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    • 女科學(xué)家歸國(guó)創(chuàng)業(yè),7年做出一個(gè)世界第一
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200億芯片獨(dú)角獸,闖關(guān)IPO有多難?

08/29 10:45
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作者 | 王藝可,報(bào)道 I 芯潮 IC

又一個(gè)芯片明星獨(dú)角獸奔赴IPO了。

近日,英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“英諾賽科”)向港交所遞交招股書,擬主板IPO上市,中金公司、招銀國(guó)際為其聯(lián)席保薦人。

這是一只來(lái)自第三代半導(dǎo)體賽道的超強(qiáng)獨(dú)角獸。英諾賽科成立于2017年,全球首家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵GaN晶圓的公司,也同時(shí)是全球唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品的公司。今年,英諾賽科完成了E輪融資,投后估值達(dá)235億元,成功躋身超級(jí)獨(dú)角獸行列。

隨著AI熱度居高不下,氮化鎵在功耗處理的優(yōu)勢(shì)得以凸顯,商業(yè)價(jià)值也逐步展現(xiàn)。在英諾賽科開(kāi)啟上市征途的同時(shí),氮化鎵(GaN)賽道的資本動(dòng)作頻頻。除了融資、上市以外,氮化鎵領(lǐng)域的頭部玩家也在開(kāi)展收并購(gòu)動(dòng)作,進(jìn)一步完善自身產(chǎn)業(yè)布局。英諾賽科的IPO之路需要沖破哪些阻礙?氮化鎵熱度將會(huì)出現(xiàn)多久?

女科學(xué)家歸國(guó)創(chuàng)業(yè),7年做出一個(gè)世界第一

這是一位鐵娘子勇闖半導(dǎo)體無(wú)人區(qū)的故事。

駱薇薇畢業(yè)于新西蘭梅西大學(xué),獲得了應(yīng)用數(shù)學(xué)博士學(xué)位。在海外工作期間,她曾在美國(guó)宇航局(NASA)工作15年,從高級(jí)項(xiàng)目經(jīng)理一直干到了首席科學(xué)家。離開(kāi)NASA后,她選擇了創(chuàng)業(yè),先后創(chuàng)辦了兩家以新材料為核心業(yè)務(wù)的公司。

2015年,適逢半導(dǎo)體領(lǐng)域回國(guó)創(chuàng)業(yè)的風(fēng)潮,駱薇薇一下子瞄準(zhǔn)了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展機(jī)遇,便毅然決然回國(guó)組建團(tuán)隊(duì)。2017年,駱薇薇成立英諾賽科半導(dǎo)體有限公司,開(kāi)啟第三段創(chuàng)業(yè)游戲。

在這場(chǎng)“游戲”開(kāi)始之前,駱薇薇便主動(dòng)選擇了超難開(kāi)局。氮化鎵(GaN)是一種具有高頻率和低導(dǎo)通電阻寬帶半導(dǎo)體材料,已成為功率半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)變革的核心。2014年,世界上最早的氮化鎵充電芯片出現(xiàn),讓駱薇薇看到了這個(gè)市場(chǎng)的潛力。

可是,當(dāng)時(shí)的氮化鎵尚且沒(méi)有大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用,很多企業(yè)大多選用6英寸或者4英寸工藝,而駱薇薇卻帶領(lǐng)著英諾賽科選擇8英寸工藝。相較于6英寸硅基氮化鎵晶圓,8英寸的晶圓晶粒產(chǎn)出數(shù)增加80%,單一器件成本降低30%。但不得不承認(rèn),這是一件許多內(nèi)行都不敢做的事情。

在她看來(lái),經(jīng)驗(yàn)不該成為發(fā)展的瓶頸和壁壘?!叭绻X(jué)得它是可行的,你一只來(lái)自第三代半導(dǎo)體賽道的超強(qiáng)獨(dú)角獸的感官和智慧都會(huì)為之敞開(kāi),你會(huì)找到路徑去做。對(duì)于在‘無(wú)人區(qū)’中探索,我好像沒(méi)有那么多的恐懼心理,我會(huì)去判斷這個(gè)事情在執(zhí)行層面的可行性,再根據(jù)邏輯一步一步把它完成?!?/p>

駱薇薇的解題思路很清晰:如果氮化鎵功率電子器件在市場(chǎng)上要進(jìn)行大規(guī)模推廣,需要解決三個(gè)痛點(diǎn):

首先是成本,具備合理的價(jià)格才能被廣泛采用。其次是具備大規(guī)模量產(chǎn)能力,以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)的爆發(fā)。第三,要確保器件供應(yīng)鏈穩(wěn)定,有了穩(wěn)定的貨源供應(yīng),客戶可以全心全意投入產(chǎn)品和系統(tǒng)的開(kāi)發(fā),無(wú)需擔(dān)心因氮化鎵器件供應(yīng)戰(zhàn)略的變化而導(dǎo)致停產(chǎn)。

英諾賽科建設(shè)自主可控的生產(chǎn)線,穩(wěn)定GaN 器件的產(chǎn)能,并全力以赴推廣氮化鎵功率電子器件。目前,英諾賽科擁有珠海及蘇州兩座8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)基地,采用先進(jìn)的生產(chǎn)工藝及最先進(jìn)的8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)設(shè)備。擁有來(lái)自國(guó)際一流半導(dǎo)體企業(yè)的技術(shù)專家和資深人士,保障了產(chǎn)品的質(zhì)量與產(chǎn)能。

同時(shí),英諾賽科加大力度提升氮化鎵功率半導(dǎo)體在多個(gè)下游產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用滲透率,并鞏固在消費(fèi)電子市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。此外,英諾賽科持續(xù)研發(fā)更多元化的產(chǎn)品技術(shù),以滿足客戶多樣化的需求。

一路走來(lái),英諾賽科成為全球首家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓的公司,亦是全球唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品的公司。根據(jù)弗若斯特沙利文的資料,按2023年收入計(jì)算,英諾賽科在全球所有氮化鎵功率半導(dǎo)體公司中排名第一,占氮化鎵功率半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)份額的33.7%。

打破技術(shù)封鎖,英諾賽科帶著全球第一的光環(huán),走向了資本市場(chǎng)。

虧損超30億,他如何做到世界第一

明星獨(dú)角獸沖擊IPO的故事,再也不是爽文劇本,英諾賽科最后能夠走向happy ending的結(jié)局嗎?

英諾賽科勇闖IPO的底氣來(lái)自于哪里?首先,英諾賽科一成立便選用了IDM產(chǎn)業(yè)鏈模式,可以實(shí)現(xiàn)從設(shè)計(jì)、制造到測(cè)試的整個(gè)過(guò)程的自主控制。如今,公司成為全球唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供電壓譜系的硅基氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品的公司,擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)能力。

英諾賽科擁有全球最大的氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)基地,截至2023年12月31日,設(shè)計(jì)產(chǎn)能達(dá)到每月10,000片晶圓。憑借自身量產(chǎn)的能力,英諾賽科得以在全球市場(chǎng)占有一席之地。按氮化鎵分立器件出貨量統(tǒng)計(jì),英諾賽科2023年在全球氮化鎵功率半導(dǎo)體公司中排名第一,市占率達(dá)42.4%。

產(chǎn)能在一定程度上可以與營(yíng)收掛鉤。招股書顯示,2021年、2022年及2023年,英諾賽科實(shí)現(xiàn)收入分別是6821.5萬(wàn)元、1.36億元、5.93億元,呈現(xiàn)持續(xù)倍增態(tài)勢(shì)。

但公司連年虧損也是客觀事實(shí)。招股書顯示,2021—2023年,英諾賽科的凈利潤(rùn)分別虧損了33.99億元、22.05億元、11.02億元,三年合計(jì)凈虧損67.06億元;經(jīng)調(diào)整的凈利潤(rùn)則分別虧損10.81億元、12.77億元、10.16億元,累計(jì)虧損33.74億元。

這應(yīng)該是IDM企業(yè)的通病。IDM半導(dǎo)體企業(yè)是資產(chǎn)密集型發(fā)展模式,前期資本開(kāi)支巨大,盈利周期較長(zhǎng)。英諾賽科的資金除了研發(fā),大多用于工廠建設(shè)、設(shè)備投入等。招股書顯示,英諾賽科報(bào)告期內(nèi)產(chǎn)生的運(yùn)營(yíng)開(kāi)支(包括研發(fā)開(kāi)支、銷售及營(yíng)銷開(kāi)支及行政開(kāi)支)分別為8.69億元、8.5億元及6.86億元,分別占各期總收入的1274.25%、623.94%及115.72%。

不過(guò),IDM模式的優(yōu)勢(shì)可以實(shí)現(xiàn)成本的有效管控,讓英諾賽科能夠以更具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格策略立足市場(chǎng),形成難以復(fù)制的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。從市場(chǎng)環(huán)境和長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展來(lái)看,英諾賽科的高額投入十分重要。

但對(duì)于英諾賽科來(lái)說(shuō),如何證明自身盈利能力十分重要。從潛在市場(chǎng)來(lái)看,英諾賽科需要朝著更為廣闊的市場(chǎng)開(kāi)足馬力。

目前,英諾賽科設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)及制造提供不同封裝選擇的高性能及可靠的氮化鎵分立器件,用于各種低中高壓應(yīng)用場(chǎng)景,產(chǎn)品研發(fā)范圍覆蓋了從15V至1,200V。此外,英諾賽科還開(kāi)發(fā)了旗艦產(chǎn)品雙向氮化鎵芯片V-GaN系列,可應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)應(yīng)用等多個(gè)領(lǐng)域。

消費(fèi)電子領(lǐng)域,英諾賽科已經(jīng)與小米、OPPO、vivo、榮耀、聯(lián)想等廠商建立合作關(guān)系,并開(kāi)始拓展汽車和可再生領(lǐng)域等版圖。英諾賽科于2024年正式推出100V車規(guī)級(jí)氮化鎵器件INN100W135A-Q,已通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證,適用于自動(dòng)駕駛和先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)中的激光雷達(dá)、高功率密度DC-DC轉(zhuǎn)換器以及D類音頻應(yīng)用。隨著新能源汽車等優(yōu)勢(shì)產(chǎn)業(yè)的興起,英諾賽科需要及時(shí)抓住市場(chǎng)機(jī)遇,展現(xiàn)出自身市場(chǎng)的持續(xù)拓展能力。

此外,英諾賽科還要積極走向海外,提升全球影響力。招股書顯示,英諾賽科業(yè)務(wù)過(guò)于依賴國(guó)內(nèi)單一市場(chǎng),海外市場(chǎng)滲透率較低。意識(shí)到這一問(wèn)題后,英諾賽科在硅谷、首爾、比利時(shí)等地設(shè)立子公司。2023年,英諾賽科的海外市場(chǎng)收入從2021年的20萬(wàn)元增長(zhǎng)到5800萬(wàn)元,營(yíng)收占比從2021年的0.3%上升至9.8%。

當(dāng)中國(guó)企業(yè)跑到全球市場(chǎng)廝殺,勢(shì)必會(huì)受到巨頭的反擊。捆綁銷售、專利糾紛都是他們的常用競(jìng)爭(zhēng)手段。招股書顯示,英諾賽科的若干產(chǎn)品潛在知識(shí)產(chǎn)權(quán)侵權(quán),被兩名競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手提出三項(xiàng)訴訟。目前,所有訴訟事項(xiàng)仍處于相對(duì)較早階段。

而這也為英諾賽科沖擊IPO造成了一定阻礙。8月12日,證監(jiān)會(huì)國(guó)際司對(duì)英諾賽科出具補(bǔ)充材料要求,公司知識(shí)產(chǎn)權(quán)相關(guān)未決訴訟情況及進(jìn)展,是否構(gòu)成本次發(fā)行上市實(shí)質(zhì)性法律障礙。

英諾賽科能否順利IPO敲鐘尚且是個(gè)未知數(shù)。但全球?qū)Ω咝堋⒌湍芎陌雽?dǎo)體技術(shù)需求的不斷增長(zhǎng),以英諾賽科為代表的氮化鎵廠商迎來(lái)了前所未有的發(fā)展機(jī)遇。

產(chǎn)能釋放疊加市場(chǎng)增長(zhǎng)并購(gòu)大戰(zhàn)開(kāi)啟

半導(dǎo)體周期的持續(xù)時(shí)長(zhǎng)通常為3-5年,目前正處于第5輪周期的上行期間,誰(shuí)能沖出來(lái)、如何沖出來(lái)都是一個(gè)值得探究的問(wèn)題。

氮化鎵雖然起步不如碳化硅,但增長(zhǎng)勢(shì)頭正酣。根據(jù)QYR(恒州博智)的統(tǒng)計(jì)及預(yù)測(cè),2023年全球氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體器件市場(chǎng)銷售額達(dá)到了12.81億美元,預(yù)計(jì)2030年將達(dá)到54.3億美元,年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)為23.3%(2024-2030)。

與硅及其他半導(dǎo)體材料相比,氮化鎵具有高頻、電子遷移率高、輻射抗性強(qiáng)、導(dǎo)通電阻低、無(wú)反向恢復(fù)損耗等顯著優(yōu)勢(shì),氮化鎵功率半導(dǎo)體芯片能夠有效降低電源的能量損耗,提升能源轉(zhuǎn)換效率,降低系統(tǒng)成本,并實(shí)現(xiàn)更小的設(shè)備尺寸。各種下游應(yīng)用中的發(fā)展趨勢(shì)及當(dāng)前硅材料產(chǎn)品的痛點(diǎn)為氮化鎵功率半導(dǎo)體帶來(lái)巨大增長(zhǎng)潛力。

高頻應(yīng)用中,氮化鎵的性能其實(shí)還是比碳化硅優(yōu)秀,在高溫高壓應(yīng)用,碳化硅優(yōu)于氮化鎵。因此,氮化鎵和碳化硅的實(shí)際應(yīng)用中分工比較明確,互不干涉。于是,氮化鎵基于自身特性,在消費(fèi)電子、新能源汽車、5G通信等領(lǐng)域的市場(chǎng)價(jià)值持續(xù)提升。

目前,氮化鎵下游應(yīng)用還處于導(dǎo)入期,市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)總體呈現(xiàn)分散狀態(tài),尚未形成穩(wěn)定的競(jìng)爭(zhēng)格局。2023年全球前5大氮化鎵功率半導(dǎo)體公司占據(jù)了全球92.8%的市場(chǎng)份額,分別為英諾賽科(Innoscience)、納微半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor)、Wolfspeed、宜普(EPC)和英飛凌Infineon)。

混沌之際,正是英雄出沒(méi)的時(shí)候。因此,勇于突破和創(chuàng)新的企業(yè)可以沖出來(lái),如華潤(rùn)微電子、英諾賽科、三安光電等公司或是靠研發(fā)實(shí)力,或靠量產(chǎn)能力占據(jù)一席之地。巨頭想要收割這波增長(zhǎng)機(jī)遇,則開(kāi)始采用并購(gòu)的手段。

2023年10月,英飛凌科技宣布完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems),并號(hào)稱“成為領(lǐng)先的氮化鎵龍頭企業(yè)”。英飛凌表示,公司和 GaN Systems 在知識(shí)產(chǎn)權(quán)、對(duì)應(yīng)用的深刻理解以及成熟的客戶項(xiàng)目規(guī)劃方面優(yōu)勢(shì)互補(bǔ),這為英飛凌滿足各種快速增長(zhǎng)的應(yīng)用需求創(chuàng)造了極為有利的條件。

2024年7月,瑞薩電子宣布完成對(duì)氮化鎵(GaN)全球領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm的收購(gòu)。隨著收購(gòu)的完成,瑞薩電子將立即開(kāi)始提供基于GaN的功率產(chǎn)品和相關(guān)參考設(shè)計(jì),以滿足對(duì)寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體產(chǎn)品不斷增長(zhǎng)的需求。

在完成對(duì)Transphorm的收購(gòu)的同一天,瑞薩電子推出了15種新的產(chǎn)品組合,這些產(chǎn)品是面向市場(chǎng)的參考設(shè)計(jì),將新的GaN產(chǎn)品與瑞薩電子的嵌入式處理、電源、連接和模擬產(chǎn)品組合相結(jié)合。其中包括Transphorm為車載電池充電器集成的汽車級(jí)氮化鎵技術(shù)的設(shè)計(jì),以及用于電動(dòng)汽車的三合一動(dòng)力總成解決方案。

2024年7月,晶圓代工大廠GlobalFoundries宣布收購(gòu)Tagore Technology的功率GaN技術(shù)及知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合。資料顯示,Tagore Technology成立于2011年1月,專注開(kāi)發(fā)用于射頻(RF)和電源管理應(yīng)用的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)半導(dǎo)體技術(shù)。根據(jù)收購(gòu)協(xié)議,一支來(lái)自Tagore致力于開(kāi)發(fā)GaN技術(shù)且經(jīng)驗(yàn)豐富的工程師團(tuán)隊(duì)將加入GlobalFoundries。GlobalFoundries首席商務(wù)官Niels Anderskouv表示:“通過(guò)此次收購(gòu),GlobalFoundries向加速GaN的普及邁出了又一步,并能幫助我們的客戶構(gòu)建下一代電源管理解決方案,這些方案將重塑移動(dòng)性、連接性和智能化的未來(lái)?!?/p>

一筆筆并購(gòu)傳遞出一個(gè)信號(hào):GaN行業(yè)的IDM模式將會(huì)成為未來(lái)趨勢(shì)。譬如,并購(gòu)方英飛凌、瑞薩電子都是IDM企業(yè),而代工模式的Power Integrations通過(guò)收購(gòu)IDM Odyssey Semiconductor擁有了氮化鎵晶圓廠

而在國(guó)內(nèi),中國(guó)氮化鎵企業(yè)開(kāi)始不斷完善自身氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈,力圖完成從襯底到外延到功率器件、射頻器件、光電器件的全覆蓋。

面對(duì)需求興起帶來(lái)的商機(jī),GaN廠商顯然也在采取行動(dòng),通過(guò)各種技術(shù)路線抓住機(jī)會(huì),滿足市場(chǎng)需求。譬如,三安光電、英諾賽科已實(shí)現(xiàn)了氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈的全覆蓋,而蘇州能訊、華潤(rùn)微電子也開(kāi)始向上游拓展。

面對(duì)AI、新能源汽車需求興起帶來(lái)的商機(jī),國(guó)內(nèi)外GaN廠商對(duì)內(nèi)精進(jìn)科研實(shí)力,布局各種技術(shù)路線抓住機(jī)會(huì),對(duì)外上下兼并、補(bǔ)充自身實(shí)力,滿足市場(chǎng)需求。氮化鎵未來(lái)無(wú)疑將成為推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量,中國(guó)企業(yè)能否借機(jī)走向全球,未來(lái)可期。

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