日韓爭(zhēng)端下，存儲(chǔ)市場(chǎng)滑向失控，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商能否順勢(shì)追趕？

也許是美國(guó)近兩年發(fā)出的一張張“實(shí)體清單”給了日本啟示，韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成為日本展開(kāi)狙擊的目標(biāo)。

日本政府一張“出口管控”讓韓國(guó)企業(yè)陷入困境。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐漸成為韓國(guó)出口的支柱產(chǎn)業(yè)，近兩三年來(lái)，景氣的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是拉動(dòng)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿?，也正是基于半?dǎo)體產(chǎn)業(yè)成熟嚴(yán)密的全球分工體系，韓國(guó)憑借著來(lái)自各國(guó)的原材料與設(shè)備，先后在 DRAM、閃存等領(lǐng)域打垮了日本、美國(guó)等諸多競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

誕生了三星、SK 海力士等在內(nèi)的全球存儲(chǔ)巨頭，韓國(guó)企業(yè)占據(jù)著全球存儲(chǔ)市場(chǎng)的主導(dǎo)地位。DRAM 市場(chǎng)，三星約占全球份額的 44%，SK 海力士為近 30%；在 NAND 閃存市場(chǎng)，兩者合計(jì)也在 40%以上。

前幾年，由于存儲(chǔ)器價(jià)格的持續(xù)上漲，三星于 2017 年第二季度取代英特爾，成為全球半導(dǎo)體龍頭，且其 2017 年半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總銷售額超越英特爾，終結(jié)了英特爾在半導(dǎo)體領(lǐng)域延續(xù) 24 年的霸主地位。2018 年三星總銷售額仍然超過(guò)英特爾，但從 2018 年下半年開(kāi)始，內(nèi)存市場(chǎng)遇冷，DRAM 和 NAND 價(jià)格崩盤。

根據(jù) IC Insights 數(shù)據(jù)顯示，三星、SK 海力士和美光三大存儲(chǔ)器廠商 2019 年上半年業(yè)績(jī)狂降，同比至少衰退 33%，而在 2018 年上半年，這三家業(yè)績(jī)同比增長(zhǎng)最小也有 36%。

存儲(chǔ)市場(chǎng)失控之勢(shì)，初現(xiàn)端倪。

同時(shí)，在日本政府對(duì)半導(dǎo)體關(guān)鍵材料出口韓國(guó)祭出限令下，還面臨存儲(chǔ)芯片減產(chǎn)的可能性。韓企短期內(nèi)雖有庫(kù)存可供給需求，但長(zhǎng)期來(lái)看一定會(huì)造成缺貨。據(jù)悉，三星近日從 JSR 比利時(shí)子公司尋找到了 EUV 光刻膠供應(yīng)，可以多維持幾個(gè)月的生產(chǎn)使用，但產(chǎn)品質(zhì)量下降及產(chǎn)能供應(yīng)不足估計(jì)還是要面臨的問(wèn)題。

此外，近期日韓互相將對(duì)方“踢出”白名單，相互釋放善意的渠道變得更為受限。長(zhǎng)期限令之下，內(nèi)存市場(chǎng)將會(huì)愈加混亂，韓國(guó)之外的內(nèi)存廠商紛紛嗅到了一絲機(jī)會(huì)。

在國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)格局上，無(wú)論是內(nèi)存還是閃存產(chǎn)品，基本均被韓國(guó)、日本、美國(guó)等國(guó)壟斷，掌握著全球產(chǎn)品的話語(yǔ)權(quán)。

反觀中國(guó)企業(yè)，在存儲(chǔ)領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和生產(chǎn)規(guī)模均存在較大不足，數(shù)據(jù)顯示，2017 年中國(guó)存儲(chǔ)芯片進(jìn)口總額達(dá) 886.17 億美元，其中，韓國(guó)產(chǎn)芯片的進(jìn)口規(guī)模達(dá) 463.48 億美元；到 2018 年第一季度，中國(guó)存儲(chǔ)芯片進(jìn)口額達(dá) 146.72 億美元，同比猛增 75.4%，可以看到國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)市場(chǎng)需求在不斷提升。但我國(guó)在主流與 DRAM 和 NAND Flash 芯片的制造上近乎是零。

中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)期處于受制于人的局面，核心技術(shù)的落后成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展的桎梏，無(wú)論是產(chǎn)業(yè)需求還是市場(chǎng)戰(zhàn)略，存儲(chǔ)產(chǎn)品的國(guó)產(chǎn)化都迫在眉睫。

在提高存儲(chǔ)芯片的自給自足率方面，紫光存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫、福建晉華是拉動(dòng)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的三股重要力量。

今天，筆者來(lái)介紹一下國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)廠商的發(fā)展現(xiàn)狀和未來(lái)前景。在當(dāng)前的市場(chǎng)環(huán)境和機(jī)遇下，將會(huì)取得怎樣的突破和進(jìn)展？

本土存儲(chǔ)廠商現(xiàn)狀

紫光集團(tuán)

• DRAM 事業(yè)群

在日本向韓國(guó)發(fā)出限制清單的前一天，紫光集團(tuán)發(fā)布消息宣布組建 DRAM 事業(yè)群，DRAM 具有國(guó)家戰(zhàn)略意義的技術(shù)高地，DRAM 的國(guó)產(chǎn)化也一直是中國(guó)高端制造的夢(mèng)想。

紫光 DRAM 事業(yè)群任命刁石京為董事長(zhǎng)，高啟全為 CEO，刁石京于 2018 年 5 月入職紫光集團(tuán)，一直擔(dān)任集團(tuán)聯(lián)席總裁，高啟全則有“中國(guó)臺(tái)灣存儲(chǔ)教父”之稱，這個(gè)消息足見(jiàn)紫光對(duì) DRAM 業(yè)務(wù)的重視，意味著紫光集團(tuán)正式將 DRAM 列為發(fā)展的重心。

據(jù)統(tǒng)計(jì)，2018 年全球半導(dǎo)體產(chǎn)品銷售額 4373 億美元，其中 DRAM 銷售額約 800 億美元。DRAM 行業(yè)經(jīng)過(guò)幾十年的戰(zhàn)爭(zhēng)，目前留下三星、SK 海力士、美光三大巨頭，合計(jì)占據(jù)了 95%的市場(chǎng)份額，中國(guó)大陸企業(yè)榜上無(wú)名。

其實(shí)，紫光發(fā)展 DRAM 的野心早就初見(jiàn)端倪，2013 年，在芯片行業(yè)開(kāi)啟并購(gòu)整合之后，紫光集團(tuán)在中國(guó)半導(dǎo)體領(lǐng)域迅速崛，DRAM 領(lǐng)域自然是不想錯(cuò)過(guò)。據(jù)了解，在 2015 年，紫光集團(tuán)向美國(guó)存儲(chǔ)巨頭美光發(fā)出收購(gòu)要約，預(yù)計(jì)以 230 億美元進(jìn)行全盤收購(gòu)。

雖然這個(gè)收購(gòu)案很快變得撲朔迷離，未能如愿。但紫光同年得以收購(gòu)西安華芯半導(dǎo)體公司 51%股權(quán)，更名為西安紫光國(guó)芯半導(dǎo)體有限公司。

談到西安華芯半導(dǎo)體相信大家一定不會(huì)陌生，西安華芯的前身是 2003 年在西安成立的德國(guó)英飛凌科技存儲(chǔ)器事業(yè)部，2006 年英飛凌的存儲(chǔ)事業(yè)部拆分上市成為奇夢(mèng)達(dá)科技。但分拆不到三年，2009 年初奇夢(mèng)達(dá)就在三星等對(duì)手的攻擊下宣告倒閉，隨后在原奇夢(mèng)達(dá)改制重建的基礎(chǔ)上，成立了西安華芯半導(dǎo)體公司。

倒下的奇夢(mèng)達(dá)是紫光 DRAM 產(chǎn)業(yè)的根源之一，也在無(wú)意中成為了中國(guó) DRAM 產(chǎn)業(yè)的種子。

紫光如今投身 DRAM 產(chǎn)業(yè)，一方面應(yīng)該是看到了掌握該產(chǎn)業(yè)話語(yǔ)權(quán)的重要性和必要性，同時(shí)國(guó)際貿(mào)易環(huán)境的復(fù)雜性也是此舉的推動(dòng)要素；另一方面，面對(duì)中美、日韓之間的糾紛，使得大型半導(dǎo)體公司變得更為謹(jǐn)慎，相關(guān)方面合作的態(tài)度也將變得保守；此外，在 DRAM 制造上，中國(guó)大陸企業(yè)與一線大廠的差距仍然較大，但是由于目前制程技術(shù)面臨的發(fā)展瓶頸，大陸廠商依然存在追趕的機(jī)會(huì)。

• 長(zhǎng)江存儲(chǔ)

在寡頭壟斷稍弱的閃存領(lǐng)域，紫光集團(tuán)通過(guò)一系列收購(gòu)，建立起了包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)在內(nèi)的 3D NAND、SSD 等一批上下游存儲(chǔ)企業(yè)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)作為國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)帶頭企業(yè)，其成立帶動(dòng)了全國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，也掀起了各地投資熱潮，投資熱潮的背后承載著國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)“彎道超越”的期望。

在今年 GSA 會(huì)議上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布將在今年 8 月正式推出 Xtacking? 2.0 技術(shù)，旨在將為 3D NAND 帶來(lái)更出色的 I/O 高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。Xtacking? 2.0 技術(shù)是在 Xtacking? 1.0 技術(shù)上的突破，意味著在自主研發(fā)的路上取得了進(jìn)一步的成績(jī)，也進(jìn)一步凸顯了其技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)是國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)芯片陣營(yíng)中主攻 NAND 閃存的公司，去年小規(guī)模生產(chǎn)了 32 層堆棧的 3D NAND 閃存，但是，長(zhǎng)江存儲(chǔ)并不打算大規(guī)模生產(chǎn) 32 層堆棧的 3D NAND 閃存。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃在今年年底量產(chǎn) 64 層 3D NAND，同時(shí)將導(dǎo)入 Xtacking?架構(gòu)應(yīng)用，并規(guī)劃在 2020 年跳過(guò) 96 層 3D NAND 技術(shù)進(jìn)入 128 層 3D NAND 階段。根據(jù)推算，長(zhǎng)江存儲(chǔ) Xtacking? 1.0 導(dǎo)入到 64 層 3D NAND，很可能到 128 層 3D NAND 會(huì)導(dǎo)入 Xtacking? 2.0，這將大幅度縮短與國(guó)際大廠在技術(shù)上的差距。

圖片來(lái)源：TRENDFORCE

觀察各大存儲(chǔ)廠商發(fā)展?fàn)顩r，目前主流出貨多在 64/72 層產(chǎn)品，并已量產(chǎn) 92/96 層的產(chǎn)品，目前正提供客戶 UFS、SSD 等產(chǎn)品樣品導(dǎo)入，然而新制程的擴(kuò)產(chǎn)受到今年市況影響，供應(yīng)商自去年年底以來(lái)逐步調(diào)降資本支出并減緩擴(kuò)產(chǎn)時(shí)程，甚至有部分供應(yīng)商決定減產(chǎn)，導(dǎo)致新制程比重成長(zhǎng)較為緩慢。

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反觀長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展規(guī)劃，在推出 64 層產(chǎn)品后，相較于其他供應(yīng)商先發(fā)展 9x 層的步調(diào)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將直攻 128 層以縮減與其他供應(yīng)商的差距，主要供應(yīng)商則規(guī)劃在 2020 年量產(chǎn) 128 層產(chǎn)品。盡管長(zhǎng)江存儲(chǔ)在技術(shù)發(fā)展上仍與主要供應(yīng)商有相當(dāng)差距，但未來(lái)對(duì)市場(chǎng)的影響估計(jì)將越來(lái)越大。

但產(chǎn)能問(wèn)題、閃存市場(chǎng)大環(huán)境以及工藝落后等多方面的挑戰(zhàn)仍在眼前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)依舊任重道遠(yuǎn)。

合肥長(zhǎng)鑫

2016 年，日后被稱為國(guó)內(nèi)三大 DRAM 勢(shì)力的合肥長(zhǎng)鑫成立。

去年朱一明辭去兆易創(chuàng)新總經(jīng)理職務(wù)，從王寧國(guó)手中接手了長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)，擔(dān)任 CEO 一職。

朱一明在今年 5 月份一場(chǎng)活動(dòng)中表示，通過(guò)與奇夢(mèng)達(dá)的合作，合肥長(zhǎng)鑫獲得了一千多萬(wàn)份有關(guān) DRAM 的技術(shù)文件及 2.8TB 數(shù)據(jù)，這成為長(zhǎng)鑫的技術(shù)來(lái)源之一。

今年 6 月份，合肥長(zhǎng)鑫宣布 12 英寸存儲(chǔ)晶圓制造基地項(xiàng)目的一期研發(fā)階段所有單體已經(jīng)完成，研發(fā)線晶圓片電性能測(cè)試良好，成品芯片功能通過(guò)，正在進(jìn)行良率提升和量產(chǎn)準(zhǔn)備工作。該項(xiàng)目今年的目標(biāo)是部分生產(chǎn)線投入使用。

根據(jù)計(jì)劃，合肥長(zhǎng)鑫將在 2019 年三季度推出 8Gb LPDDR4，到 2019 年底，產(chǎn)能達(dá)到 2 萬(wàn)片 / 月。預(yù)計(jì)在 2020 年建設(shè)第二座晶圓廠，2021 年完成 17nm 研發(fā)。

合肥長(zhǎng)鑫項(xiàng)目專注于 DRAM 的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，通過(guò)與國(guó)際大廠合作，持續(xù)投入研發(fā)超過(guò) 25 億美元，不斷完善自身研發(fā)技術(shù)，目前已累積有 1 萬(wàn) 6 千個(gè)專利申請(qǐng)，已持續(xù)投入晶圓量超過(guò) 15000 片。整個(gè)項(xiàng)目預(yù)計(jì)總投資超過(guò) 72 億美元，工程將分 3 期完成，預(yù)計(jì)月產(chǎn)能將達(dá) 12.5 萬(wàn)片。

但縱觀 DRAM 市場(chǎng)格局，三星、SK 海力士和美光幾乎控制了所有重要的 DRAM 專利，產(chǎn)能領(lǐng)先幅度也較為巨大，合肥長(zhǎng)鑫這樣的中國(guó)新玩家要想在 DRAM 市場(chǎng)上嶄露頭角仍有較大挑戰(zhàn)。

福建晉華

2016 年，福建晉華注冊(cè)成立，其大股東包括福建省國(guó)資委、晉江市財(cái)政局等，是一家 100%國(guó)資持股企業(yè)。它與中國(guó)臺(tái)灣聯(lián)華電子簽署技術(shù)合作協(xié)議，專注于 DRAM 領(lǐng)域。原預(yù)估 2018 年 9 月正式投產(chǎn)，到 2019 年底一廠一期項(xiàng)目可實(shí)現(xiàn)月產(chǎn) 6 萬(wàn)片 12 英寸晶圓的產(chǎn)能，到 2020 年底一廠二期也將達(dá)產(chǎn) 6 萬(wàn)片。并適時(shí)啟動(dòng)二廠的建設(shè)，到二廠達(dá)產(chǎn)時(shí)，總產(chǎn)能將達(dá) 24 萬(wàn)片。

然而，事不遂人愿。2018 年中興事件將中國(guó)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的脆弱一覽無(wú)遺地展示出來(lái)。隨后，福建晉華的 DRAM 正式投產(chǎn)后不久，美國(guó)商務(wù)部以國(guó)家安全為由，便宣布將福建晉華列入實(shí)體清單，被實(shí)施禁售。

自被美國(guó)商務(wù)部列入禁售名單后，福建晉華便四處奔波以尋求解禁。此外，福建晉華還一直深陷在與美光的專利糾紛案當(dāng)中。

圍繞在美光、聯(lián)電、晉華集成三者之間的知識(shí)產(chǎn)權(quán)訴訟案一直撲朔迷離，盡管晉華集成和國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)界一直希望能同美光回到談盤桌前，但在中美貿(mào)易摩擦影響的局面下，晉華事件的走向變得難以預(yù)料。

一時(shí)間，福建晉華前途不明，幾近停產(chǎn)。

據(jù)媒體消息，晉華在前段時(shí)間將自己掛牌出售，并將美光視為潛在買家。福建省政府對(duì)各種選項(xiàng)持開(kāi)放態(tài)度，可以是合資企業(yè)，也可能是一項(xiàng)許可協(xié)議。但是，美光拒絕對(duì)此發(fā)表評(píng)論。據(jù)接近美光的人士稱，美光無(wú)意與晉華建立任何形式的合作關(guān)系，或?qū)x華進(jìn)行投資。

晉華和美光的恩怨由來(lái)已久。早在 2017 年初，美光就在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)起訴晉華侵犯其知識(shí)產(chǎn)權(quán)。2017 年 12 月，美光又在美國(guó)加州起訴臺(tái)聯(lián)電和晉華侵犯其存儲(chǔ)芯片知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

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作為回應(yīng)，晉華 2018 年 1 月在福建起訴美光侵犯其知識(shí)產(chǎn)權(quán)。7 月，福建中院裁定美光的相關(guān)產(chǎn)品不得在中國(guó)銷售。

幾經(jīng)反擊之后，受到重創(chuàng)的福建晉華再無(wú)對(duì)外釋放過(guò)任何行業(yè)信息，最近一條關(guān)于此事件的動(dòng)態(tài)，至今仍停留在數(shù)月前那則“公司無(wú)出售計(jì)劃，亦未尋求美光幫助”的辟謠聲明中。

通過(guò)晉華官網(wǎng)可以看到，上個(gè)月晉華公司三周年廠慶的活動(dòng)圓滿落幕，兩張長(zhǎng)跑活動(dòng)的照片定格了晉華員工的歡笑和吶喊，倘若晉華事件真的是一次長(zhǎng)跑，它此時(shí)又跑到了哪里呢？

結(jié)語(yǔ)
中美貿(mào)易爭(zhēng)端以來(lái)，發(fā)展一條自主可控的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈逐漸成為中國(guó)科技產(chǎn)業(yè)的共識(shí)，紫光、合肥長(zhǎng)鑫與福建晉華在長(zhǎng)期國(guó)產(chǎn)空白的存儲(chǔ)領(lǐng)域的進(jìn)擊也有了特別的意義。

內(nèi)存芯片在經(jīng)歷過(guò)十多個(gè)季度的漲價(jià)之后，如今盤旋在價(jià)格下行區(qū)間，隨著日韓貿(mào)易戰(zhàn)帶來(lái)的影響以及內(nèi)存市場(chǎng)的周期性變化給了國(guó)產(chǎn)內(nèi)存廠商難逢的發(fā)展機(jī)遇。

以目前現(xiàn)況來(lái)看，存儲(chǔ)芯片需求觸底反彈在即，全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇在望，中國(guó)發(fā)展存儲(chǔ)器的策略能否成功，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)能否趕上這股東風(fēng)，未來(lái)的 3~5 年將是極其重要的關(guān)鍵期。

面臨三星、SK 海力士、美光三巨頭的壟斷壓力，以及研發(fā)、產(chǎn)能等挑戰(zhàn)，本土廠商能否突圍，不僅依賴于自身的努力，與政策、資本、產(chǎn)業(yè)和市場(chǎng)環(huán)境亦緊密相關(guān)。強(qiáng)化 IP 布局、擴(kuò)大市場(chǎng)內(nèi)需、國(guó)內(nèi)廠商的大力支持、加大研發(fā)投入力度、快速提升產(chǎn)能，以及取得與國(guó)際廠商有利的談判籌碼等等，都是突圍路上繞不開(kāi)的挑戰(zhàn)。

過(guò)去數(shù)十年，日韓幾乎壟斷了全球存儲(chǔ)器行業(yè)。然而在日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不斷衰落趨勢(shì)下，也許是美國(guó)近兩年發(fā)出的一張張“實(shí)體清單”給了日本啟示，韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成為日本狙擊韓國(guó)的目標(biāo)。

日本政府一張“出口管控”讓韓國(guó)企業(yè)陷入困境。表面上是因?yàn)闅v史原因的“舊恨”，但本質(zhì)上是為了爭(zhēng)奪高科技主導(dǎo)權(quán)的大國(guó)博弈與競(jìng)爭(zhēng)。

在如今的博弈與競(jìng)爭(zhēng)沖擊之下，市場(chǎng)出現(xiàn)了一絲空隙，中國(guó)存儲(chǔ)廠商是否嗅到了機(jī)會(huì)？

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參考文章：

中國(guó)企業(yè)家雜志：《日韓貿(mào)易戰(zhàn)升級(jí)，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)得利？》

第一財(cái)經(jīng)：《美調(diào)停無(wú)果日韓貿(mào)易沖突加劇，全球供應(yīng)鏈會(huì)因此重整嗎？》

華夏時(shí)報(bào)：《日韓貿(mào)易爭(zhēng)端沖擊亞洲區(qū)域經(jīng)濟(jì)整合》

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