上文介紹了開環(huán)霍爾電流傳感器的原理,今天介紹另外兩個(gè)方案:閉環(huán)霍爾方案與磁通門方案。
閉環(huán)霍爾電流傳感器
下圖為前文介紹過的開環(huán)霍爾電流傳感器的結(jié)構(gòu)圖(圖片來自于 LEM 官網(wǎng)),待測電流 Ip 建立起磁芯內(nèi)的磁場后,通過霍爾元件感應(yīng)出的霍爾電壓來測量電流值大??;它對外輸出的是一個(gè)電壓模擬量。
而閉環(huán)霍爾電流傳感器是基于開環(huán)原理(下圖來自于網(wǎng)絡(luò)),然后引入了補(bǔ)償電路;通過磁芯的有兩部分電流:原邊待測電流與副邊補(bǔ)償電流;原邊待測電流就是指電池流經(jīng)母線銅排中的大電流,而副邊補(bǔ)償電流是由閉環(huán)霍爾電流傳感器內(nèi)部產(chǎn)生的,流經(jīng)磁芯上的副邊線圈。
具體地(下圖來自于 LEM 官網(wǎng)),霍爾元件感應(yīng)出來的霍爾電壓并沒有直接用于測量,而是霍爾電壓通過放大電路后產(chǎn)生了一個(gè)副邊電流,這個(gè)副邊電流流過纏繞在磁芯上的線圈,然后通過采樣電阻 Rm 流到地。這樣的話副邊電流也會(huì)在磁芯中產(chǎn)生一個(gè)磁場,并且設(shè)計(jì)讓這個(gè)磁場與原邊待測電流產(chǎn)生的磁場方向相反,強(qiáng)度相等,那么總磁通量為 0,即霍爾元件處于 0 磁通的環(huán)境中。
接下來,當(dāng)霍爾元件中的磁通為 0 后,就會(huì)得到如下公式,通過測量 Is,即可得到 Ip;Ns 一般為 1000~5000,Is 一般為 25mA~300mA 左右。
磁通門電流傳感器(Fluxgate)
磁通門電流傳感器才是我們經(jīng)常遇到的產(chǎn)品,如 LEM 的 CAB 系列。
磁通門電流傳感器又可以分為幾種,如下圖所示(圖片來源 LEM 官網(wǎng)):例如標(biāo)準(zhǔn)型、C-type、IT-type、低頻型等,這里介紹比較基本的標(biāo)準(zhǔn)型磁通門原理。
標(biāo)準(zhǔn)型的磁通門電流傳感器結(jié)構(gòu)很類似閉環(huán)霍爾結(jié)構(gòu),如下圖所示(圖片來源于網(wǎng)絡(luò)),只是在磁芯的氣隙處放置的不是霍爾元件,而是一個(gè)磁通門的傳感器,即可飽和電感。
具體地,在結(jié)構(gòu)上同樣有原邊待測電流 Ip(母線中電流),副邊反饋電流 Is(副邊線圈中),同樣地,只要讓氣隙中的總磁通量為 0,根據(jù)下式可以計(jì)算出 Ip:
此方案的原理框圖如下(來源于 LEM 官網(wǎng)),前面我們知道了計(jì)算電流 Ip 的方法,即調(diào)節(jié)副邊電流 Is,使得氣隙處的總磁通量為 0,即可得出 Ip;那么,我們怎么實(shí)時(shí)檢測氣隙處的磁通量,然后調(diào)節(jié)磁通量為 0 呢?
這里在氣隙處應(yīng)用了可飽和電感作為探頭來識(shí)別氣隙處的磁通量(下圖來源于 LEM 官網(wǎng)),它是由磁芯與線圈組成的電感探頭。
進(jìn)一步地,氣隙處的磁通量大小會(huì)影響這個(gè)探頭的電感量(探頭的電感量是受外部磁場影響而變化的),我們只要區(qū)別出磁通量為 0 時(shí)的電感大小與磁通量不為 0 時(shí)的電感大小即可。
那么怎么來識(shí)別不同磁通量下的電感大小呢?
一種方案是,在電感探頭的線圈中通過一個(gè)電流 Isi(兩端施加一個(gè)電壓源 u(t)),它產(chǎn)生的磁通與外部氣隙的總磁通(包括了 IpIs 二者引起的磁通)疊加后作用于電感探頭的磁芯上,這個(gè)累加后的磁通量會(huì)影響電感探頭的感量,而電感量與電流大小又相關(guān),所以只要知道 Isi 的電流怎么受到氣隙處的磁通影響就 OK 了。
省略中間的一些理論性的分析過程,當(dāng)氣隙處的總磁通量為 0 時(shí),電感探頭中的電流如下圖,其中虛線代表施加在探頭兩端的方波電壓 u(t),實(shí)線為電流值 i(t)。
當(dāng)氣隙處的總磁通量不為 0 時(shí),電感探頭中的電流波形如下圖:所以我們通過檢測這個(gè)電流值,就可以等效判斷出氣隙處的總磁通量是否為 0,然后通過調(diào)整副邊線圈中的電流 Is,來使得氣隙處的總磁通量為 0。
總結(jié):
在分析過程中可能省略了一些過程的推導(dǎo),但整個(gè)表述的邏輯是嚴(yán)謹(jǐn)?shù)?,大家可以自行查找一下更深入的解釋;以上所有,僅供參考。