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X-FAB宣布升級其襯底耦合分析工具,將BCD-on-SOI工藝納入其中

2022/04/21
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全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,擴(kuò)展其SubstrateXtractor工具應(yīng)用范圍,讓用戶可以借助這一工具檢查不想要的襯底耦合效應(yīng)。作為全球首家為BCD-on-SOI工藝提供此類分析功能的代工廠,X-FAB將這一最初面向XH018和XP018 180nm Bulk CMOS工藝開發(fā)的工具,新增了其對XT018 180nm BCD-on-SOI工藝的支持,作為Bulk CMOS工藝外的一項補(bǔ)充。通過使用新的SubstrateXtractor升級版本,可以加速SOI相關(guān)的產(chǎn)品開發(fā),避免多次迭代。

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圖為X-FAB工程師正在使用襯底耦合分析工具

最初的SubstrateXtractor由X-FAB與EDA合作伙伴PN Solutions(基于其廣泛使用的PNAware產(chǎn)品)合作開發(fā),于2019年發(fā)布。利用這一工具,客戶能夠解決半導(dǎo)體襯底內(nèi)有源和無源元件間相互作用所造成的耦合問題(無論這些元件作為電路本身的一部分,還是以寄生方式存在)---其所帶來的顯著優(yōu)勢使客戶的項目能夠更迅速地進(jìn)入市場。PN Solutions的PNAwareRC工具支持SOI工藝,由此進(jìn)一步增強(qiáng)了平臺的功能并擴(kuò)大了其吸引力。

X-FAB的XT018工藝BOX/DTI功能可以將芯片上的組成功能模塊相互隔離,適用于需要與數(shù)字模塊去耦合的敏感模擬模塊,或必須與高壓驅(qū)動電路隔離的低噪聲放大器。此工藝也使得多通道的設(shè)計實現(xiàn)更加容易,因為XT018中的電路被有效地放置在其自身獨立的襯底中,從而減少了串?dāng)_。

在基于SOI的集成電路中,利用SubstrateXtractor實現(xiàn)襯底耦合分析的能力對于客戶來說極具價值。雖然SOI工藝中的有源部分可以通過BOX和DTI完全介電隔離,有源部分被隔離之后就如同各自孤立一般,但無源R和C耦合仍然可能存在。得益于這一升級版新工具,可以為DTI和BOX產(chǎn)生的橫向和縱向耦合路徑提取無源RC網(wǎng)絡(luò),并經(jīng)由對無源耦合網(wǎng)絡(luò)的仿真,評估它們對集成電路的影響。此類新增的版圖后抽取寄生的關(guān)鍵應(yīng)用,包括工業(yè)及汽車系統(tǒng)中使用的大電流和高電壓器件等。

“消除襯底耦合是一項具有挑戰(zhàn)性的任務(wù)。通過支持對我們XT018 BCD-on-SOI工藝相關(guān)的寄生元素的提取,客戶將能夠模擬電路模塊的耦合,并識別對性能不利的干擾因素?!盭-FAB設(shè)計支持總監(jiān)Lars Bergmann表示,“在涉及非常大的干擾電壓或在個位數(shù)GHz范圍內(nèi)的高頻情況下,這一功能擴(kuò)展將極具意義?!?/p>

縮略語:
BOX?? ??? ?埋入式氧化物

BCD?? ??? ?Bipolar CMOS DMOS

DTI?? ??? ?深槽隔離

EDA?? ??? ?電子設(shè)計自動化

RC?? ??? ?電阻-電容

SOI?? ??? ?絕緣體上硅

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