知識星球(星球名:芯片制造與封測技術(shù)社區(qū),星球號:63559049)里的學員問:我觀察到晶圓廠中l(wèi)ift off工藝,鍍膜都是用的電子束蒸發(fā)的方式,很少有用磁控濺射的方式,為什么?
電子束蒸發(fā)與磁控濺射的臺階覆蓋性對比
磁控濺射的臺階覆蓋性更好。
電子束蒸發(fā)中,蒸發(fā)物質(zhì)從源頭直接升華并沿直線路徑沉積到晶圓上,它可以避免金屬在掩模側(cè)壁的覆蓋,只在表面進行沉積。而磁控濺射可能會將光刻膠整個膠面與側(cè)壁都包裹在沉積的材料中。在鍍膜結(jié)束后,在進行光刻膠剝離時,去膠液無法與光刻膠接觸反應,導致光刻膠剝離很困難。而用電子束蒸發(fā)鍍膜,則沒有這個問題。
上圖為電子束蒸發(fā)的膜層截面圖。去膠液可以透過縫隙與光刻膠側(cè)壁反應。
上圖為磁控濺射的膜層截面圖,去膠液很難突破側(cè)壁膜層,進行反應。
用磁控濺射方法需要增加哪些工序?
需要增加撕膠工序,將膠面上覆蓋的膜層撕掉,使光刻膠露出,這樣才容易剝離。
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