EPC新推150V封裝兼容的氮化鎵器件， 讓高功率密度應(yīng)用實現(xiàn)靈活設(shè)計

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出150 V、6 mΩ EPC2308 GaN FET，讓高功率密度應(yīng)用實現(xiàn)更高的性能和更小的解決方案，包括DC/DC轉(zhuǎn)換、AC/DC SMPS和充電器、太陽能優(yōu)化器和微型逆變器，以及電機驅(qū)動器。

EPC 是增強型氮化鎵(eGaN®)功率FET和 IC 領(lǐng)域的全球領(lǐng)導者，新推采用更耐熱的QFN封裝且可立即發(fā)貨的150 V EPC2308氮化鎵器件，用于電動工具和機器人的電機驅(qū)動器、用于工業(yè)應(yīng)用的80 V/100 V高功率密度DC/DC轉(zhuǎn)換器、用于充電器、適配器和電源供電的28V~54V同步整流器、智能手機USB快速充電器，以及太陽能優(yōu)化器和微型逆變器。

EPC2308 GaN FET具有超小的導通電阻（RDS(on)），典型值僅為4.9 mOhm，而且QG、QGD和QOSS的參數(shù)非常小，可實現(xiàn)低導通和開關(guān)損耗。它采用耐熱增強型QFN封裝，占板面積僅為3 mm x 5 mm，為最高功率密度應(yīng)用提供極小型化的解決方案。該封裝提供可濕潤側(cè)面以簡化組裝和檢查，而且頂部外露和具超低熱阻，從而可以通過散熱器實現(xiàn)高效散熱和更低的操作溫度。

EPC2308與之前發(fā)布的100 V、1.8 mOhm EPC2302和100 V、3.8 mOhm EPC2306的封裝兼容。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Alex Lidow說：“EPC2308結(jié)合了150 V GaN FET的優(yōu)勢和易于組裝、更耐熱的QFN封裝。設(shè)計人員可以利用封裝GaN FET系列，實現(xiàn)用于電動汽車和無人機的更小、更輕并以電池供電的BLDC電機驅(qū)動器、更高效的80 V輸入DC/DC轉(zhuǎn)換器、更高效的USB充電器和電源供電等應(yīng)用。”

EPC90148開發(fā)板采用最大器件電壓為 150 V、最大輸出電流為12 A的半橋器件EPC2308 GaN FET，旨在簡化評估過程以加快產(chǎn)品推出市場時間。這款 2”x 2”（50.8 mm x 50.8 mm）開發(fā)板專為實現(xiàn)最佳開關(guān)性能而設(shè)計和包含了所有關(guān)鍵組件，便于評估。

EPC2308以1000片為單位批量購買，每片價格為3.75美元。EPC90148開發(fā)板的單價為200美元。所有器件和開發(fā)板都可從Digi-Key立即發(fā)貨，網(wǎng)址為https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc。

有興趣用GaN解決方案替換其硅MOSFET的設(shè)計人員可使用EPC GaN Power Bench的交叉參考工具，根據(jù)您所需的特定工作條件，我們將推薦合適的替代方案。交叉參考工具可在以下網(wǎng)頁找到：交叉參考搜索 (epc-co.com)。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）是基于增強型氮化鎵（eGaN®）的功率管理器件的領(lǐng)先供貨商，氮化鎵場效應(yīng)晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目標應(yīng)用包括 直流-直流轉(zhuǎn)換器、激光雷達（LiDAR）、用于電動運輸、機器人和無人機的電機驅(qū)動器，以及低成本衛(wèi)星等應(yīng)用。此外，宜普電源轉(zhuǎn)換公司繼續(xù)擴大基于eGaN IC的產(chǎn)品系列，為客戶提供進一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。