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基本單元電路反相器由N溝道和P溝道 MOS場效應晶體管對管(見P溝道金屬-氧化物-半導體集成電路和N溝道金屬-氧化物-半導體集成電路)構(gòu)成,以推挽形式工作,能實現(xiàn)一定邏輯功能的集成電路,簡稱CMOS。單元電路如圖1。CMOS電路的特點是:①靜態(tài)功耗低,每門功耗為納瓦級;②邏輯擺幅大,近似等于電源電壓;③抗干擾能力強,直流噪聲容限達邏輯擺幅的35%左右;④可在較廣泛的電源電壓范圍內(nèi)工作,便于與其他電路接口;⑤速度快,門延遲時間達納秒級;⑥在模擬電路中應用,其性能比NMOS電路好;⑦與NMOS電路相比,集成度稍低;⑧有“自鎖效應”,影響電路正常工作。
基本單元電路反相器由N溝道和P溝道 MOS場效應晶體管對管(見P溝道金屬-氧化物-半導體集成電路和N溝道金屬-氧化物-半導體集成電路)構(gòu)成,以推挽形式工作,能實現(xiàn)一定邏輯功能的集成電路,簡稱CMOS。單元電路如圖1。CMOS電路的特點是:①靜態(tài)功耗低,每門功耗為納瓦級;②邏輯擺幅大,近似等于電源電壓;③抗干擾能力強,直流噪聲容限達邏輯擺幅的35%左右;④可在較廣泛的電源電壓范圍內(nèi)工作,便于與其他電路接口;⑤速度快,門延遲時間達納秒級;⑥在模擬電路中應用,其性能比NMOS電路好;⑦與NMOS電路相比,集成度稍低;⑧有“自鎖效應”,影響電路正常工作。收起
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