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雙極晶體管

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由兩個背靠背PN結(jié)構(gòu)成的以獲得電壓、電流或信號增益的晶體三極管。起源于1948年發(fā)明的點接觸晶體三極管，50年代初發(fā)展成結(jié)型三極管即現(xiàn)在所稱的雙極型晶體管。雙極型晶體管有兩種基本結(jié)構(gòu)：PNP型和NPN型。在這3層半導體中，中間一層稱基區(qū)，外側(cè)兩層分別稱發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。當基區(qū)注入少量電流時，在發(fā)射區(qū)和集電區(qū)之間就會形成較大的電流，這就是晶體管的放大效應。

由兩個背靠背PN結(jié)構(gòu)成的以獲得電壓、電流或信號增益的晶體三極管。起源于1948年發(fā)明的點接觸晶體三極管，50年代初發(fā)展成結(jié)型三極管即現(xiàn)在所稱的雙極型晶體管。雙極型晶體管有兩種基本結(jié)構(gòu)：PNP型和NPN型。在這3層半導體中，中間一層稱基區(qū)，外側(cè)兩層分別稱發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。當基區(qū)注入少量電流時，在發(fā)射區(qū)和集電區(qū)之間就會形成較大的電流，這就是晶體管的放大效應。收起

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  • 絕緣柵雙極晶體管
    絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種重要的功率半導體器件，廣泛應用于電力電子設備和工業(yè)控制系統(tǒng)中。它集成了雙極晶體管（BJT）和金屬氧化物場效應晶體管（MOSFET）的優(yōu)點，在高壓、高電流和高頻率條件下工作。IGBT具有可靠性高、開關(guān)速度快和低功耗等特點，因此被廣泛應用于各種領(lǐng)域，如電機驅(qū)動、變頻器、逆變器、電子焊接和電源系統(tǒng)等。
  • 雙極性晶體管
    雙極性晶體管（BJT），也稱為雙極型晶體管、雙極晶體管或晶體三極管，是一種基本的電子元件。它由兩個PN結(jié)組成，并具有三個或更多的區(qū)域連接。BJT是一種三層結(jié)構(gòu)的半導體器件，由P型或N型半導體夾在兩層相反類型的半導體之間構(gòu)成。
  • 雙極型晶體管
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