大規(guī)模集成電路(Large Scale Integration Circuit,簡(jiǎn)稱LSI),指將數(shù)萬(wàn)個(gè)或數(shù)十萬(wàn)個(gè) 晶體管 集成在一個(gè)晶片中的電路。LSI是半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的重要里程碑之一,隨著技術(shù)進(jìn)步,后續(xù)又有超大規(guī)模集成電路(VLSI)、超高密度互連、超深次微米加工等技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。
1.第一代大規(guī)模集成電路的特點(diǎn)
第一代大規(guī)模集成電路誕生于1960年代末至1970年代初期,以二進(jìn)制門(mén)電路為基本單元,每個(gè)芯片可容納幾百或幾千個(gè)晶體管,相比于早期的離散元件電路,可以實(shí)現(xiàn)更小、更輕與更穩(wěn)定的電路系統(tǒng)。然而,第一代大規(guī)模集成電路技術(shù)精度有限,并且可靠性不高,壽命短,僅能應(yīng)用于早期的微型計(jì)算機(jī)、數(shù)字鐘表和電子游戲等領(lǐng)域。
2.第二代大規(guī)模集成電路的特點(diǎn)
第二代大規(guī)模集成電路誕生于1970年代中期至80年代初期,采用貼片封裝技術(shù),每個(gè)芯片可容納成千上萬(wàn)個(gè)晶體管。該代規(guī)模更大,功耗更低,速度更快,種類(lèi)更多,且可靠性得到顯著提高,可以應(yīng)用于通信、控制、家用電器、計(jì)算機(jī)等領(lǐng)域。
3.第三代大規(guī)模集成電路的特點(diǎn)
第三代大規(guī)模集成電路誕生于1980年代中期至90年代初期,采用Submicron工藝制造,每個(gè)芯片可容納百萬(wàn)級(jí)晶體管。該代具有更高的集成度、更高的工作速度、更低的功耗以及更穩(wěn)定的性能。第三代大規(guī)模集成電路廣泛應(yīng)用于多媒體、網(wǎng)絡(luò)通信、移動(dòng)通訊、汽車(chē)電子、醫(yī)療等領(lǐng)域。