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設(shè)計(jì)資料

AFT09MS031NR1 寬帶射頻功率LDMOS晶體管-數(shù)據(jù)手冊(cè)

恩智浦
1439

2023/04/25
無(wú)線電 LDMOS LDMOS晶體管
AFT18P350-4S2LR6 RF功率LDMOS晶體管-數(shù)據(jù)手冊(cè)

恩智浦
1117

2023/04/25
MOSFET LDMOS LDMOS晶體管
AFT05MS031NR1, AFT05MS031GNR1 寬帶射頻功率LDMOS晶體管-數(shù)據(jù)表

恩智浦
640

2023/04/25
LDMOS LDMOS晶體管射頻功率
MRFE6VP5300NR1, MRFE6VP5300GNR1 寬帶射頻功率LDMOS晶體管-數(shù)據(jù)表

恩智浦
996

2023/04/25
LDMOS LDMOS晶體管
AFT05MP075NR1，AFT05MP075GNR1 寬帶RF功率LDMOS晶體管 - 數(shù)據(jù)表

恩智浦
1467

2023/04/25
MOSFET LDMOS LDMOS晶體管

資訊

射頻硅基氮化鎵：兩個(gè)世界的最佳選擇

當(dāng)世界繼續(xù)努力追求更高速的連接，并要求低延遲和高可靠性時(shí)，信息通信技術(shù)的能耗繼續(xù)飆升。這些市場(chǎng)需求不僅將5G帶到許多關(guān)鍵應(yīng)用上，還對(duì)能源效率和性能提出了限制。

與非網(wǎng)編輯

1257

2022/01/26

射頻 5G網(wǎng)絡(luò)
意法半導(dǎo)體推出新的射頻LDMOS功率晶體管

意法半導(dǎo)體的STPOWER LDMOS晶體管產(chǎn)品家族新最近新增多款產(chǎn)品，該產(chǎn)品家族有三個(gè)不同的產(chǎn)品系列，均是針對(duì)各種商用和工業(yè)用射頻功率放大器(PA)優(yōu)化設(shè)計(jì)。

與非網(wǎng)編輯

449

2021/08/13

意法半導(dǎo)體射頻
埃賦隆半導(dǎo)體推出全新高功能通用寬帶LDMOS晶體管，以適應(yīng)廣播電視、工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療應(yīng)用

埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）宣布推出兩款新的寬帶放大器系列——額定電壓為32V的BLP15M9Sxxx器件和額定電壓為50V的BLP15H9Sxxx器件，從而進(jìn)一步加強(qiáng)其先進(jìn)而又高性價(jià)比的射頻功率放大器解決方案的產(chǎn)品組合。

與非網(wǎng)編輯

157

2021/07/07

晶體管 LDMOS
可增強(qiáng)小基站和mMIMO驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)的全集成型Doherty功率放大器

埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）基于其先進(jìn)的LDMOS晶體管技術(shù)并利用高度集成，針對(duì)下一代小基站基礎(chǔ)設(shè)施和大規(guī)模MIMO實(shí)施提供了全面的射頻功率放大器器件組合。

與非網(wǎng)編輯

143

2021/07/01

放大器功率放大器
RF功率市場(chǎng)擺脫低潮，GaN技術(shù)接班LDMOS

市研機(jī)構(gòu)Yole于7月發(fā)布「2017年RF功率市場(chǎng)與科技報(bào)告」指出，RF功率市場(chǎng)近期可望由衰轉(zhuǎn)盛，并以將近二位數(shù)的年復(fù)合成長(zhǎng)率（GAGR）迅速成長(zhǎng)；同時(shí)，氮化鎵（GaN）將逐漸取代橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS），成為市場(chǎng)主流技術(shù)。

與非網(wǎng)記者

16

2017/07/27

GaN LDMOS

與非星榜

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