近日,三星在美國加州圣何塞舉行的三星晶圓代工論壇(SFF)上表示,在過去一年中,三星代工的AI需求相關(guān)銷售額增長(zhǎng)了80%,預(yù)計(jì)到2028年,其AI芯片代工客戶數(shù)量將比2023年增加4倍,代工銷售額將比2023年增加9倍。三星還公布了其最新的工藝技術(shù)路線圖,包括兩個(gè)新的工藝節(jié)點(diǎn)—SF2Z和SF4U,并且將為其代工客戶提供全面的“一站式”人工智能解決方案。
據(jù)了解,三星此次發(fā)布的最新2nm工藝節(jié)點(diǎn)SF2Z采用了優(yōu)化的背面供電網(wǎng)絡(luò)(BSPDN)技術(shù),將電源軌置于晶圓背面,以降低供電電路對(duì)互聯(lián)信號(hào)電路的干擾。與第一代2nm節(jié)點(diǎn)SF2相比,SF2Z在提高功率、性能和面積的同時(shí),還可以降低電壓,從而提高HPC設(shè)計(jì)的性能,該技術(shù)預(yù)計(jì)將于2027年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。此次發(fā)布的另一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)SF4U是一種4nm變體,通過結(jié)合光學(xué)縮小來提供PPA改進(jìn),計(jì)劃于2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
三星還透露了其SF1.4(1.4納米)的準(zhǔn)備工作目前進(jìn)展順利,有望在2027年達(dá)成性能和良率目標(biāo)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。三星還將通過材料和結(jié)構(gòu)創(chuàng)新,積極塑造1.4納米以下的未來工藝技術(shù)。
而三星的兩位老對(duì)手此前也公布了其先進(jìn)制程的路線圖,臺(tái)積電計(jì)劃在2025年推出工藝節(jié)點(diǎn)N2(2nm工藝)。臺(tái)積電表示,N2將是臺(tái)積電首個(gè)使用全柵極(GAA)納米片晶體管的生產(chǎn)節(jié)點(diǎn),這將顯著提高其性能、功耗和面積(PPA)特性。與N3E相比,在N3上生產(chǎn)的半導(dǎo)體可將功耗降低25%~30%,將性能提高10%~15%,并將晶體管密度提高15%。2026年,臺(tái)積電將推出N2P(性能增強(qiáng)型2納米級(jí))和A16(具有背面功率傳輸功能的1.6納米級(jí)),分別針對(duì)智能手機(jī)和高性能計(jì)算應(yīng)用。
英特爾早在2021年就提出了“四年五個(gè)節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃,即四年內(nèi)完成Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A、Intel 18A(可對(duì)應(yīng)7nm~1.8nm工藝)五個(gè)節(jié)點(diǎn)。英特爾首席執(zhí)行官帕特?基辛格表示,英特爾的Intel 20A(2納米)和18A(1.8nm)將如期上市,是業(yè)內(nèi)首批采用PowerVia背面供電技術(shù)的芯片,通過優(yōu)化供電提高性能和晶體管密度。英特爾在今年2月拓展了制程技術(shù)路線圖,新增了Intel 14A(1.4nm工藝)和數(shù)個(gè)專業(yè)節(jié)點(diǎn)的演化版本。三家在先進(jìn)制程上的進(jìn)度可以說是互不相讓。
三星還在會(huì)上強(qiáng)調(diào)了其GAA技術(shù),計(jì)劃在今年下半年量產(chǎn)其第二代3nm工藝(SF3),并在即將推出的2nm工藝上實(shí)現(xiàn)GAA。
在人工智能解決方案方面,三星將于2027年推出一個(gè)整合代工、內(nèi)存和AVP業(yè)務(wù)等各個(gè)業(yè)務(wù)優(yōu)勢(shì)的人工智能平臺(tái)(AI Solution),具備高性能、低功耗和高帶寬等特點(diǎn),還可根據(jù)特定的人工智能需求進(jìn)行定制。
作者丨許子皓編輯丨張心怡美編丨馬利亞監(jiān)制丨連曉東