Aigtek功率放大器如何幫助制備(1~100nm)級的納米薄膜

　　納米薄膜材料，是納米材料在二維空間內(nèi)的應(yīng)用材料，是納米晶粒在二維平面內(nèi)按照一定的排列方式粘合，晶粒分子之間的間隙及其小的的薄膜，具有薄層致密和晶粒納米級的特點。目前行業(yè)內(nèi)已經(jīng)探索出可以應(yīng)用在表層防護(hù)材料、平面顯示器、超導(dǎo)材料、氣體催化材料、過濾器材料、光敏材料、高密度的磁性記錄材料。那么功率放大器可以幫助制備(1~100nm)級的納米薄膜嗎？

　　首先，我們來聊一聊納米薄膜材料的性質(zhì)：

　　1.藍(lán)移和寬化

　　納米顆粒膜，特別是Ⅱ—Ⅵ族半導(dǎo)體CdSxSe1-x。以及Ⅲ-V族半導(dǎo)體CaAs的顆粒膜，都觀察到光吸收帶邊的藍(lán)移和帶的寬化現(xiàn)象。有人在CdSxSe1-x／玻璃的顆粒膜上觀察到光的“退色現(xiàn)象”，即在一定波長光的照射下，吸收帶強(qiáng)度發(fā)生變化的現(xiàn)象。

　　2.光的線性與非線性

　　光學(xué)線性效應(yīng)是指介質(zhì)在光波場（紅外、可見、紫外以及X射線）作用下，當(dāng)光強(qiáng)較弱時，介質(zhì)的電極化強(qiáng)度與光波電場的一次方成正比的現(xiàn)象。

　　3.電學(xué)特性

　　納米薄膜的電學(xué)性質(zhì)是當(dāng)前納米材料科學(xué)研究中的熱點，這是因為，研究納米薄膜的電學(xué)性質(zhì)，可以搞清導(dǎo)體向絕緣體的轉(zhuǎn)變，以及絕緣體轉(zhuǎn)變的尺寸限域效應(yīng)。我們知道，常規(guī)的導(dǎo)體，例如金屬，當(dāng)尺寸減小到納米數(shù)量級時，其電學(xué)行為發(fā)生很大的變化。有人在Au／Al203的顆粒膜上觀察到電阻反?，F(xiàn)象，隨著Au含量的增加（增加納米Au顆粒的數(shù)量），電阻不但不減小，反而急劇增加。

　　4.磁阻效應(yīng)

　　材料的電阻值隨磁化狀態(tài)變化的現(xiàn)象稱為磁（電）阻效應(yīng)。對非磁性金屬，其值甚小，在鐵磁金屬與合金中發(fā)現(xiàn)有較大的數(shù)值。鐵鎳合金磁阻效應(yīng)可達(dá)2％—3％，且為各向異性。顆粒膜的巨磁阻效應(yīng)與磁性顆粒的直徑呈反比關(guān)系，要在顆粒膜體系中顯示出巨磁阻效應(yīng)，必須使顆粒尺寸及其間距小于電子平均自由程。

　　那么，功率放大器可以幫助制備(1~100nm)級的納米薄膜嗎？

　　納米薄膜的制備方法按原理可分為物理方法和化學(xué)方法兩大類。粒子束濺射沉積和磁空濺射沉積，以及新近出現(xiàn)的低能團(tuán)簇束沉積法都屬于物理方法:化學(xué)氣相沉積(CVD)、溶膠-凝膠(Sol-Gel)法和電沉積法屬于化學(xué)方法。而在制備(1~100nm)級的納米薄膜的過程中功率放大器可以為制備系統(tǒng)提供足夠大的電壓，進(jìn)行大功率輸出。

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