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3nm

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  • 與非晚報(bào) | 臺(tái)積電3納米宣布量產(chǎn);2023年半導(dǎo)體市場(chǎng)可能較2019年衰退時(shí)更嚴(yán)重
    臺(tái)積電3納米宣布量產(chǎn) 良品率與5nm初期相同 臺(tái)積電今日上午在中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)南科學(xué)園區(qū)舉辦3nm量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮,其董事長(zhǎng)劉德音宣布啟動(dòng)3nm制程工藝大規(guī)模生產(chǎn)。劉德音稱3納米制程良率與5納米量產(chǎn)時(shí)的良率相當(dāng),并且與5納米相比,3納米制程的邏輯密度增加60%,在相同速度下,功耗降低30%至35%,預(yù)計(jì)3納米量產(chǎn)后對(duì)營(yíng)收的貢獻(xiàn)會(huì)大于同期的5納米貢獻(xiàn),3納米量產(chǎn)5年內(nèi)將釋放1.5萬(wàn)億美元(約10.47萬(wàn)億元
  • 一張照片,帶出了“美”積電熱背后的冷思考
    一張照片,帶出了“美”積電熱背后的冷思考
    昨日,一張代表半導(dǎo)體半壁江山的照片在圈內(nèi)“瘋傳”,這張照片的背后是臺(tái)積電在美國(guó)亞利桑那州新廠Fab?21的移機(jī)典禮。 從照片上可以看到,除了臺(tái)積電創(chuàng)始人張忠謀、蘋(píng)果CEO庫(kù)克、AMD總裁兼CEO蘇姿豐、英偉達(dá)創(chuàng)始人兼CEO黃仁勛、美光CEO Sanjay Mehrotra等業(yè)內(nèi)科技領(lǐng)袖共同到會(huì)外,美國(guó)政府也來(lái)了一大波人員站臺(tái),包括美國(guó)總統(tǒng)拜登、亞利桑那州參議員Senator Mark Kelly、
  • 3nm芯片還在焦急的等待中,臺(tái)積電2nm公布時(shí)間表,良品率不夠,三星電子有點(diǎn)急
    無(wú)論是蘋(píng)果公司還是三星電子的手機(jī)產(chǎn)品已經(jīng)大量使用了5nm制程的產(chǎn)品。三星電子和臺(tái)積電也開(kāi)啟了4nm和3nm制程技術(shù)的產(chǎn)能計(jì)劃,不過(guò),進(jìn)展并不是很順利。
  • 三星3nm工廠即將動(dòng)工,首發(fā)GAA工藝功耗直降50%
    三星電子代工部門(mén)最近深陷負(fù)面?zhèn)髀勚小O仁怯邢⒎Q涉嫌偽造并虛報(bào) 5nm、4nm 和 3nm 工藝良率,讓高通等 VIP 客戶不得不另投臺(tái)積電,近日又被黑客竊走 200GB 數(shù)據(jù)。