加入星計(jì)劃,您可以享受以下權(quán)益:

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴(kuò)散
  • 作品版權(quán)保護(hù)
  • 300W+ 專(zhuān)業(yè)用戶(hù)
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長(zhǎng)期合作伙伴
立即加入
  • 正文
  • 相關(guān)推薦
  • 電子產(chǎn)業(yè)圖譜
申請(qǐng)入駐 產(chǎn)業(yè)圖譜

東微半導(dǎo):目前公司的TGBT單管產(chǎn)品銷(xiāo)售情況良好

2022/11/04
738
閱讀需 5 分鐘
加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

近日,東微半導(dǎo)在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示,公司所處的大功率半導(dǎo)體市場(chǎng)景氣度持續(xù)向好,尤其是以新能源汽車(chē)、光伏、儲(chǔ)能等為代表的細(xì)分市場(chǎng)需求攀升。公司主營(yíng)產(chǎn)品高壓超級(jí)結(jié)MOSFET、中低壓屏蔽柵MOSFET、超級(jí)硅MOSFET以及TGBT系列IGBT產(chǎn)品,應(yīng)用場(chǎng)景以工業(yè)、車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品為主。

東微半導(dǎo)稱(chēng),目前在微型逆變器領(lǐng)域,以超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品為主,且保持良好的態(tài)勢(shì)。TGBT產(chǎn)品(類(lèi)比市場(chǎng)IGBT產(chǎn)品)則在更大電壓、更大功率段的應(yīng)用更加廣泛。超級(jí)結(jié)MOSFET、TGBT產(chǎn)品互有優(yōu)勢(shì)和適用的領(lǐng)域,都是公司重點(diǎn)布局的產(chǎn)品。

東微半導(dǎo)指出,公司超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品和TGBT產(chǎn)品互有優(yōu)勢(shì)和各自適用的領(lǐng)域。公司在高壓大電流超級(jí)結(jié)MOSFET方面積累了包括優(yōu)化電荷平衡技術(shù)、優(yōu)化柵極設(shè)計(jì)及緩變電容核心原胞結(jié)構(gòu)等行業(yè)領(lǐng)先的專(zhuān)利技術(shù),具有較強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。TGBT產(chǎn)品是基于新型的Tri-gate IGBT器件結(jié)構(gòu)的重大原始創(chuàng)新,區(qū)別于國(guó)際主流IGBT技術(shù)的創(chuàng)新型器件技術(shù),基于此基礎(chǔ)器件專(zhuān)利,東微半導(dǎo)具備了趕超目前國(guó)際最為先進(jìn)的第七代IGBT芯片的技術(shù)實(shí)力。TGBT與傳統(tǒng)的IGBT兼容性高,可以實(shí)現(xiàn)插拔替換,客戶(hù)接受度較高。

據(jù)悉,公司產(chǎn)能主要來(lái)自于上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司、廣州粵芯半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、DB Hitek等代工廠。公司與上述代工企業(yè)均保持長(zhǎng)期穩(wěn)定的合作關(guān)系,可以持續(xù)獲得充分的產(chǎn)能支持。

東微半導(dǎo)表示,公司積極布局基于第三代功率半導(dǎo)體SiC材料的功率器件領(lǐng)域。提出新技術(shù)路線,申請(qǐng)相關(guān)專(zhuān)利對(duì)該核心技術(shù)進(jìn)行全面保護(hù)。目前,新技術(shù)路線產(chǎn)品開(kāi)發(fā)順利,相關(guān)專(zhuān)利產(chǎn)品已在積極推廣及客戶(hù)認(rèn)證階段,市場(chǎng)進(jìn)展順利,創(chuàng)新技術(shù)可行性得到進(jìn)一步驗(yàn)證。預(yù)期此系列產(chǎn)品將對(duì)采用傳統(tǒng)技術(shù)路線的SiC MOSFET進(jìn)行替代。

目前公司的TGBT單管產(chǎn)品銷(xiāo)售情況良好,模塊還處于研發(fā)狀態(tài)。隨著TGBT產(chǎn)能增加,也會(huì)推出模塊產(chǎn)品。

東微半導(dǎo)表示,公司的超級(jí)硅MOSFET產(chǎn)品是公司自主研發(fā)、性能對(duì)標(biāo)氮化鎵功率器件產(chǎn)品的高性能硅基MOSFET產(chǎn)品,特別適用于各種高密度高效率電源,目前已批量進(jìn)入中車(chē)株洲、航嘉馳源、易米通科技、視源股份、富安電子、碩通電子等客戶(hù)。憑借其高效率的特點(diǎn),還通過(guò)了微逆變領(lǐng)域的頭部客戶(hù)Enphase Energy的認(rèn)證,并且開(kāi)始批量出貨。隨著公司第二代及第三代超級(jí)硅MOSFET器件的推出,預(yù)期超級(jí)硅MOSFET將可以進(jìn)入諸如服務(wù)器及汽車(chē)電驅(qū)等更多高端應(yīng)用領(lǐng)域。 公司在各產(chǎn)品端的產(chǎn)能分配是基于公司的經(jīng)營(yíng)策略,在聚焦工業(yè)級(jí)、車(chē)規(guī)級(jí)應(yīng)用的基礎(chǔ)上,保持了均衡、合理的產(chǎn)能分配。

東微半導(dǎo)稱(chēng),公司目前TGBT產(chǎn)品主要來(lái)自于華虹宏力8英寸代工平臺(tái)。公司考慮到去年1200V FRD供應(yīng)緊張的情況,先從650V TGBT產(chǎn)品開(kāi)始。目前650V、1200V產(chǎn)品均已量產(chǎn),截止2022年9月30日,公司的營(yíng)收結(jié)構(gòu)以650V TGBT為主。目前TGBT產(chǎn)能亦在持續(xù)增加。

東微半導(dǎo)體

東微半導(dǎo)體

東微半導(dǎo)體成立于2008年,是一家技術(shù)驅(qū)動(dòng)型的半導(dǎo)體技術(shù)公司,在作為半導(dǎo)體核心技術(shù)的器件領(lǐng)域有深厚的技術(shù)積累,專(zhuān)注半導(dǎo)體器件技術(shù)創(chuàng)新,擁有多項(xiàng)半導(dǎo)體器件核心專(zhuān)利。 2013年下半年,東微半導(dǎo)體原創(chuàng)的半浮柵器件的技術(shù)論文在美國(guó)《科學(xué)》期刊上發(fā)表,標(biāo)志著國(guó)內(nèi)科學(xué)家在半導(dǎo)體核心技術(shù)方向獲得重大突破,新聞聯(lián)播、人民日?qǐng)?bào)等媒體均進(jìn)行了頭條重點(diǎn)報(bào)道,引起了國(guó)內(nèi)外業(yè)界的高度關(guān)注。2016年?yáng)|微半導(dǎo)體自主研發(fā)的新能源汽車(chē)直流大功率充電樁用核心芯片成功量產(chǎn),打破國(guó)外廠商壟斷。

東微半導(dǎo)體成立于2008年,是一家技術(shù)驅(qū)動(dòng)型的半導(dǎo)體技術(shù)公司,在作為半導(dǎo)體核心技術(shù)的器件領(lǐng)域有深厚的技術(shù)積累,專(zhuān)注半導(dǎo)體器件技術(shù)創(chuàng)新,擁有多項(xiàng)半導(dǎo)體器件核心專(zhuān)利。 2013年下半年,東微半導(dǎo)體原創(chuàng)的半浮柵器件的技術(shù)論文在美國(guó)《科學(xué)》期刊上發(fā)表,標(biāo)志著國(guó)內(nèi)科學(xué)家在半導(dǎo)體核心技術(shù)方向獲得重大突破,新聞聯(lián)播、人民日?qǐng)?bào)等媒體均進(jìn)行了頭條重點(diǎn)報(bào)道,引起了國(guó)內(nèi)外業(yè)界的高度關(guān)注。2016年?yáng)|微半導(dǎo)體自主研發(fā)的新能源汽車(chē)直流大功率充電樁用核心芯片成功量產(chǎn),打破國(guó)外廠商壟斷。收起

查看更多

相關(guān)推薦

電子產(chǎn)業(yè)圖譜