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引言：本文我們介紹下DDR3的基礎知識，涉及DDR3管腳信號、容量計算、重要參數(shù)介紹內(nèi)容。

01、DDR3 SDRAM概述

DDR3 SDRAM 全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM，即第三代雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。雙倍速率（double-data-rate），是指時鐘的上升沿和下降沿都發(fā)生數(shù)據(jù)傳輸；同步，是指DDR3數(shù)據(jù)的讀取寫入是按時鐘同步的；動態(tài)，是指DDR3中的數(shù)據(jù)掉電無法保存，且需要周期性的刷新，才能保持數(shù)據(jù)；隨機，是指可以隨機操作任一地址的數(shù)據(jù)。

以鎂光MT41K256M16RH-107為例（以下介紹均以此芯片為例），該芯片容量為512GB（4Gbit），器件內(nèi)部功能模塊組成如圖1所示。

圖1、256M×16功能框圖

02、DDR3 SDRAM管腳介紹

圖2、×16芯片F(xiàn)BGA封裝管腳分布

由圖1和2圖所示，DDR3管腳根據(jù)不同的功能可以分為：數(shù)據(jù)組、地址組、控制組和電源組四大類型。2.1 數(shù)據(jù)組：DQ[15:0]、UDQS/UDQS#、LDQS/LDQS#、UDM、LDM。

DQ[15:0]：雙向信號，16位數(shù)據(jù)總線；

UDQS/UDQS#、LDQS/LDQS#：雙向信號，數(shù)據(jù)選通信號，用于數(shù)據(jù)同步；

UDM、LDM：數(shù)據(jù)屏蔽信號。

2.2 地址組：BA[2:0]、A[14:0]。

BA[2:0]：Bank地址信號；
A[14:0]：地址總線。

2.3 控制組：CK/CK#、CKE、CS#、RAS#、CAS#、WE#、RESET#、ODT、 ZQ#

CK/CK#：時鐘信號，雙沿采樣DQ數(shù)據(jù)；CKE：時鐘使能信號；CS#：DDR3片選信號，低有效；RAS#：行選通信號；CAS#：列選通信號；WE#：寫使能信號；ODT：片上終端使能信號。DDR3芯片數(shù)據(jù)組是有片上端接的，無需外部端接，而控制信號和地址信號為保證信號完整性需要端接匹配；
ZQ：校準管腳，下拉240Ω電阻到VSSQ。

2.4 電源組：

VDD：電源電壓，1.5V±5%；VDDQ：DQ供電，1.5V±5%；VREFCA：控制、命令和地址參考電壓，電壓為VDD/2；VREFDQ：數(shù)據(jù)參考電壓，電壓為VDD/2；

03、DDR3 尋址及容量計算

3.1 DDR3數(shù)據(jù)尋址

圖3、DDR存儲陣列示意

如圖3所示，DDR3的內(nèi)部是一個存儲陣列，類似一張二維表格，數(shù)據(jù)讀寫操作即對這個陣列進行操作。所謂尋址就是操作指定表格單元（圖中黃色單元格）所需的步驟，即讀寫某個表格單元，需要先指定一個行（Row），再指定一個列（Column）。這個表格通常稱為邏輯Bank，一個DDR3有多個Bank組成。

3.2 容量計算

以鎂光MT41K256M16RH-107為例。

圖4、DDR3地址組成

由圖4可以，Row address = 15bit，Column address = 10bit，Bank address = 3bit，則器件總存儲單元為：

2^15×2^10×2^3 = 2^28= 256M單元格，每個單元格為16bit，總計容量為：256M×16bit = 512MB（4Gbit）。

04、DDR3 關鍵參數(shù)解析

DDR3器件手冊給出了非常詳盡的參數(shù)介紹，里面有幾個非常重要的參數(shù)下面來介紹一下。

4.1 突發(fā)傳輸及突發(fā)長度

圖5、非連續(xù)突發(fā)讀操作

突發(fā)是指在同一行中相鄰的存儲單元連續(xù)進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆绞?。如圖5所示，突發(fā)長度BL=8，即送出一次讀命令和讀地址，連續(xù)輸出8個數(shù)據(jù)。

另外，連續(xù)讀取操作，即控制好兩次突發(fā)讀間隔時間，即可實現(xiàn)連續(xù)讀輸出操作，如圖6所示，圖中需要控制好參數(shù)tCCD。

圖6、連續(xù)讀操作

4.2 CAS Latency（CAS潛伏期）

該參數(shù)又稱讀取潛伏期或列地址脈沖選通潛伏期，簡寫成CL，該參數(shù)以時鐘周期為單位，該參數(shù)表示從讀命令和地址有效發(fā)出后，數(shù)據(jù)穩(wěn)定數(shù)據(jù)的延遲時鐘個數(shù)。如圖7所示，當CL=6時，有效數(shù)據(jù)在6個時鐘之后輸出。