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日，存儲大廠美光、三星紛紛披露最新市況。美光方面披露將投資21.7億美元擴(kuò)大其DRAM內(nèi)存生產(chǎn)，近期其也公布了2025財(cái)年第一季度（2024年9月至2024年11月）的業(yè)績報(bào)告，該季營收較為亮眼，但美光對于下一季度的預(yù)測，體現(xiàn)了其對存儲市場的隱憂，美光表示NAND閃存市場正遭遇前所未有的挑戰(zhàn)；另外三星電子方面也將調(diào)整DRAM未來研發(fā)策略。
從總體市況看，目前，多家存儲廠商正在將生產(chǎn)重點(diǎn)進(jìn)一步集中至高附加值存儲產(chǎn)品，如HBM、DDR5、LPDDR5、CXL，或企業(yè)級固態(tài)硬盤（eSSDs）等產(chǎn)品上。
美光、三星披露DRAM新動態(tài)
美光將投資21.7億美元擴(kuò)大美國廠DRAM內(nèi)存生產(chǎn)
1月1日，美國弗吉尼亞州州長格倫?楊金表示，美光計(jì)劃投資21.7億美元擴(kuò)建其位于弗吉尼亞州馬納薩斯的半導(dǎo)體工廠。該項(xiàng)目將對該設(shè)施進(jìn)行升級，以生產(chǎn)用于工業(yè)、汽車、航空航天等應(yīng)用的特種DRAM存儲器。此外，美光還有望獲得由弗吉尼亞州經(jīng)濟(jì)發(fā)展伙伴機(jī)構(gòu)（MEI Commission）批準(zhǔn)的最高達(dá)7000萬美元的專項(xiàng)資金。
值得注意的是，近期美光剛剛宣布獲得了聯(lián)邦政府依據(jù)《芯片與科學(xué)法案》（CHIPS and Science Act）提供的2.75億美元資金，用于升級其位于馬納薩斯的長壽命DRAM制造工廠，該筆資金還將助力美光將面向汽車行業(yè)的DRAM生產(chǎn)線從中國臺灣地區(qū)遷回美國本土。
目前，美光尚未詳細(xì)說明具體的工廠升級計(jì)劃，以及此次擴(kuò)建將為工廠帶來多少額外的生產(chǎn)制造能力。通常而言，用于工業(yè)、汽車、航空航天和國防等領(lǐng)域的長壽命DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的生產(chǎn)規(guī)模相對較小，因此相關(guān)特種內(nèi)存制造工廠的規(guī)模也并不龐大。
另外美光近期在披露其最新財(cái)報(bào)時(shí)表示，美光已與新加坡政府已達(dá)成協(xié)議，將在新加坡建設(shè)先進(jìn)的HBM封測設(shè)施，以支持AI時(shí)代的增長需求，并滿足未來NAND制造長周期需求規(guī)劃。該項(xiàng)目將從2027年起大幅擴(kuò)張美光在先進(jìn)封測環(huán)節(jié)的產(chǎn)能基礎(chǔ)。
對于2025財(cái)年的資本支出，美光財(cái)報(bào)顯示，其預(yù)期約為140億美元（上下浮動5億美元），主要用于支持HBM的產(chǎn)能建設(shè)、先進(jìn)包裝設(shè)施擴(kuò)充、研發(fā)投資以及新廠建設(shè)等。該公司已與美國商務(wù)部達(dá)成協(xié)議，最高可獲61億美元的《芯片與科學(xué)法案》相關(guān)資金支持，用于在愛達(dá)荷州與紐約州的先進(jìn)DRAM制造工廠項(xiàng)目。
三星電子調(diào)整DRAM研發(fā)策略
據(jù)外媒近日消息，三星電子已開始建設(shè)其10nm第7代DRAM（1d DRAM）測試線，以為三星電子開發(fā)10nm第8代DRAM（1e DRAM）做準(zhǔn)備?？紤]到三星電子的DRAM開發(fā)路線圖，預(yù)計(jì)該規(guī)劃仍處于非常早期階段。
據(jù)悉，三星電子目前正在量產(chǎn)10nm第5代DRAM（1b DRAM），其電路線寬約為12.54nm。三星電子計(jì)劃從明年初開始在P4工廠引入半導(dǎo)體設(shè)備，生產(chǎn)10納米級第六代DRAM（1c DRAM），目前正在加速提高良率，目標(biāo)是在明年5月之前獲得1c DRAM的內(nèi)部量產(chǎn)批準(zhǔn)（PRA）。此外，三星電子從2024年第四季度開始在平澤P2工廠建設(shè)10納米級第七代（1d）DRAM測試線，該生產(chǎn)線預(yù)計(jì)將于明年第一季度全面建成。
業(yè)界人士披露，三星電子的產(chǎn)品開發(fā)策略或發(fā)生了變化，在經(jīng)過該公司最新的組織及人事調(diào)整后，三星電子正在積極鼓勵(lì)技術(shù)發(fā)展。在DRAM領(lǐng)域，三星電子正在開發(fā)4F2VCT DRAM和3D DRAM等多種技術(shù)，以應(yīng)對下一代DRAM市場，并且1e DRAM也是其中之一。
與4F2VCT DRAM或3D DRAM不同，1e DRAM與目前的產(chǎn)品沒有結(jié)構(gòu)變化，因此具有無需大規(guī)模設(shè)施投資（CAPEX）的優(yōu)勢。如果三星電子在1d DRAM之后推出1e DRAM，預(yù)計(jì)將顯著降低CAPEX和生產(chǎn)成本。一旦三星電子選擇先量產(chǎn)1e DRAM，VCT DRAM的量產(chǎn)預(yù)計(jì)將推遲到2020年代末。
消費(fèi)市場隱憂
美光預(yù)期NAND增長不及預(yù)期
財(cái)報(bào)顯示，美光當(dāng)季實(shí)現(xiàn)營收87.1億美元，較上一季度的77.5億美元與去年同期的47.3億美元均有大幅躍升，同比增長84%，環(huán)比增長12%。美光該份財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)的最大亮點(diǎn)就在于美光數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)收入首次超過整體收入的50%，同比增長400%。據(jù)悉，美光科技的HBM收入，較前一財(cái)季幾乎翻倍，同時(shí)公司預(yù)計(jì)HBM將為美光科技在2025財(cái)年創(chuàng)造數(shù)十億美元的收入。美光科技總裁兼首席執(zhí)行官（CEO）Sanjay Mehrotra強(qiáng)調(diào)：“這一趨勢具有轉(zhuǎn)型意義，我們對于HBM在行業(yè)中的領(lǐng)導(dǎo)地位以及對未來幾年的發(fā)展路線圖充滿信心。”
在數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤（SSD）業(yè)務(wù)方面，美光亦創(chuàng)造了季度營收新高，并在數(shù)據(jù)中心與整體SSD市場均取得市占率提升。并且據(jù)美光12月20日最新消息顯示，美光已開始與客戶進(jìn)行6550 ION NVMe SSD的認(rèn)證。這是全球速率領(lǐng)先的60TB數(shù)據(jù)中心SSD，也是業(yè)界首款E3.S及PCIe 5.0的60TB SSD。
美光表示，數(shù)據(jù)中心的熱浪還不足以抵消消費(fèi)電子市場低迷的影響，按照美光CEO Sanjay Mehrotra的說法，雖然有AI拉動存儲市場數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)的增長，但占據(jù)更大市場份額的智能手機(jī)、PC消費(fèi)電子產(chǎn)品依舊疲軟，過去一年的復(fù)蘇整體低于行業(yè)預(yù)期。
按產(chǎn)品劃分的銷售額比例，DRAM約為64億美元，NAND約為22億美元。就DRAM而言，ASP（平均售價(jià)）升至高個(gè)位數(shù)，但就NAND而言，則跌至低個(gè)位數(shù)。
美光預(yù)計(jì)下一季度（2024年12月至2025年2月）的銷售額將較上季度大幅下滑，至77億美元至81億美元。這一預(yù)測低于目前市場普遍預(yù)期的89.9億美元。每股收益預(yù)測為1.33美元至1.53美元，低于股市共識的1.92美元。
美光表示之所以下調(diào)明年初的業(yè)績預(yù)期，是因?yàn)槊拦忸A(yù)計(jì)數(shù)據(jù)中心對DRAM和NAND的需求將持續(xù)增長，但預(yù)計(jì)PC和汽車等部分行業(yè)的需求將相對較低。尤其是NAND業(yè)務(wù)目前呈現(xiàn)的疲軟態(tài)勢。美光將2025財(cái)年的NAND位總量（產(chǎn)能增長率）從之前的10%中增幅下調(diào)至10%低增幅，其中消費(fèi)類SSD庫存持續(xù)調(diào)整被認(rèn)為是主要因素。
相應(yīng)地，美光設(shè)施投資政策也將重點(diǎn)關(guān)注尖端DRAM和HBM（高帶寬存儲器）的轉(zhuǎn)換投資。2025財(cái)年的總投資規(guī)模預(yù)計(jì)為135億至145億美元。美光表示，“我們正在減少對NAND設(shè)施的投資，并謹(jǐn)慎管理NAND工藝過渡的速度”，“我們將優(yōu)先考慮能夠支持DRAM和HBM長期需求增長的投資?！?/p>
2024年11月，存儲市場就釋放出傳統(tǒng)NAND、DDR4等存儲產(chǎn)品或被減產(chǎn)的消息，具體減產(chǎn)措施上，三星、鎧俠擬于2025年開始對NAND進(jìn)行減產(chǎn)，預(yù)計(jì)依照市場狀況進(jìn)行分階段減產(chǎn)。SK海力士則逐步降低DDR4傳統(tǒng)DRAM生產(chǎn)比重，從而將有限產(chǎn)能轉(zhuǎn)向人工智能用存儲器及先進(jìn)DRAM產(chǎn)品。
從市場情況看，目前服務(wù)器DRAM需求穩(wěn)定且呈增長趨勢，隨著云計(jì)算和數(shù)據(jù)中心需求的增長，包括AWS、Meta、Azure、Google、百度、HPE、Dell、阿里云等CSP（云服務(wù)提供商）科技巨頭持續(xù)投資服務(wù)器的推動，DDR5等芯片和內(nèi)存模組的采用情況也在逐步上升。與此同時(shí)，由于個(gè)人電腦需求下降等因素，PC DRAM芯片的銷售有所停滯。
NAND方面，綜合行業(yè)多方消息顯示，2023年主要的NAND生產(chǎn)線利用率下降至50％之后，在2024年中期產(chǎn)能利用率曾恢復(fù)到80%~90%。而至2024年三四季度，市場現(xiàn)貨交易價(jià)格呈向弱趨勢，產(chǎn)能利用率也逐步下降。目前市場上除大容量NAND工藝外，通用NAND產(chǎn)品的需求仍然較低，這促使企業(yè)根據(jù)市場情況進(jìn)一步調(diào)整利用率。
據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2025年第一季NAND Flash供貨商將面臨庫存持續(xù)上升，訂單需求下降等挑戰(zhàn)，平均合約價(jià)恐季減10%至15%。DRAM市場看，2025年第一季進(jìn)入淡季循環(huán)，其中，一般型DRAM（Conventional DRAM）的跌幅預(yù)估將擴(kuò)大至8%至13%，若計(jì)入HBM產(chǎn)品，價(jià)格預(yù)計(jì)下跌0%至5%。
目前，多家存儲廠商正在將生產(chǎn)重點(diǎn)進(jìn)一步集中至高附加值存儲產(chǎn)品，如HBM、DDR5、LPDDR5、CXL，或企業(yè)級固態(tài)硬盤（eSSDs）等產(chǎn)品上。
