在中國建廠與投資 FD-SOI(全耗盡絕緣層上硅)工藝,或許是格芯(GlobalFoundries)CEO Sanjay Jha 職業(yè)生涯最重要的賭注,期望通過這兩項(xiàng)舉措給晶圓代工市場(chǎng)格局帶來變化。在第五屆 FD-SOI 論壇上,介紹完格芯成都工廠建設(shè)進(jìn)度與 22FDX 工藝發(fā)展近況以后,Sanjay 表示,2017 年格芯 22FDX 平臺(tái)接到的試驗(yàn)性流片(即 MPW,直譯為多項(xiàng)目晶圓)訂單有 20 例,其中 10 例來自中國設(shè)計(jì)公司?!笆袌?chǎng)廣闊,機(jī)會(huì)難得,F(xiàn)DX 就是為中國市場(chǎng)量身打造的技術(shù)?!?/p>
在演講中,Sanjay Jha 對(duì)三個(gè)尚未量產(chǎn)的 22 納米工藝進(jìn)行了對(duì)比。與臺(tái)積電 22ULP(超低功耗 22 納米工藝)及英特爾 22FFL(22 納米低功耗鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管工藝)相比,格芯的 22FDX(22 納米 FD-SOI 工藝)晶體管密度最高,光罩?jǐn)?shù)最少(流片成本低),功耗也最低。
由于和體硅工藝路線不同,所以格芯 22FDX 在 2018 年推出并不奇怪,但對(duì)臺(tái)積電和英特爾而言,最先進(jìn)工藝已經(jīng)走到了 10 納米節(jié)點(diǎn),為何又回頭重新開發(fā) 22 納米低功耗工藝?(當(dāng)然,英特爾剛在中國召開新聞發(fā)布會(huì),宣布 2017 年下半年量產(chǎn) 10 納米工藝,并稱根據(jù)其計(jì)算方法,臺(tái)積電和三星的 10 納米工藝遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后英特爾 10 納米,根本就不是一代技術(shù)。)
芯原董事長(zhǎng)兼 CEO 戴偉民認(rèn)為,臺(tái)積電 22ULP 的推出,很大程度是為 5G 做準(zhǔn)備,因?yàn)樵?FinFET 上很難實(shí)現(xiàn)射頻工藝,退回平面工藝以后,可以相對(duì)容易地集成射頻功能。
英特爾推出的 22FFL 工藝,也特地強(qiáng)調(diào)包含一個(gè)完整的射頻(RF)套件,可結(jié)合多種模擬和射頻器件來實(shí)現(xiàn)高度集成的芯片。
與 28 納米工藝相比,這三種 22 納米工藝功耗更低,晶體管密度更高,而與 14/16 納米工藝相比,22 納米工藝開發(fā)成本更低,也都可實(shí)現(xiàn)射頻工藝集成。
所以,5G 到來以后新一代物聯(lián)網(wǎng)終端芯片,將是這三種 22 納米工藝的最主要目標(biāo)市場(chǎng)。
雖然近年來資本支出排行榜排名前三的公司中,兩家都回頭去做 22 納米低功耗工藝,但三星現(xiàn)在并沒有在 22 納米工藝投資的計(jì)劃。這一方面是由于三星 28 納米 FD-SOI 工藝當(dāng)前最為成熟,據(jù)三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理 ES Jung 介紹,過去三年,三星 FD-SOI 工藝已經(jīng)有 7 家客戶,36 個(gè)產(chǎn)品進(jìn)行了流片,現(xiàn)在流片產(chǎn)品數(shù)量在不斷增加。相比 28 納米體硅工藝,28 納米 FD-SOI 的特色就是功耗低,因此非常適合物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。
另一方面,三星 FD-SOI 工藝規(guī)劃的下一個(gè)節(jié)點(diǎn)是 18 納米,因此在三星代工產(chǎn)品線當(dāng)中,28 納米和 14 納米節(jié)點(diǎn)之間,除了規(guī)劃中的 18 納米 FD-SOI,就沒有其他工藝提供。
不過,如果 22 納米低功耗工藝市場(chǎng)接受度良好,不知道急于擴(kuò)大代工業(yè)務(wù)的三星是準(zhǔn)備用 18 納米 FD-SOI 工藝來錯(cuò)位競(jìng)爭(zhēng),還是也跟風(fēng)上 22 納米?反正對(duì)財(cái)大氣粗的三星電子來說,開發(fā) 22 納米工藝的資金不成問題。
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