長鑫存儲將于Q2交付17nm DRAM樣品

集微網(wǎng)消息，據(jù)《電子時報》報道援引上述人士稱，長鑫存儲的17nm制程成品率初步達(dá)到40%，預(yù)計將在2022年晚些時候逐步提高。據(jù)其計劃，將在2022年下半年將月產(chǎn)量提高到6萬至8萬片12英寸晶圓。

長鑫存儲將17nm工藝節(jié)點(diǎn)作為下一代主流制造技術(shù)。該人士認(rèn)為，當(dāng)其17nm制程成品率提高到成熟水平時，將能夠提高DDR3和DDR4產(chǎn)能，并將在專業(yè)DRAM領(lǐng)域與包括南亞科技和華邦電子在內(nèi)的中國臺灣同行展開直接競爭。

南亞科技和華邦電子均計劃建立各自的12英寸晶圓廠，用于生產(chǎn)專業(yè)DRAM芯片，新晶圓廠計劃于2024年投產(chǎn)。在規(guī)模較大的國際同行紛紛退出低密度DRAM市場之際，兩家公司都做出了興建新晶圓廠的決定。

華邦電子于2018年在中國臺灣南部的高雄破土動工興建新的12英寸晶圓廠。該工廠的第一階段將在2022年底準(zhǔn)備好批量生產(chǎn)使用其第二代25nm工藝技術(shù)制造的芯片，即25S。

這家芯片制造商還開始推進(jìn)工廠第二階段的設(shè)施建設(shè)。據(jù)其預(yù)計，到2022年第四季度，高雄新晶圓廠的月產(chǎn)量將增至1萬片12英寸晶圓，一年后將再投入生產(chǎn)1萬片，進(jìn)一步擴(kuò)大晶圓廠的產(chǎn)量。

南亞科技此前則透露，計劃建立一個新的12英寸晶圓廠，用于該公司內(nèi)部開發(fā)的10nm級和基于EUV的工藝制造。該芯片制造商預(yù)計2024年在新工廠的一期工廠開始批量生產(chǎn)，初步產(chǎn)能預(yù)計為每月1.5萬個晶圓。

消息人士指出，由于長鑫存儲也在準(zhǔn)備提高產(chǎn)量，市場是否會出現(xiàn)供過于求仍有待觀察。

(校對/隱德萊希)