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CINNO Research產(chǎn)業(yè)資訊，SK海力士繼美國Lam Research之后，將與日本JSR在下一代DRAM領(lǐng)域展開合作。這是確保內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)先地位的一個(gè)維度。
近日，JSR宣布旗下子公司Inpria和SK海力士為了實(shí)現(xiàn)EUV用金屬氧化物PR的應(yīng)用，開展聯(lián)合研究
Inpria 是一家公關(guān)公司，成立于 2007 年，是從俄勒岡州立大學(xué)化學(xué)研究中心分拆出來的。在 2017 年收購 21% 的股份后，JSR 去年獲得了 79% 的股份，從而收購了 Inpria。
自2007年成立以來，Inpria一直致力于開發(fā)基于金屬的EUV光刻膠。其主要產(chǎn)品主要由氧化錫組成，使用EUV曝光系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了世界上最高分辨率。此外，金屬基光刻膠在干蝕刻過程中的圖案轉(zhuǎn)移性能方面優(yōu)于傳統(tǒng)光刻膠，非常適合半導(dǎo)體量產(chǎn)工藝。
PR是一種用于半導(dǎo)體曝光工藝的材料。當(dāng) PR被施加到晶圓上并暴露在光掩模上所描繪的光線下時(shí)，就會(huì)雕刻出電路圖案。這個(gè)過程就是曝光。
Inpria 的 PR 是一種基于金屬氧化物的無機(jī)材料。現(xiàn)有的有機(jī)PR是通過化學(xué)物質(zhì)與光發(fā)生反應(yīng)來雕刻圖案，而無機(jī)PR是錫系金屬顆粒與光接觸形成電路。在一個(gè)簡(jiǎn)單的比較中，液體和固體本質(zhì)上更堅(jiān)硬。
因此，無機(jī) PR 的光吸收率是有機(jī) PR 的 4 倍。如果光吸收好，則有利于雕刻微電路圖案。因此，被評(píng)價(jià)為適用于下一代曝光技術(shù)EUV。
然而，它尚未用于存儲(chǔ)器制造過程。如果SK海力士通過與Inpria的合作將其商業(yè)化，這是存儲(chǔ)器行業(yè)的首例。
JSR 解釋說：“將金屬氧化物 PR 用于 EUV，我們可以有效地圖案化先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)器件架構(gòu)。Inpria 材料解決方案將降低 EUV 圖案化成本。”
SK海力士表示，“EUV很復(fù)雜，需要先進(jìn)的材料。氧化錫PR將為下一代DRAM提供性能和低成本。”
此前，Lam Research 宣布將為 SK Hynix 提供干式 PR 底層和干式顯影工藝設(shè)備。該產(chǎn)品由 Lam Research、荷蘭 ASML 和比利時(shí) iMac 聯(lián)合制造。
他們開發(fā)的設(shè)備在通過沉積過程形成 PR 層中發(fā)揮作用。這里使用的材料是無機(jī)PR。
據(jù) Lam Research 稱，由于它使用的原材料比濕法少 5 到 10 倍，并且可以減少照射的光量，因此很容易降低成本。過去是旋涂法，在旋轉(zhuǎn)晶片的同時(shí)用設(shè)備滴下有機(jī)材料PR，因此在應(yīng)用過程中存在浪費(fèi)的部分。
此外，EUV工藝分辨率有望提高。分辨率是一個(gè)數(shù)字，表示鏡頭或感光材料能夠描繪的細(xì)節(jié)程度。如果增加分辨率，則有利于實(shí)現(xiàn)精細(xì)圖案。
與此同時(shí)，SK海力士宣布其在業(yè)界首次成功開發(fā)出238層NAND閃存。它正在向客戶提供 238 層 512 Gb (Gb) 三級(jí)單元 (TLC) 四維 (4D) NAND 樣品。預(yù)計(jì)明年上半年量產(chǎn)。
