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肖特基二極管

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肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。

肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。收起

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    不同類型的二極管具有不同的壓降特性，以下是一些常見二極管類型的壓降范圍： 硅二極管：硅二極管是最常見的二極管類型，其正向壓降一般在0.6V到0.7V之間。這一范圍是由于硅的帶隙約為1.1eV，電子和空穴的重組需要一定的能量。 鍺二極管：鍺二極管的正向壓降相對較低，通常在0.2V到0.3V之間。鍺的帶隙約為0.66eV，使得載流子在P-N結(jié)中更容易復(fù)合，從而降低了正向壓降。然而，由于鍺的熱穩(wěn)定性較差
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