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在中國建廠與投資 FD-SOI（全耗盡絕緣層上硅）工藝，或許是格芯（GlobalFoundries）CEO Sanjay Jha 職業(yè)生涯最重要的賭注，期望通過這兩項舉措給晶圓代工市場格局帶來變化。在第五屆 FD-SOI 論壇上，介紹完格芯成都工廠建設(shè)進度與 22FDX 工藝發(fā)展近況以后，Sanjay 表示，2017 年格芯 22FDX 平臺接到的試驗性流片（即 MPW，直譯為多項目晶圓）訂單有 20 例，其中 10 例來自中國設(shè)計公司?！笆袌鰪V闊，機會難得，F(xiàn)DX 就是為中國市場量身打造的技術(shù)。”
在演講中，Sanjay Jha 對三個尚未量產(chǎn)的 22 納米工藝進行了對比。與臺積電 22ULP（超低功耗 22 納米工藝）及英特爾 22FFL（22 納米低功耗鰭式場效應(yīng)晶體管工藝）相比，格芯的 22FDX（22 納米 FD-SOI 工藝）晶體管密度最高，光罩數(shù)最少（流片成本低），功耗也最低。
由于和體硅工藝路線不同，所以格芯 22FDX 在 2018 年推出并不奇怪，但對臺積電和英特爾而言，最先進工藝已經(jīng)走到了 10 納米節(jié)點，為何又回頭重新開發(fā) 22 納米低功耗工藝？（當然，英特爾剛在中國召開新聞發(fā)布會，宣布 2017 年下半年量產(chǎn) 10 納米工藝，并稱根據(jù)其計算方法，臺積電和三星的 10 納米工藝遠遠落后英特爾 10 納米，根本就不是一代技術(shù)。）
芯原董事長兼 CEO 戴偉民認為，臺積電 22ULP 的推出，很大程度是為 5G 做準備，因為在 FinFET 上很難實現(xiàn)射頻工藝，退回平面工藝以后，可以相對容易地集成射頻功能。
英特爾推出的 22FFL 工藝，也特地強調(diào)包含一個完整的射頻（RF）套件，可結(jié)合多種模擬和射頻器件來實現(xiàn)高度集成的芯片。
與 28 納米工藝相比，這三種 22 納米工藝功耗更低，晶體管密度更高，而與 14/16 納米工藝相比，22 納米工藝開發(fā)成本更低，也都可實現(xiàn)射頻工藝集成。
所以，5G 到來以后新一代物聯(lián)網(wǎng)終端芯片，將是這三種 22 納米工藝的最主要目標市場。
雖然近年來資本支出排行榜排名前三的公司中，兩家都回頭去做 22 納米低功耗工藝，但三星現(xiàn)在并沒有在 22 納米工藝投資的計劃。這一方面是由于三星 28 納米 FD-SOI 工藝當前最為成熟，據(jù)三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理 ES Jung 介紹，過去三年，三星 FD-SOI 工藝已經(jīng)有 7 家客戶，36 個產(chǎn)品進行了流片，現(xiàn)在流片產(chǎn)品數(shù)量在不斷增加。相比 28 納米體硅工藝，28 納米 FD-SOI 的特色就是功耗低，因此非常適合物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。
另一方面，三星 FD-SOI 工藝規(guī)劃的下一個節(jié)點是 18 納米，因此在三星代工產(chǎn)品線當中，28 納米和 14 納米節(jié)點之間，除了規(guī)劃中的 18 納米 FD-SOI，就沒有其他工藝提供。
不過，如果 22 納米低功耗工藝市場接受度良好，不知道急于擴大代工業(yè)務(wù)的三星是準備用 18 納米 FD-SOI 工藝來錯位競爭，還是也跟風上 22 納米？反正對財大氣粗的三星電子來說，開發(fā) 22 納米工藝的資金不成問題。
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