英飛凌對英諾賽科提起追加訴訟，并向美國國際貿(mào)易委員會起訴

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）于2024年7月23日在美國加利福尼亞北區(qū)地方法院，對英諾賽科（珠海）科技有限公司、英諾賽科美國公司及其關聯(lián)公司（以下簡稱：英諾賽科）在現(xiàn)有訴訟基礎上，追加了新的訴訟請求，指控其侵犯了英飛凌擁有的另外三項與氮化鎵（GaN）技術相關的專利。此外，英飛凌今日還向美國國際貿(mào)易委員會（USITC）起訴，就前述訴訟所涉的四項相同專利提出法律索賠。

英飛凌正在尋求美國專利侵權永久禁令，以保護其擁有的氮化鎵（GaN）技術不受侵犯。這些專利涵蓋了GaN功率半導體的核心技術，包括提高英飛凌專有GaN功率晶體管高性能和可靠性的創(chuàng)新技術。

早在2024年3月14日，英飛凌已在美國加利福尼亞北區(qū)地方法院對英諾賽科提起了專利侵權訴訟，并于2024年6月4日向德國慕尼黑地方法院提起相應訴訟，同時對英諾賽科德國分銷商提起了其他訴訟。此外，英飛凌已成功申請了一項初步禁令（法院指令）：2024年6月12日，慕尼黑地方法院發(fā)布了該禁令，要求英諾賽科在PCIM Europe展位上移除所有侵權產(chǎn)品。

英飛凌擁有超過350個氮化鎵技術專利族，在業(yè)界處于領先地位。隨著2023年10月英飛凌完成對GaN Systems Inc.的收購，其硅基、碳化硅、氮化鎵功率晶體管及其配套驅(qū)動器和控制器產(chǎn)品組合均得到了顯著增強。這次收購不僅豐富了英飛凌的GaN產(chǎn)品系列，還進一步鞏固了其在功率半導體領域的領先地位。