LPC541xx 采用非對稱雙核機制,將 Cortex-M4F 和 Cortex-M0+ 集成在同一芯片中。有關(guān)這些內(nèi)核的詳細規(guī)格,請參閱 ARM 的以下文檔:
Cortex -M4 處理器技術(shù)參考手冊
Cortex-M4 設(shè)備通用用戶指南
Cortex-M0+ 技術(shù)參考手冊
Cortex-M0+ 設(shè)備通用用戶指南
特征
LPC541xx 雙處理器內(nèi)核特性包括:
?ARMCortex-M4 處理器
o 浮點單元 (FPU) 和內(nèi)存保護單元 (MPU)
o ARM Cortex-M4 內(nèi)置嵌套向量中斷控制器 (NVIC)
o 不可屏蔽中斷 (NMI),可選擇多個源
o 串行線調(diào)試 (SWD),具有 8 個斷點和 4 個觀察點;包括串行線輸出,用于增強調(diào)試功能。
o 系統(tǒng)節(jié)拍計時器
?ARMCortex-M0+ CPU
o ARM Cortex-M0+ 處理器,運行頻率高達 100 MHz(使用與 Cortex-M4 相同的時鐘)。
o ARM Cortex-M0+ 內(nèi)置嵌套向量中斷控制器 (NVIC)
o 具有多種源的不可屏蔽中斷 (NMI)
o 串行線調(diào)試 (SWD),具有四個斷點和兩個觀察點。
o 系統(tǒng)節(jié)拍計時器
在 LPC5410x 和 LPC5411x 中,兩個內(nèi)核都作為主內(nèi)核駐留在 MCU AHB 總線中,其訪問優(yōu)先級可以根據(jù)用戶應(yīng)用程序進行配置。有關(guān) AHB 主優(yōu)先級設(shè)置的詳細信息,請參閱 LPC5410x 或 LPC5411x 用戶手冊。
兩個內(nèi)核運行在高達 100 MHz 的同一時鐘上,并且所有 AHB/APB 從器件(如內(nèi)存、定時器和其他外設(shè))都可供它們平等訪問或控制。MCU 內(nèi)有多個 SRAM bank 可用,可以單獨上電和關(guān)電以節(jié)省功耗,并且兩個內(nèi)核可以同時訪問不同的 SRAM bank,而不會發(fā)生爭用。但是,只有一個 flash memory block,因此其中一個內(nèi)核需要在 SRAM 中運行其代碼。
Cortex-M4 包含三個外部 AHB 總線接口:
?用于指令獲取的 I 代碼內(nèi)存接口
?用于數(shù)據(jù)和調(diào)試訪問的 D 代碼存儲器接口
?用于指令獲取、數(shù)據(jù)和調(diào)試訪問的系統(tǒng)接口