI，最大SPI時鐘可達80Mhz。

FLASH芯片的內(nèi)存空間一般都是由多個塊組成，而塊又是由扇區(qū)組成。

例如W25Q64就是將8M字節(jié)的容量分為了128個塊，每個塊大小為64K字節(jié)，每個塊又可分為16個扇區(qū)，每個扇區(qū)4K個字節(jié)。

25Q系列的FLASH最小擦除單位為一個扇區(qū)，也就是每次必須擦除4K個字節(jié)。所以，這需要給FLASH開辟一個至少4K的緩存區(qū)，這樣必須要求芯片有4K以上的SRAM才能有很好的操作。

2 硬件參數(shù)

硬件參數(shù)比較多，我只挑一些常用的介紹一下，更詳細的介紹可以查閱芯片手冊。

注：IO0和IO1用在標準和雙路SPI模式，IO0到IO3用在四路SPI模式下。如果IO2和IO3不使用，可以硬件拉高。

3 寄存器介紹

我這里只列舉部分跟軟件編程相關(guān)的常用寄存器，更詳細的介紹可以查閱芯片手冊。。

4 編程相關(guān)

當我們要使用MCU來讀寫flash芯片的時候，需要用到spi通訊，這里面有幾個比較容易踩的坑。

1、WP和HOLD引腳

如果使用標準4線spi通訊，要注意WP和HOLD引腳的狀態(tài)，WP拉低時不能寫入數(shù)據(jù)，HOLD拉低時，DO將處于高阻抗，DI和CLK針上的信號將被忽略。因此，如果不使用4路spi的話，WP和HOLD引腳可以直接通過硬件拉高，也可以通過MCU的GPIO拉高。否則，懸空或者拉低都會影響數(shù)據(jù)的寫入。

2、連續(xù)寫入時需要注意分區(qū)

flash一次最大可編輯256字節(jié)。flash內(nèi)存可以分成多個頁，每頁256個字節(jié)，我們在使用spi寫入flash時最多只能一次寫入一頁數(shù)據(jù)，并且不能跨頁寫入。因此，當我們需要連續(xù)寫入超過一頁數(shù)據(jù)時，需要注意把spi通訊分成多次。同樣的，寫入時也不能跨扇區(qū)寫入。

3、flash寫入前需要先擦除

flash寫入時是按bit操作的，只能把1改成0，只有擦除才能把0變成1，因此，如果不擦除直接寫入的話就會變成或運算，最終存儲的數(shù)據(jù)可能跟寫入的數(shù)據(jù)不一致。

4、擦除的最小單位是扇區(qū)（4K字節(jié)）

flash不能只單獨擦除某一個寄存器，最少也是4096字節(jié)。如果某一個扇區(qū)原本保存了一些重要數(shù)據(jù)，然后你又需要從這個扇區(qū)的中間位置添加一些新的數(shù)據(jù)，這個時候需要注意在擦除前要先把原有保存的數(shù)據(jù)讀出來，擦除后再把舊的數(shù)據(jù)和新的數(shù)據(jù)寫進去，不然直接擦除的話會把原有的數(shù)據(jù)擦掉。

結(jié)束語

好了，關(guān)于W25QXX系列FLASH的介紹就講到這里了，因為關(guān)于這個芯片的資料網(wǎng)上有很多講解教程，因此本文只是挑了一些重點來講，更詳細的內(nèi)容可以查閱相關(guān)的資料，如果有哪里不懂又找不到的話也可以在評論區(qū)留言或者私信給我。