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AMEYA360代理：羅姆與臺積公司在車載氮化鎵功率器件領(lǐng)域建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)宣布與Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited(以下簡稱“臺積公司”)就車載氮化鎵功率器件的開發(fā)和量產(chǎn)事宜建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。通過該合作關(guān)系，雙方將致力于將羅姆的氮化鎵器件開發(fā)技術(shù)與臺積公司業(yè)界先進的GaN-on-Silicon工藝技術(shù)優(yōu)勢結(jié)合起來，滿足市場對高耐壓和

AMEYA360

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12/11 07:45

ROHM 氮化鎵芯片

氮化鎵芯片到底是怎么做的呢？

氮化鎵芯片是一種新型的半導體材料，具有高頻率、高功率、高溫穩(wěn)定性和低損耗等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于電力電子器件、光電子器件和微波器件等領(lǐng)域。隨著科技的不斷發(fā)展，氮化鎵芯片的應(yīng)用前景越來越廣闊，例如在新能源汽車、光伏發(fā)電、通信基站等領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。因此，研究和開發(fā)氮化鎵芯片的制備方法和技術(shù)對于推動科技進步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義。

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2023/11/11

氮化鎵芯片

氮化鎵快充控制芯片是什么

氮化鎵（GaN）是第三代半導體材料，其運行速度比舊式慢速硅（Si）技術(shù)加快了二十倍，并且能夠?qū)崿F(xiàn)高出三倍的功率，用于尖端快速充電器產(chǎn)品時，可以實現(xiàn)遠遠超過現(xiàn)有產(chǎn)品的性能，在尺寸相同的情況下，充電速度提高了三倍。

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2023/11/02

快充氮化鎵芯片

不知道該如何選擇氮化鎵芯片？

GaN氮化鎵比硅更適用于高頻功率器件。可以顯著降低功率損耗和散熱負載，在體積和功率密度方面具有明顯的優(yōu)勢。用于逆變器、穩(wěn)壓器、變壓器、無線充電等領(lǐng)域，可有效降低能量損耗。從第一個氮化鎵快充源的量產(chǎn)，到上百種氮化鎵新產(chǎn)品涌入市場，短短幾年時間，整個氮化鎵快充源市場的容量增長了百倍。在過去，只有少數(shù)幾個第一代氮化鎵快速充電源。氮化鎵第三方配件品牌敢于嘗試的技術(shù)，如今已經(jīng)成為一線手機和筆記本電腦品牌的必備產(chǎn)品。我們不得不感嘆技術(shù)迭代的魅力。

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2023/10/28

氮化鎵芯片

120W氮化鎵芯片KT65C1R120D

隨著科技的不斷進步，電力電子技術(shù)也在飛速發(fā)展。其中，氮化鎵（GaN）芯片作為一種新型的電力電子器件，因其具有高效能、高速、高溫等優(yōu)點，已經(jīng)開始在各個領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。本文將詳細介紹120W氮化鎵芯片的特點及其應(yīng)用場景，同時探討該技術(shù)的未來發(fā)展方向。

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2023/10/28

GaN 氮化鎵

氮化鎵芯片如何選擇？

氮化鎵芯片的選用要從實際應(yīng)用出發(fā)，結(jié)合實際使用場景，選擇最合適的氮化鎵芯片，以達到最佳的性能和效果。明確應(yīng)用場景。首先要明確使用的具體場景，如音頻、視頻、計算還是其他應(yīng)用場景。不同的場景對氮化鎵芯片的性能和特點要求不同，因此在選擇氮化鎵芯片時，要充分考慮應(yīng)用的場景。

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2023/10/27

氮化鎵芯片

氮化鎵充電器用哪種芯片好

氮化鎵充電器是一種采用KeepTops氮化鎵芯片材料KT65C1R200D的充電器。氮化鎵是一種寬禁帶半導體材料，具有高導熱率、高電子遷移率、高擊穿電場和高熔點等特點。這些特點使得氮化鎵充電器具有更高的充電效率和更小的體積，成為一種具有革命性的充電器。

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2023/10/27

氮化鎵充電器氮化鎵芯片

電子材料氮化鎵芯片有多大的優(yōu)勢

氮化鎵快充技術(shù)的普及，絕不僅僅是成品數(shù)量的增加而已，更重要的是，在芯片層面，氮化鎵功率器件的供應(yīng)商從最初的幾家增加到十幾家，產(chǎn)品類型多樣，主控芯片品牌超過十個，使后續(xù)的氮化鎵快充市場多元化。開發(fā)開辟了最關(guān)鍵的一環(huán)。

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2023/10/13

氮化鎵芯片

一種高能效、高可靠性氮化鎵芯片進入電子領(lǐng)域

作為氮化鎵快充控制器國產(chǎn)化的先行者，KeepTops率先實現(xiàn)了氮化鎵控制芯片的自主可控性，并成功量產(chǎn)集成GaN直驅(qū)的控制器。得到了業(yè)界的廣泛認可，現(xiàn)已推出。KeepTops繼推出氮化鎵控制器后，再次推出高集成度氮化鎵功率芯片KT65C1R120D，將控制器、氮化鎵驅(qū)動器、GaN功率管集成到DFN8*8個小體積封裝。通過將它們?nèi)考傻揭粋€封裝中，降低了寄生參數(shù)對高頻開關(guān)的影響，在提高可靠性的同時提高了效率，并簡化了氮化鎵充電器的設(shè)計。

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2023/10/11

氮化鎵芯片

分析氮化鎵芯片的特點

作為第三代半導體材料，氮化鎵具有高頻、高效率、低發(fā)熱等特點，是制作功率芯片的理想材料。如今，電源芯片廠商紛紛推出氮化鎵封裝芯片產(chǎn)品。這些氮化鎵芯片可以顯著提高充電器的使用效率，減少熱量的產(chǎn)生，并且縮小了充電器的體積，使用戶在日常出行時更容易攜帶。

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2023/10/08

氮化鎵芯片

宏光半導體獲戰(zhàn)略投資者增資

宏光半導體有限公司（「宏光半導體」，連同其附屬公司統(tǒng)稱「集團」；股份代號：6908.HK）欣然宣布，于9月28日集團旗下之附屬子公司深圳鎵宏半導體有限公司（「深圳鎵宏」）與臺州匯融嘉能友創(chuàng)股權(quán)投資合伙企業(yè)（有限合伙）（「匯融嘉能友創(chuàng)」或「投資人」）訂立增資協(xié)議，投資人同意向深圳鎵宏增資人民幣一億元，主要用作氮化鎵芯片項目發(fā)展。此次戰(zhàn)略投資者匯融嘉能友創(chuàng)為從事股權(quán)投資的私募投資基金，其普通合伙人為

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2023/10/07

IDM 氮化鎵芯片

大功率器件氮化鎵芯片系列產(chǎn)品KT65C1R070D、KT65C1R120D

Keep Tops繼年初推出KT65C1R200D 等氮化鎵功率器件后；最近再次推出KT65C1R070D、KT65C1R120D系列氮化鎵功率芯片，Keep Tops產(chǎn)品將高性能、高可靠性電流控制PWM開關(guān)控制與GaN集成一起，在充電器次級應(yīng)用中，真正實現(xiàn)一顆芯實現(xiàn)的目的，大大簡化120W內(nèi)小功率充電器的初級設(shè)計。

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2023/09/22

功率器件氮化鎵芯片

淺談氮化鎵快充芯片方案

氮化鎵芯片在快充技術(shù)中扮演著重要的角色，氮化鎵芯片可以作為控制器和管理器，監(jiān)測和調(diào)整充電電流、電壓和充電模式，確保快充過程的安全和穩(wěn)定。它可以精確控制充電速度和電池的充電狀態(tài)，避免過充、過放和過熱等問題，保護電池和設(shè)備的安全。具有高功率和高效率的特性，能夠?qū)崿F(xiàn)快速、高效的能量轉(zhuǎn)換。它可以將輸入電源的直流電轉(zhuǎn)換為適合設(shè)備充電的電流和電壓，最大限度地提高能量轉(zhuǎn)換效率，減少能量損耗。

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2023/09/20

快充快充技術(shù)

如何選擇性價比高的氮化鎵芯片？采用KT65C1R200D產(chǎn)品

選擇氮化鎵芯片時，根據(jù)應(yīng)用的需求，確定所需的性能指標，包括功耗、頻率、工作溫度范圍等。不同型號的氮化鎵芯片有不同的性能特點，需要根據(jù)具體的應(yīng)用場景選擇合適的型號。考慮芯片的可靠性和穩(wěn)定性，包括壽命、耐壓、抗干擾等方面的指標。特別是對于一些長期運行或者在惡劣環(huán)境下工作的應(yīng)用，可靠性是一個非常重要的考慮因素。選擇一家有良好供應(yīng)鏈和技術(shù)支持的廠商，以確保能夠及時獲取所需的芯片和技術(shù)支持。同時，考慮廠商的聲譽和市場份額，以確保產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。

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2023/09/20

氮化鎵芯片

氮化鎵芯片和硅芯片有什么區(qū)別？有什么優(yōu)勢？

氮化鎵芯片是目前世界上速度最快的電源開關(guān)器件之一。氮化鎵本身就是第三代材料，很多特性都強于傳統(tǒng)的硅基半導體。與傳統(tǒng)的硅基半導體相比，氮化鎵具有更好的擊穿能力、更高的密度和電子遷移率以及更高的工作溫度?？梢詭淼蛽p耗和高開關(guān)頻率：低損耗可以減少導通電阻引起的熱量，高開關(guān)頻率可以減小變壓器的體積并有助于減小充電器的體積和重量。同時，GaN具有更小的Qg，可以很容易地提高頻率，降低驅(qū)動損耗。

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2023/09/12

氮化鎵芯片硅芯片

第三代半導體氮化鎵65W快充芯片已經(jīng)成為行業(yè)主流？

氮化鎵（GaN）功率芯片將多個電力電子功能集成到一顆GaN芯片中，可有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多情況下，GaN功率芯片可以使先進的功率轉(zhuǎn)換拓撲從學術(shù)概念和理論達到行業(yè)標準，并成為量產(chǎn)設(shè)計的催化劑。GaN芯片是提高整個系統(tǒng)性能的關(guān)鍵，關(guān)鍵是要打造出接近“理想開關(guān)”的電路元件。

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2023/09/05

快充氮化鎵芯片

氮化鎵芯片未來會取代硅芯片嗎？

氮化鎵?(GaN)?可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面?AC-DC?電源。Keep Tops?氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。當用于電源時，GaN?比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小的尺寸和更輕的重量。傳統(tǒng)硅晶體管有兩種類型的損耗：傳導損耗和開關(guān)損耗。功率晶體管是開關(guān)電源中功率損耗的主要原因。為了遏制這些損失，GaN?晶體管（取代舊的硅技術(shù)）的開發(fā)已引起電力電子行業(yè)的關(guān)注。

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2023/08/29

氮化鎵芯片硅芯片

產(chǎn)研：車規(guī)級氮化鎵普及面臨哪些難點？

前言：車規(guī)級氮化鎵的普及目前還處于非常前期的階段，國產(chǎn)廠商正在加速布局，但后續(xù)前景非?？春?。從消費級到車規(guī)級，氮化鎵（GaN）技術(shù)有何優(yōu)勢？作為電力電子領(lǐng)域的核心技術(shù)之一，基于GaN的電能轉(zhuǎn)換技術(shù)在消費電子、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用，這對提高電能的高效利用及實現(xiàn)節(jié)能減排起著關(guān)鍵作用。目前，GaN正在從低功率消費電子市場轉(zhuǎn)向高功率數(shù)據(jù)中心、光伏逆變器、通信電源等市場。這些應(yīng)用需要的電源具有更大的