IGBT是一種四層半導體器件,結合了雙極晶體管(集電極-發(fā)射極)的電壓特性和MOSFET的驅動特性。這個概念最早記錄在山神于1968年提交的一項日本專利中。第一個設備是平面技術,但最近垂直的溝槽設備已經流行起來。
近年來,由于IGT擅長的高電壓、高功率應用的增加,IGT的普及程度飆升。雖然開關速度比MOSFET慢,但在大電流下,VCE(SAT)特性比MOSFET有顯著改善,特別是對于高壓器件。它們的額定電壓范圍為300至1200伏以上,單個芯片的額定電流為15至100安培。IGBT模塊的電流額定值可達100安培。