南韓兩大半導(dǎo)體廠 Samsung 與 SK Hynix 共組半導(dǎo)體希望基金,資金規(guī)模約 2000 億韓元(約 55 億元新臺(tái)幣),顯示南韓亟欲凸顯且擴(kuò)大其在全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力與影響力。
不過半導(dǎo)體希望基金規(guī)模不大,預(yù)期重點(diǎn)不在建置新廠、擴(kuò)張產(chǎn)能,而是鎖定技術(shù)研發(fā),特別是 DRAM、NAND Flash、行動(dòng)存儲(chǔ)器、新興存儲(chǔ)器等產(chǎn)品的研發(fā)。
南韓半導(dǎo)體國家隊(duì)的成軍,主要是反映中國存儲(chǔ)器即將崛起的壓力。存儲(chǔ)器行業(yè)已成為中國官方投資的重要方向,企圖實(shí)現(xiàn)從無到有的局面。大陸存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)奠定在當(dāng)?shù)匦枨罂焖僭鲩L(zhǎng)的基礎(chǔ),以 NAND Flash 來說,由于行動(dòng)裝置需求的快速增長(zhǎng)及伺服器、資料中心的大量建置,大陸市場(chǎng) NAND Flash 消耗量占全球的比重將于 2017 年達(dá) 3 成以上,2020 年將超過 4 成。
預(yù)料大陸存儲(chǔ)器市場(chǎng)當(dāng)前發(fā)展的 4 大主力,將由長(zhǎng)江存儲(chǔ)(負(fù)責(zé) 3D NAND Flash、DRAM 生產(chǎn))、武漢新芯(負(fù)責(zé) NOR Flash、邏輯代工)擔(dān)綱重任,而福建晉華存儲(chǔ)器項(xiàng)目、合肥市存儲(chǔ)器項(xiàng)目也將有所發(fā)揮。
在國家積體電路大基金的牽線下,2016 年 7 月紫光集團(tuán)宣布收購武漢新芯 50%以上股權(quán),成立長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)公司,此舉將可避免重復(fù)投資,實(shí)現(xiàn)各方優(yōu)勢(shì)資源共享;而 2016 年底長(zhǎng)江存儲(chǔ)將興建首座 12 寸廠,在 Spansion 技術(shù)授權(quán)下,最快 2017 年底生產(chǎn)自制 32 層堆疊 3D NAND 晶片,大陸終將順利擠進(jìn) NAND Flash 領(lǐng)域。
而長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)公司在 DRAM 領(lǐng)域的布局,則端視未來 Mciron 再整并完華亞科之后,是否與紫光建立策略聯(lián)盟,雙方將針對(duì) DRAM 技術(shù)及產(chǎn)能進(jìn)行合作;另外武漢新芯未來將專職 NOR Flash 和邏輯代工業(yè)務(wù),旗下 12 寸廠月產(chǎn)能約 3 萬片,其中有超過 2 萬片是生產(chǎn) NOR Flash 晶片。
福建晉華存儲(chǔ)器項(xiàng)目則是由晉華投資 370 億元人民幣建設(shè)存儲(chǔ)晶片晶圓廠,并由聯(lián)電提供技術(shù)方案,預(yù)計(jì) 2018 年 9 月形成月產(chǎn) 6 萬片 12 寸先進(jìn)制程內(nèi)存晶圓的生產(chǎn)規(guī)模。而合肥市存儲(chǔ)器項(xiàng)目,將由合肥市政府出資 460 億元人民幣,兆基科技提供技術(shù)方案,第一步是設(shè)計(jì)物聯(lián)網(wǎng)科技所需的低耗電 DRAM 晶片,最快 2017 年下半年開始投產(chǎn)。
大陸存儲(chǔ)器是集成電路 4 大產(chǎn)品類型中自給率最低的部分,預(yù)期大陸存儲(chǔ)器市場(chǎng)的進(jìn)口替代空間龐大,而未來中國存儲(chǔ)器勢(shì)力的崛起,勢(shì)必將改寫全球存儲(chǔ)器版圖的分布,讓目前掌握絕大市占率的韓廠備感威脅。