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英飛凌對英諾賽科提起追加訴訟,并向美國國際貿(mào)易委員會起訴

07/29 07:11
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英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)于2024年7月23日在美國加利福尼亞北區(qū)地方法院,對英諾賽科(珠海)科技有限公司、英諾賽科美國公司及其關聯(lián)公司(以下簡稱:英諾賽科)在現(xiàn)有訴訟基礎上,追加了新的訴訟請求,指控其侵犯了英飛凌擁有的另外三項與氮化鎵GaN)技術相關的專利。此外,英飛凌今日還向美國國際貿(mào)易委員會(USITC)起訴,就前述訴訟所涉的四項相同專利提出法律索賠。

英飛凌正在尋求美國專利侵權永久禁令,以保護其擁有的氮化鎵(GaN)技術不受侵犯。這些專利涵蓋了GaN功率半導體的核心技術,包括提高英飛凌專有GaN功率晶體管高性能和可靠性的創(chuàng)新技術。

早在2024年3月14日,英飛凌已在美國加利福尼亞北區(qū)地方法院對英諾賽科提起了專利侵權訴訟,并于2024年6月4日向德國慕尼黑地方法院提起相應訴訟,同時對英諾賽科德國分銷商提起了其他訴訟。此外,英飛凌已成功申請了一項初步禁令(法院指令):2024年6月12日,慕尼黑地方法院發(fā)布了該禁令,要求英諾賽科在PCIM Europe展位上移除所有侵權產(chǎn)品。

英飛凌擁有超過350個氮化鎵技術專利族,在業(yè)界處于領先地位。隨著2023年10月英飛凌完成對GaN Systems Inc.的收購,其硅基、碳化硅、氮化鎵功率晶體管及其配套驅(qū)動器控制器產(chǎn)品組合均得到了顯著增強。這次收購不僅豐富了英飛凌的GaN產(chǎn)品系列,還進一步鞏固了其在功率半導體領域的領先地位。

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