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SK海力士被美國Advanced Memory Technologies, LLC (AMT)起訴侵犯四項專利。
據(jù)美國德克薩斯州東區(qū)法院馬歇爾分庭消息，當?shù)貢r間去年12月30日，AMT向SK海力士頒發(fā)了美國專利號7,777,557（以下簡稱557）、7,920,018（以下簡稱018）， 7,969,231（以下簡稱231）、8,593,888（以下簡稱888) 提出侵權投訴。
這些專利涵蓋電子電路升壓器、電路內(nèi)部電壓源和半導體存儲電路。所有專利均由日本松下公司首先注冊，目前AMT作為專利持有人行使所有權利。Advanced Memory Technologies 是一家鮮為人知的公司，因此，有可能是一家主要處理專利侵權訴訟的專利管理公司（PAE）。PAE 指的是一群通常被稱為專利流氓的公司。
AMT 預測，2024 年上半年 SK 海力士僅在美國的銷售額就將達到 120 億美元，并且在德克薩斯州也將錄得可觀利潤。同時他辯稱，“SK海力士在美國全境和德克薩斯州開展業(yè)務，因此相關法院具有管轄權?！?/p>
雖然每項專利都是由美國專利商標局（PTO）頒發(fā)的，但發(fā)明人都是日本人，包括山平誠二（Seiji Yamahira）、持田禮二（Reiji Mochida）、丸山貴文（Takafumi Maruyama）和濱本幸正（Yukimasa Hamamoto）。
具體來說，專利 557 和 018 涉及“升壓電路”。它在設計半導體電路時節(jié)省了空間，同時實現(xiàn)了更高效的升壓電路。
231專利涉及“內(nèi)部電壓發(fā)生電路”，是一項一般涉及內(nèi)部電壓發(fā)生電路結構的專利，可以節(jié)省空間并實現(xiàn)高效的電路設計。
888專利是“半導體存儲器件”，涵蓋了可以使用電信號擦除和記錄存儲單元的存儲內(nèi)容的半導體存儲器件的結構。
AMT在訴狀中表示，“SK海力士生產(chǎn)的多款NAND閃存和DRAM模組涉嫌專利侵權”。
他隨后表示，“我們要求最終裁定 SK 海力士侵犯了四項專利，我們希望從 SK 海力士獲得補償和特許權使用費?！?/p>
SK海力士相關人士表示，“半導體技術的競爭正在加劇，多起專利訴訟已經(jīng)提起，目前還很難透露具體的應對計劃?！?/p>
SK海力士過去曾經(jīng)歷過多起專利糾紛。
尤其是2016年，因侵犯Netlist的專利而被美國國際貿(mào)易委員會（ITC）調(diào)查。2021年，兩家公司簽署了專利許可協(xié)議，糾紛結束。
