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三星HBM4與臺積電合作,明年下半年將量產(chǎn)

09/10 16:45
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三星電子正在與晶圓代工業(yè)務的競爭對手臺積電聯(lián)手,共同開發(fā)高帶寬內(nèi)存(HBM)技術(shù)和服務。三星將從第6代HBM(HBM4)開始與臺積電合作,計劃于明年下半年量產(chǎn)。三星決定毫不猶豫地與代工競爭對手合作,實現(xiàn) NVIDIA 和 Google 等大客戶所需的“定制功能”。三星電子可以提供內(nèi)存、代工和尖端封裝,因此可以提供HBM4相關(guān)的“綜合服務”,但有分析稱,三星電子已將與臺積電的合作擺上桌面,以爭取更多客戶。

臺積電生態(tài)系統(tǒng)和聯(lián)盟管理負責人 Dan Kochpacharin ?9月5 日在臺北舉辦的半導體展覽會‘Semicon Taiwan 2024’上表示,“我們正在與三星電子共同開發(fā)無緩沖器 HBM”。這是臺積電與三星電子首次提及HBM合作。

無緩沖器 HBM 是一種消除“緩沖器”的產(chǎn)品,可防止電氣問題并分配電壓。三星電子計劃從 HBM4 開始應用,計劃于 2025 年底量產(chǎn)。其優(yōu)勢在于與現(xiàn)有產(chǎn)品相比,能效提高40%,延遲降低10%。 Kochpacharin Head 表示:“隨著內(nèi)存制造工藝變得更加復雜,與合作伙伴的合作也變得更加重要?!?/p>

三星電子之所以與臺積電聯(lián)手,是因為從HBM4開始,工藝難度迅速增加,必須體現(xiàn)各種客戶的需求。從HBM4開始,制造工藝與以前有顯著不同。這是因為作為 HBM 大腦的邏輯芯片是由代工公司制造的,而不是存儲器公司。不經(jīng)營代工業(yè)務的SK海力士正在與臺積電共同開發(fā)關(guān)于HBM4的芯片。

連接不同芯片以使它們作為一個芯片平穩(wěn)運行的尖端封裝方法也發(fā)生了變化。此前,圖形處理單元(GPU)和HBM是水平放置的,但很可能會采用將HBM放置在GPU之上的“3D方法”。

三星電子的基本戰(zhàn)略是提供“交鑰匙解決方案”,涵蓋 DRAM 生產(chǎn)、代工廠邏輯芯片的大規(guī)模生產(chǎn)以及尖端封裝。據(jù)了解,該公司也在考慮與臺積電合作的方式,重點關(guān)注希望通過臺積電量產(chǎn)邏輯芯片的客戶。

三星電子的目標是通過同時推行交鑰匙戰(zhàn)略并與臺積電合作,重新獲得 HBM4 市場的領導地位。一位半導體行業(yè)官員表示,“如果三星要在 HBM 領域占據(jù)領先地位,就需要進行超越新技術(shù)開發(fā)的非常規(guī)嘗試?!?/p>

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