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金先生，長鑫存儲(chǔ)科技有限公司（CXMT）負(fù)責(zé)開發(fā)的高級(jí)副總裁，是韓國人，畢業(yè)于韓國著名大學(xué)，曾在三星電子從事DRAM設(shè)計(jì)和開發(fā)工作26年。金先生曾擔(dān)任三星電子研究員（高管）和一家附屬公司負(fù)責(zé)戰(zhàn)略營銷的高管，于 2019 年 11 月移居中國，五年多來一直領(lǐng)導(dǎo)長鑫存儲(chǔ)的尖端 DRAM 開發(fā)。得益于這支“外籍工程師團(tuán)隊(duì)”，長鑫存儲(chǔ)以超出市場預(yù)期的速度進(jìn)軍傳統(tǒng)DRAM市場，目前正投入到HBM和DRAM 開發(fā)。
《韓國經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》12月30日對(duì)在商業(yè)平臺(tái)LinkedIn上披露職業(yè)生涯的381名長鑫存儲(chǔ)現(xiàn)任和前任高管和員工進(jìn)行了分析，結(jié)果顯示，其中145人(38.1%)曾是一家全球半導(dǎo)體公司的前工程師，其中有51人被確認(rèn)來自三星電子和SK海力士，其中大部分部署在HBM3E、3D DRAM等前沿半導(dǎo)體開發(fā)部門，對(duì)長鑫存儲(chǔ)技術(shù)能力的提升發(fā)揮著關(guān)鍵作用。有分析稱，如果算上不使用LinkedIn或隱藏職業(yè)的高管和員工，長鑫存儲(chǔ)將有超過1000名來自公司外部的工程師。
與業(yè)界預(yù)期在晉升競爭中落敗的工程師主要會(huì)跳槽相反，韓國媒體發(fā)現(xiàn)大量的高層技術(shù)高管也跳槽到了長鑫存儲(chǔ)。一個(gè)代表性的例子是S先生，他在索尼負(fù)責(zé)半導(dǎo)體開發(fā)25年，然后自2019年11月起在日本SK海力士負(fù)責(zé)圖像傳感器研發(fā)(R&D)。2022年，他在長鑫存儲(chǔ)擔(dān)任“研究員”（高級(jí)研究主管），傳承了索尼和SK海力士的半導(dǎo)體技術(shù)。
一位業(yè)內(nèi)資深人士強(qiáng)調(diào)，“長鑫存儲(chǔ)正在用高薪來吸引三星電子和SK海力士苦心培養(yǎng)的技術(shù)人才，韓國需要采取特別措施來防止半導(dǎo)體人才和技術(shù)外流?！?/p>
A先生在長鑫存儲(chǔ)擔(dān)任技術(shù)優(yōu)化高級(jí)副總裁八年，現(xiàn)擔(dān)任特別顧問。L先生是長鑫存儲(chǔ)的高級(jí)技術(shù)主管，領(lǐng)導(dǎo)移動(dòng)、數(shù)據(jù)中心和人工智能(AI)領(lǐng)域的DRAM研發(fā)(R&D)。
他們有一個(gè)共同點(diǎn)，都是一位王牌工程師，其專業(yè)知識(shí)得到了一家全球半導(dǎo)體公司總部的認(rèn)可（A先生是美國應(yīng)用材料公司，L先生是美國美光公司）。長鑫存儲(chǔ)是一家成立于2016年的新興半導(dǎo)體公司，其技術(shù)能力的提升速度超出了市場預(yù)期，這要?dú)w功于移居中國的“工程師外軍”，并承諾提供比自己高出三倍的薪資等前所未有的福利，以及工作、住房和教育支持。
韓國經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)對(duì)12月30日在商務(wù)平臺(tái)LinkedIn上披露職業(yè)生涯的381名長鑫存儲(chǔ)現(xiàn)任和前任員工進(jìn)行分析后發(fā)現(xiàn)，大量招募了下一代DRAM開發(fā)所需的關(guān)鍵工程師。
一個(gè)代表性的例子是聘請(qǐng)了許多極紫外（EUV）光刻工藝的專家，該工藝在晶圓上繪制電路，就像沖洗照片一樣。EUV曝光工藝對(duì)于10納米（nm·1nm=十億分之一米）以下DRAM的開發(fā)至關(guān)重要。例如，曾在ASML和全球半導(dǎo)體設(shè)備公司應(yīng)用材料公司工作后加入長鑫存儲(chǔ)的K先生，以及曾在英特爾大連工廠從事ASML曝光設(shè)備工作的L先生。
長鑫存儲(chǔ)的招聘名單中還包括一位“最先進(jìn)的封裝”專家，他可以堆疊多個(gè)半導(dǎo)體，使它們像單個(gè)芯片一樣運(yùn)行。這是因?yàn)樾枰擃I(lǐng)域的專家來正確制造由 8 或 12 個(gè) DRAM 堆疊而成的高帶寬存儲(chǔ)器 (HBM)。尖端封裝還用于開發(fā)三維 (3D) DRAM（具有垂直堆疊單元的 DRAM，即半導(dǎo)體存儲(chǔ)空間），將于 2030 年左右實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。
長鑫存儲(chǔ)招募了大量尖端封裝專家，意味著它將接受HBM和3D DRAM這兩種高價(jià)值尖端DRAM的挑戰(zhàn)。加入長鑫存儲(chǔ)的美光畢業(yè)生 L 先生和曾在 DRAM 龍頭公司南亞科和美國晶圓代工公司 Global Foundry（代工半導(dǎo)體代工）工作的 W 先生被認(rèn)為是 HBM 開發(fā)方面的專家。W先生曾就職于設(shè)計(jì)工具公司Cadence、美國NAND閃存公司W(wǎng)estern Digital，并就職于CXMT日本研究中心，是尖端封裝領(lǐng)域的專家。他們?cè)陂L鑫存儲(chǔ)HBM開發(fā)部門工作。HBM3E是SK海力士向NVIDIA供應(yīng)的主要產(chǎn)品。
長鑫存儲(chǔ)的另一個(gè)人才招聘策略是“海外華人網(wǎng)絡(luò)”，目標(biāo)是在中國臺(tái)灣、新加坡、馬來西亞等國家的全球半導(dǎo)體公司亞洲研發(fā)中心工作的華人人才。這意味著大量曾在美光、格羅方德新加坡公司、英特爾馬來西亞公司工作的中國工程師轉(zhuǎn)戰(zhàn)長鑫存儲(chǔ)絕非偶然。
長鑫存儲(chǔ)正在快速追趕三星電子、SK海力士、美光等“DRAM三巨頭”，其中一支外國工程師大軍處于最前沿。繼舊款通用 DRAM 席卷雙倍數(shù)據(jù)速率 4 (DDR4) 并以低價(jià)攻勢(shì)席卷市場后，據(jù)悉最新的通用 DRAM (DDR5) 也已開始銷售，主要在中國。
生產(chǎn)能力也正在顯著著提高。業(yè)界預(yù)測(cè)，若明年將每月晶圓投入量增加至30萬片，全球DRAM市場份額（以晶圓投入量計(jì)）將由目前約10%提升至15%。它緊隨美光之后，后者以 20% 左右的份額排名第三。
