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在能效至關重要的時代，新唐科技宣布推出全新的 Arm Cortex-M23 M2L31 微控制器系列。為滿足對高效能嵌入式計算需求日益增長的需求，M2L31 系列以其低功耗和高效能脫穎而出，運行速度可達 72MHz，能提供卓越的處理能力。
新唐 NuMicro M2L31 微控制器，采用 Arm Cortex-M23 核心，并配有 64 到 512 Kbytes 的 ReRAM（電阻式內(nèi)存）和 40 到 168 Kbytes 的 SRAM，是一款為可持續(xù)性和優(yōu)異能效設計的低功耗產(chǎn)品。M2L31 系列支持兩個 CAN FD 和兩個 USB Type-C PD 3.0 接口，并優(yōu)先考慮穩(wěn)健的安全功能來保護寶貴的數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)。
低功耗高性能應用的微控制器
NuMicro M2L31 系列對于電池管理、工業(yè)自動化和消費性接口設備等需高能效的應用而言，是一個突破性產(chǎn)品。卓越的低功耗能力顯著提升電池壽命，減少頻繁更換電池的需求。
M2L31 提供三種低功耗模式：正常掉電、待機掉電和深度掉電。這些模式根據(jù)應用需求量身定制，在降低能耗的同時，并確保不影響功能的正常運行。微控制器的典型運行電流在正常模式下僅為 60 μA/MHz，而在深度掉電模式下更是降至 0.5 μA。 其在無需 CPU 干預的情況下，通過低功耗串行接口獨立處理外圍數(shù)據(jù)采集和數(shù)據(jù)處理的能力，為高效能自動化設立了新的標準。
芯片內(nèi)建 ReRAM 優(yōu)于傳統(tǒng)閃存
M2L31 系列超越了傳統(tǒng)的 MCU，整合了基于與臺積電合作開發(fā)的制程技術的 ReRAM。這種新型非揮發(fā)性內(nèi)存透過避免傳統(tǒng)閃存中耗時的「擦除后寫入」過程，加速了寫入操作，同時提供了更低的能耗和更好的耐用性。
過去ReRAM 主要用于 DRAM 或 NAND 閃存市場。隨著新唐科技下一代 M2L31 微控制器的推出，工業(yè)和消費性領域的開發(fā)人員也能享受到 ReRAM 的諸多優(yōu)勢。
廣泛的周邊接口與程序開發(fā)支持
為滿足多樣的設計需求并降低尺寸和成本，M2L31 系列支持廣泛的 I/O 和外圍設備，包括 UART、I2C、SPI/ I2S 和多個 USB 選項，并支持多達 16 通道的電容觸控。多種芯片封裝選項確保了與其他新唐產(chǎn)品的兼容性，滿足大多數(shù)應用需求。
新唐科技致力于為開發(fā)人員提供強大的生態(tài)系統(tǒng)，包括 M2L31 NuMaker 開發(fā)板和 Nu-Link 除錯器。M2L31 系列兼容多種 IDE，如 Keil MDK、IAR EWARM 和 NuEclipse IDE，使用 GNU GCC 編譯程序。還支持多種程序更新方法，如 ISP 和 IAP，簡化系統(tǒng)升級和軟件更新，為開發(fā)人員和使用者提供了最大的靈活性和便利性。
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