90天硬件工程師之mos管

課程目錄：

一、MOS 管 1-MOSFET 的認(rèn)識(shí)及 MOSFET 與三極管對(duì)比功耗分析

1.MOSFET 的認(rèn)識(shí)講解

2.三極管的功耗分析

3.MOSFET 解決功耗問題分析講解

二、MOS 管 2-MOSFET 損耗問題討論及 MOSFET 的 GS 電容問題討論

1.MOSFET 導(dǎo)通后相關(guān)問題的分析

2.MOSFET 的導(dǎo)通損耗問題討論

3.MOSFET 的體二極管討論

4.MOSFET 的續(xù)流損耗問題討論

5.MOSFET 的 GS 電容問題討論

6.MOSFET 的 GS 電容對(duì)管子開通特性的影響

三、MOS 管 3-MOSFET 的 GS 下拉電阻及 MOSFET 的等效模型講解

1.MOSFET 的 GS 間接下拉電阻的好處討論

2.GS 下拉電阻選取原則討論

3.MOSFET 等效模型的講解

4.MOSFET 的輸入電容、輸出電容、米勒電容測(cè)試方法講解

四、MOS 管 4-MOFET 導(dǎo)通閾值問題及 GS 電容和下拉電阻回路分流問題討論

1.MOSFET 導(dǎo)通閾值問題講解

2.GS 電容和下拉電阻的回路分流問題討論

五、MOS 管 5-MOSFET 米勒效應(yīng)及 MOSFET 的放大區(qū)討論

1.MOSFET 米勒效應(yīng)講解

2.三極管工作在飽和狀態(tài)下功耗分析

3.三極管工作在放大狀態(tài)下功耗分析

4.MOSFET 的放大區(qū)討論

六、MOS 管 6-MOSFET 導(dǎo)通過程相關(guān)波形繪制及各時(shí)間點(diǎn)狀態(tài)分析與米勒區(qū)域前后功耗問題討論

1.MOSFET 導(dǎo)通過程 Vgs 波形、Vds 波形、Id 波形繪制講解

2.MOSFET 導(dǎo)通過程的時(shí)間點(diǎn)狀態(tài)分析

3.MOSFET 工作在米勒平臺(tái)區(qū)域與工作在米勒平臺(tái)區(qū)域之后管子的功耗問題討論

4.MOSFET 的溝道簡(jiǎn)單介紹

七、MOS 管 7-MOSFET 的 Vds、Vgs 波形完善及 Rdson 與 Vgs 電壓的關(guān)系

1.MOSFET 的 Vds 波形完善繪制講解

2.MOSFET 的 Vgs 波形完善繪制講解

3.MOSFET 的 Rdson 與 Vgs 電壓的關(guān)系講解

4.器件的電氣特性講解

八、MOS 管 8-MOSFET 的 Igs 曲及四大損耗與減小米勒平臺(tái)區(qū)間的損耗方法討論

1.MOSFET 的 Igs 波形曲線繪制講解

2.MOSFET 的四大損耗講解

3.MOSFET 的開關(guān)損耗中的米勒平臺(tái)區(qū)的損耗減小方法討論

九、MOS 管 9-降低開關(guān)損耗帶來的其它問題分析及高壓 MOSFET 柵極電阻取值

1.縮米勒平臺(tái)時(shí)間降低開關(guān)損耗是否會(huì)帶來其它問題討論

2.Vgs 電壓確定時(shí)，高壓 MOSFET 的柵極電阻取值分析

十、MOS 管 10-MOSFET 柵極電阻與米勒平臺(tái)時(shí)間取值及橋式電路分析

1.Vgs 電壓確定時(shí)，高壓 MOSFET 的米勒平臺(tái)時(shí)間取值講解

2.Vgs 電壓確定時(shí)，低壓 MOSFET 的柵極電阻取值分析

3.Vgs 電壓確定時(shí)，低壓 MOSFET 的米勒平臺(tái)時(shí)間取值講解

4.橋式電路的互補(bǔ) PWM 波形講解及死區(qū)介紹

5.橋式電路中上管導(dǎo)通瞬間對(duì)下管 GS 波形的影響分析