存儲芯片的設計與制造產(chǎn)業(yè)具有很高的技術(shù)和資本門檻,半導體存儲技術(shù)的誕生及演進的特點,決定了全球存儲芯片市場長期由韓國、美國和日本的少數(shù)企業(yè)主導。存儲原廠不斷加大 QLC NAND Flash 和高層數(shù) TLC NAND Flash 等領域資源投入,并逐步淡出小容量存儲市場,為具備小容量存儲芯片設計和應用能力的企業(yè)創(chuàng)造了更多的發(fā)展機遇和市場空間。 在存儲原廠的目標市場和目標客戶之外,存在著多元化的市