加入星計(jì)劃,您可以享受以下權(quán)益:

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴(kuò)散
  • 作品版權(quán)保護(hù)
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長(zhǎng)期合作伙伴
立即加入

半導(dǎo)體工藝

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論
  • FD-SOI,半導(dǎo)體“特色”工藝之路能否走通?
    FD-SOI,半導(dǎo)體“特色”工藝之路能否走通?
    在進(jìn)入28納米節(jié)點(diǎn)時(shí),半導(dǎo)體邏輯制造工藝出現(xiàn)了分岔。一條路線走向了三維工藝,即大家所熟知的FinFET,代表廠商有臺(tái)積電、英特爾和中芯國(guó)際等晶圓制造廠商;另一條路線則還在堅(jiān)持平面工藝,被稱為FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator,全耗盡硅型絕緣體上硅),代表廠商有意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)。三星電子與格羅方德(GlobalFoundries)則兩條腿走路,對(duì)FinFET與FD-SOI都有布局,但三星的先進(jìn)邏輯制造工藝還是以FinFET為主。
    1197
    10/31 12:50
  • 為什么器件失效分析需要Nano-probe機(jī)臺(tái)?
    為什么器件失效分析需要Nano-probe機(jī)臺(tái)?
    器件失效分析(Failure Analysis,F(xiàn)A)關(guān)系到集成電路的質(zhì)量控制、產(chǎn)品可靠性以及產(chǎn)量?jī)?yōu)化。在分析過程中,工程師必須準(zhǔn)確定位失效源頭,分析失效機(jī)理并找到解決方法。其中,Nano-probe(納米探針)作為一項(xiàng)關(guān)鍵的微納級(jí)分析工具,廣泛應(yīng)用于先進(jìn)工藝制程中,如5nm、7nm、16nm等。
  • 為什么器件失效分析需要AFM機(jī)臺(tái)?
    為什么器件失效分析需要AFM機(jī)臺(tái)?
    失效分析是確保集成電路和微電子器件可靠性、優(yōu)化制造工藝的重要環(huán)節(jié)。隨著技術(shù)的進(jìn)步,特別是進(jìn)入5nm、7nm等先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)后,器件失效模式變得更為復(fù)雜,要求我們使用各種高精度的分析工具進(jìn)行失效定位和機(jī)理分析。原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope,簡(jiǎn)稱AFM)就是其中一種重要的分析工具。
  • 東方晶源深耕電子束量測(cè)檢測(cè)核心技術(shù) “三箭齊發(fā)”新一代EOS上“機(jī)”
    東方晶源深耕電子束量測(cè)檢測(cè)核心技術(shù) “三箭齊發(fā)”新一代EOS上“機(jī)”
    電子束量測(cè)檢測(cè)設(shè)備是芯片制造裝備中除光刻機(jī)之外技術(shù)難度最高的設(shè)備類別之一,深度參與光刻環(huán)節(jié)、對(duì)制程節(jié)點(diǎn)敏感并且對(duì)最終產(chǎn)線良率起到至關(guān)重要的作用。其最為核心的模塊為電子光學(xué)系統(tǒng)(Electron?Optical?System,簡(jiǎn)稱EOS),決定設(shè)備的成像精度和質(zhì)量, 進(jìn)而決定設(shè)備的性能。 作為電子束量測(cè)檢測(cè)領(lǐng)域的先行者、領(lǐng)跑者,東方晶源始終堅(jiān)持自主研發(fā),不斷深化研發(fā)投入、加速技術(shù)創(chuàng)新步伐,致力于為客
  • 碳化硅競(jìng)爭(zhēng)升級(jí),中國(guó)企業(yè)施壓國(guó)際大廠
    碳化硅競(jìng)爭(zhēng)升級(jí),中國(guó)企業(yè)施壓國(guó)際大廠
    作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,碳化硅(SiC)與硅(Si)相比,擁有更加優(yōu)異的物理和化學(xué)特性,使得SiC器件能降低能耗20%以上,減少體積和重量30%~50%,可滿足中低壓、高壓、超高壓功率器件制備要求。SiC器件可廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、通信雷達(dá)和航空航天等領(lǐng)域。