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但凡說到激光器，人們必須提及Vcsel，也就是垂直腔面發(fā)射激光器：Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser。2017年蘋果公司iPhone X采用vcsel作為3D感應(yīng)技術(shù)，用于Proximity sensor和 Face ID模塊，徹底把Vcsel炒熱了。之后發(fā)現(xiàn)Vcsel在激光雷達LiDAR和氣體檢測等方面有很大的應(yīng)用市場。市場預(yù)期2023年市場還會擴大10倍以上。同時隨著光通訊數(shù)據(jù)中心的建設(shè)，Vcsel激光器作為980nm等短波長激光器的使用量也會激增。
Vcsel的應(yīng)用場景
市場預(yù)期
全球主要Vcsel供應(yīng)商
2. Vcsel的結(jié)構(gòu)和原理
如上圖，我們都知道LD作為側(cè)發(fā)光的激光器，光源是從側(cè)邊出光面發(fā)射，而且需要在AR面鍍增透膜、HR面做高反膜。而Vcsel的光是從P型或N型表面直接發(fā)射出來，有點像紅光LED的結(jié)構(gòu)。
芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)
Vcsel的光腔是采用有源區(qū)上方和下方的布拉格在外延工序沉淀而成。
TO封裝后的Vcsel外形
我們以上圖的Vcsel的制備過程為例說明：
1）通過MBE或Mocvd在砷化鎵的基板上，交替生長GaAs和AlAs，交替生長層最終形成布拉格反射鏡。GaAs和AlAs有這顯著不同的折射率，但是他們二者的晶格常數(shù)基本相同，因此可以交替生長很多層而不產(chǎn)生位錯，這也是為什么可以做出高反射率的鏡面效果。
2） 接著生長幾個量子阱有源區(qū)。
3）在上面生長一組P摻雜的GaAs/AlAs。
4）刻蝕出一個圓環(huán)形區(qū)域，從而定義出區(qū)域中直徑幾微米的激光器。
5）通常金屬接觸位于頂部環(huán)繞器件環(huán)上，通常要在頂部反射鏡堆疊中，通過氧化暴露的AlAs層，使它形成氧化物不導(dǎo)電，從而形成電流光闌，以便漏斗電流僅流向器件的中心。
6）P型布拉格反射鏡。
7）鍍上面P電極
8）減薄到100um，鍍N電極鍺鎳金。
3. Vcsel優(yōu)缺點
優(yōu)點：
1）不需要單獨做反射鏡，工藝簡單。
2）閾值電流僅為0.1mA，器件體積小，電容小，適用于10Gbit/s的高速調(diào)制系統(tǒng)。
3）出光面是圓形，發(fā)射出來的光也是圓形，且垂直腔的高度也只有幾微米，縱模只有一個，而且當(dāng)腔體直徑小于8um時，只有一個橫模存在。十分方便出光耦合光線等。
4）溫度特性好，無需制冷。
舉例：德國Mergeoptics公司生產(chǎn)的850nm Vcsel激光器，譜寬0.2nm，平均發(fā)射功率-2.17dBm，消光比6.36dB，相對強度噪音-128dB/Hz。
缺點：
輸出功率低，腔長短。 長波長的外延很難做，比如光通訊用的1310nm、1550nm。
GaAs的vcsel有一個AlAs氧化工藝，可以用來形成側(cè)向電流限制，inp系的材料沒有這個工藝，側(cè)面電流限制做得不太好。
